串接NPN型晶體管的情況。晶體管基極要求注入電流，產生電流的電壓必須高于（Vo+Vbe），約為（Vo+1）。若基極串接一個電阻，則電阻輸入端電壓必須高于（Vo+1）以使電流流過。而最經濟易行的方法
2024-03-06 20:49:11
電子發燒友網報道（文/梁浩斌）功率GaN的大規模應用，其實也只有六七年的歷史，從2018手機快速充電器上才正式吹響了普及的號角。目前，從晶體管來看，功率GaN主要的產品是HEMT（高電子遷移率晶體管
2024-02-28 00:13:00
1844 Qorvo QPD0007 GaN射頻晶體管Qorvo QPD0007 GaN射頻晶體管是單路徑離散碳化硅基氮化鎵高電子遷移率晶體管 (HEMT)，采用DFN封裝。這些射頻晶體管是單級、不匹配晶體管
2024-02-26 19:46:40
Qorvo QPD1016L GaN射頻晶體管Qorvo QPD1016L GaN射頻晶體管是一款500W (P3dB) 預匹配分立式碳化硅基氮化鎵高電子遷移率晶體管 (GaN on SiC
2024-02-26 19:28:10
雙極性晶體管是利用兩種離子導電，空穴和自由電子，但是對于一個實際存在的系統，其整體上是呈現電中性的，當其中的電子或者空穴移動形成電流時，與之對應的空穴或者電子為什么不會一起隨著移動？
這個問題困擾
2024-02-21 21:39:24
晶體管并聯時，當需要非常大的電流時，可以將幾個晶體管并聯使用。因為存在VBE擴散現象，有必要在每一個晶體管的發射極上串聯一個小電阻。電阻R用以保證流過每個晶體管的電流近似相同。電阻值R的選擇依據
2024-01-26 23:07:21
管子多用于集成放大電路中的電流源電路。
請問對于這種多發射極或多集電極的晶體管時候該如何分析？按照我的理解，在含有多發射極或多集電極的晶體管電路時，如果多發射極或多集電極的每一極分別接到獨立的電源回路中
2024-01-21 13:47:56
常用的半導體元件還有利用一個PN結構成的具有負阻特性的器件一單結晶體管，請問這個單結晶體管是什么？能夠實現負阻特性？
2024-01-21 13:25:27
晶體管在基極和集電極之間并聯電容有什么作用？是為了米勒電容嗎、？但是米勒電容對三極管的開通有害的時候，為什么還要并聯電容？電容不是越并越大，加大了等效米勒電容？
2024-01-19 22:39:57
CGHV96050F1是款碳化硅(SiC)基材上的氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。與其它同類產品相比，這些GaN內部搭配CGHV96050F1具有卓越的功率附帶效率。與硅或砷化鎵
2024-01-19 09:27:13
晶體管也就是俗稱三極管，其本質是一個電流放大器，通過基射極電流控制集射極電流。
1、當基射極電流很小可以忽略不計時，此時晶體管基本沒有對基射極電流的放大作用，此時可以認為晶體管處在關斷狀態
2、當基
2024-01-18 16:34:45
射頻和微波應用提供通用寬帶解決方案。 GaN HEMT 具有高效率、高增益和寬帶寬功能，使 CGH40045 成為線性和壓縮放大器電路的理想選擇。該晶體管采用法蘭
2024-01-03 12:33:26
CGHV40180是款氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。具備前所未有的輸入，能夠在DC-2.0GHz范圍之內提供最好的的瞬時寬帶性能。與硅或砷化鎵相比較，CGHV40180具有更加優異
2024-01-02 12:05:47
電子發燒友網報道（文/梁浩斌）在我們談論第三代半導體的時候，常說的碳化硅功率器件一般是指代SiC MOSFET（金屬-氧化物半導體場效應晶體管），而氮化鎵功率器件最普遍的則是GaN HEMT（高電子
2023-12-27 09:11:361219 報告內容包含：
微帶WBG MMIC工藝
GaN HEMT 結構的生長
GaN HEMT 技術面臨的挑戰
2023-12-14 11:06:58178 
CREE的CGHV96130F是碳化硅(SiC)基材上的氮化鎵(GaN)高遷移率晶體管(HEMT)與其他技術相比，CGHV96130F內部適應(IM)FET具有出色的功率附加效率。與砷化鎵相比
2023-12-13 10:10:57
GaN HEMT為什么不能做成低壓器件? GaN HEMT（氮化鎵高電子遷移率晶體管）是一種迅速嶄露頭角的高頻功率器件，具有很高的電子遷移率、大的電子飽和漂移速度、高的飽和電子流動速度以及較低的電阻
2023-12-07 17:27:20337 來至網友的提問：如何選擇分立晶體管？
2023-11-24 08:16:54
我在進行AD8138ARM的熱仿真，datasheet中只有結到環境的熱阻JA的數據，我需要結到外殼的熱阻Jc的數據，還有AD8138ARM放大器集成的晶體管數目是多少？
2023-11-21 06:54:43
寬帶隙GaN基高電子遷移率晶體管(HEMTs)和場效應晶體管(fet)能夠提供比傳統Si基高功率器件更高的擊穿電壓和電子遷移率。常關GaN非常需要HEMT來降低功率并簡化電路和系統架構，這是GaN HEMT技術的主要挑戰之一。凹進的AlGaN/GaN結構是實現常關操作的有用選擇之一。
2023-10-10 16:21:11291 
無論是在太空還是在地面，這些基于GaN的晶體管都比硅具有新的優勢。
2023-09-28 17:44:221864 
專業圖書47-《新概念模擬電路》t-I晶體管
2023-09-28 08:04:05
目前傳統硅半導體器件的性能已逐漸接近其理論極限， 即使采用最新的硅器件和軟開關拓撲，效率在開關頻率超過 250 kHz 時也會受到影響。 而增強型氮化鎵晶體管 GaN HEMT（gallium
2023-09-18 07:27:50
氮化鎵（GaN）- 寬帶隙（WBG）材料? GaN HEMT-高電子遷移率晶體管，代表著電力電子技術的重大進步? 用于更高的工作頻率? 提高效率? 與硅基晶體管相比，功率密度更高
2023-09-07 07:43:51
650V硅上GaN增強型功率品體管，采用5mm雙扁平無引線封裝(DFN)X6毫米大小。增強型晶體管-正常關閉電源開關，符合JEDEC標準的工業應用。
2023-08-16 23:36:51686 
CHK8101-SYC 是一款無與倫比的封裝氮化鎵高電子遷移率晶體管。它為各種射頻功率應用提供通用和寬帶解決方案。它非常適合空間和電信等多用途應用CHK8101-SYC 采用 0.5μm 柵極長度
2023-08-10 10:47:29
650V硅上GaN增強模式功率晶體管，英諾賽科INN650D150A采用雙扁平無引線封裝(DFN),8mmx8mm尺寸，增強型晶體管-正常關閉電源開關
2023-08-07 17:22:17968 
70-W；4500 至 5900 MHz；用于 C 波段雷達系統的內部匹配 GaN HEMT Wolfspeed 的 CGHV59070 是內部匹配的；氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管
2023-08-07 15:55:56
70-W；4500 至 5900 MHz；用于 C 波段雷達系統的內部匹配 GaN HEMT Wolfspeed 的 CGHV59070 是內部匹配的；氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管
2023-08-07 15:53:36
70-W；4500 至 5900 MHz；用于 C 波段雷達系統的內部匹配 GaN HEMT Wolfspeed 的 CGHV59070 是內部匹配的；氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管
2023-08-07 15:49:41
6W 射頻功率 GaN HEMT Wolfspeed 的 CGH40006 是一款無與倫比的產品；氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。CGH40006；采用 28 伏電源
2023-08-07 15:02:04
320-W；4.0-GHz；GaN HEMT 芯片 Wolfspeed 的 CGHV40320D 是一款氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。與硅或砷化鎵相比，GaN具有
2023-08-07 14:40:06
200W 射頻功率 GaN HEMT Wolfspeed 的 CGHV40200PP 是一款無與倫比的產品；氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。CGHV40200PP
2023-08-07 14:23:55
200W 射頻功率 GaN HEMT Wolfspeed 的 CGHV40200PP 是一款無與倫比的產品；氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。CGHV40200PP
2023-08-07 14:13:01
100-W；直流 CGHV40100 3GHz；50V；氮化鎵高電子遷移率晶體管 Wolfspeed 的 CGHV40100 是一款無與倫比的產品；氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管
2023-08-07 13:52:20
100-W；直流 CGHV40100 3GHz；50V；氮化鎵高電子遷移率晶體管 Wolfspeed 的 CGHV40100 是一款無與倫比的產品；氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管
2023-08-07 13:50:28
100-W；直流 CGHV40100 3GHz；50V；氮化鎵高電子遷移率晶體管 Wolfspeed 的 CGHV40100 是一款無與倫比的產品；氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管
2023-08-07 13:48:33
100-W；直流 CGHV40100 3GHz；50V；氮化鎵高電子遷移率晶體管 Wolfspeed 的 CGHV40100 是一款無與倫比的產品；氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管
2023-08-07 13:46:18
75-W；6.0GHz；GaN HEMT 芯片Wolfspeed 的 CGHV60075D5 是一款氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。與硅或砷化鎵相比，GaN具有更優越的性能
2023-08-07 13:39:03
50-W；直流 – 4.0 GHz；50V；氮化鎵高電子遷移率晶體管Wolfspeed 的 CGHV40050 是一款無與倫比的產品；氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT
2023-08-07 11:29:17
50-W；直流 – 4.0 GHz；50V；氮化鎵高電子遷移率晶體管 Wolfspeed 的 CGHV40050 是一款無與倫比的產品；氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT
2023-08-07 11:25:21
50-W；直流 – 4.0 GHz；50V；氮化鎵高電子遷移率晶體管 Wolfspeed 的 CGHV40050 是一款無與倫比的產品；氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT
2023-08-07 11:22:14
40-W；6.0GHz；GaN HEMT 芯片Wolfspeed 的 CGHV60040D 是一款氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。與硅或砷化鎵相比，GaN具有更優越的性能；包括
2023-08-07 11:19:46
25-W；直流 – 6.0 GHz；GaN MMIC 功率放大器 Wolfspeed 的 CMPA0060025 是一款基于氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT) 的單片
2023-08-07 10:35:51
25-W；直流 – 6.0 GHz；GaN MMIC 功率放大器Wolfspeed 的 CMPA0060025 是一款基于氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT) 的單片微波
2023-08-07 10:33:50
25-W；直流 – 6.0 GHz；GaN MMIC 功率放大器 Wolfspeed 的 CMPA0060025 是一款基于氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT) 的單片
2023-08-07 10:31:47
25-W；直流 – 6.0 GHz；GaN MMIC 功率放大器 Wolfspeed 的 CMPA0060025 是一款基于氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT) 的單片
2023-08-07 10:26:30
25-W；直流 – 6.0 GHz；GaN MMIC 功率放大器 Wolfspeed 的 CMPA0060025 是一款基于氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT) 的單片
2023-08-07 10:23:54
5-W；0.5 - 2.7 GHz；50V；用于功率放大器的 GaN MMIC CMPA0527005F 是基于氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT) 的封裝單片微波
2023-08-07 10:16:21
180W 射頻功率 GaN HEMT Wolfspeed 的 CGH40180PP 是一款無與倫比的產品；氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。CGH40180PP；采用
2023-08-07 09:29:54
180W 射頻功率 GaN HEMT Wolfspeed 的 CGH40180PP 是一款無與倫比的產品；氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。CGH40180PP；采用
2023-08-07 09:27:38
120-W；射頻功率 GaN HEMT Wolfspeed 的 CG2H40120 是一款無與倫比的產品；氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT
2023-08-07 09:22:52
120-W；射頻功率 GaN HEMT Wolfspeed 的 CG2H40120 是一款無與倫比的產品；氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。CG2H40120；采用
2023-08-07 09:20:30
通用用途；適用于各種射頻和微波應用的寬帶解決方案。GaN HEMT 效率高；高增益和寬帶寬能力；使 CGH40120 成為線性和壓縮放大器電路的理想選擇。該晶體管
2023-08-07 09:15:24
遷移率晶體管 (HEMT)；高增益和寬帶能力；這使得 CGH21120F 非常適合 1.8 – 2.3 GHz WCDMA 和 LTE 放大器應用。該晶體管采用陶瓷
2023-08-07 09:00:48
25W 射頻功率 GaN HEMTWolfspeed 的 CGH40025 是一款無與倫比的產品；氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。CGH40025；采用 28 伏電源軌運行
2023-08-03 15:59:00
25W 射頻功率 GaN HEMT Wolfspeed 的 CG2H40025 是一款無與倫比的產品；氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。CG2H40025；采用 28
2023-08-03 15:43:09
25W 射頻功率 GaN HEMTWolfspeed 的 CGH40025 是一款無與倫比的產品；氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。CGH40025；采用 28 伏電源軌運行
2023-08-03 15:39:32
25W 射頻功率 GaN HEMT Wolfspeed 的 CG2H40025 是一款無與倫比的產品；氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。CG2H40025；采用 28
2023-08-03 15:08:51
解決方案帶來了極高的附加值。采用GaN技術有助于實現上述目標，隨著該項技術商用步伐的加快，在功率轉換應用中也獲得了廣泛運用。 GaN晶體管與硅基晶體管相比的優點 與硅基晶體管相比，GaN功率晶體管有什么優點呢？GaN在品質因數（
2023-08-03 14:43:28225 15-W；6.0GHz；GaN HEMT 芯片Wolfspeed 的 CGH60015D 是一款氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。與硅或砷化鎵相比，GaN具有更優越的性能；包括
2023-08-03 14:14:18
10W 射頻功率 GaN HEMT Wolfspeed 的 CGH40010 是一款無與倫比的產品；氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。CGH40010；采用 28 伏
2023-08-03 13:44:13
10W 射頻功率 GaN HEMT Wolfspeed 的 CG2H40010 是一款無與倫比的產品；氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。CG2H40010；采用 28
2023-08-03 13:41:45
10W 射頻功率 GaN HEMT Wolfspeed 的 CGH40010 是一款無與倫比的產品；氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。CGH40010；采用 28 伏
2023-08-03 13:39:48
10W 射頻功率 GaN HEMT Wolfspeed 的 CG2H40010 是一款無與倫比的產品；氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。CG2H40010
2023-08-03 13:36:27
10W 射頻功率 GaN HEMTWolfspeed 的 CGH40010 是一款無與倫比的產品；氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。CGH40010；采用 28 伏電源軌運行
2023-08-03 12:01:16
8瓦；6.0GHz；GaN HEMT 芯片Wolfspeed 的 CGH60008D 是一款氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。與硅或砷化鎵相比，GaN具有更優越的性能；包括更高
2023-08-03 11:36:09
6W 射頻功率 GaN HEMT Wolfspeed 的 CGH40006 是一款無與倫比的產品；氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。CGH40006；采用 28 伏電源
2023-08-03 11:33:36
6W 射頻功率 GaN HEMT Wolfspeed 的 CGH40006 是一款無與倫比的產品；氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。CGH40006；采用 28 伏電源
2023-08-03 11:26:41
Wolfspeed 的 CGH40006 是一款無與倫比的產品；氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。CGH40006；采用 28 伏電源軌運行；提供通用用途；適用于各種射頻和微波
2023-08-03 11:23:41
2-W；20 MHz – 6000 MHz；GaN MMIC 功率放大器Wolfspeed 的 CMPA0060002 是一款基于氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT) 的單片
2023-08-03 11:11:41
2-W；20 MHz – 6000 MHz；GaN MMIC 功率放大器Wolfspeed 的 CMPA0060002 是一款基于氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT
2023-08-03 11:07:32
(HBT)
AlgaAs/GaAs 異質結雙極晶體管 (HBT) 用于頻率高達 Ku 頻段的數字和模擬微波應用。HBT 可以提供比硅雙極晶體管更快的開關速度，主要是因為基極電阻和集電極到基板的電容降低
2023-08-02 12:26:53
CMPA2560025F是一種高電子遷移率的氮化鎵（GaN）基于晶體管（HEMT）的單片微波集成電路（MMIC）。與硅或砷化鎵相比，GaN具有優越的性能，包括擊穿電壓越高，飽和電子漂移速度越高導熱性
2023-07-05 15:04:32
1 由于GaN和AlGaN材料中擁有較強的極化效應，AlGaN/GaN異質結無需進行調制摻雜就能在界面處形成高濃度的二維電子氣(2DEG)，在此基礎上發展而來的高電子遷移率晶體管(HEMT)是GaN材料
2023-06-14 14:00:551652 
潤新微電子（Runxin Microelectronics）榮幸推出了最新一代的650V GaN功率晶體管（FET），該產品具備卓越的性能和廣泛的應用領域。 產品特點： 易于使用：650V GaN
2023-06-12 16:38:34688 微波晶體管按功能分類可分為微波低噪聲晶體管和微波大功率晶體管，低噪聲晶體管和大功率晶體管被用于設計低噪聲放大器和功率放大器。
2023-06-09 10:59:271640 
GaN HEMT（高電子遷移率晶體管：High Electron Mobility Transistor）是新一代功率半導體，具有低工作電阻和高抗損性，有望應用于大功率和高頻電子設備。
2023-05-25 15:14:061220 
GaN HEMT 為功率放大器設計者提供了對 LDMOS、GaAs 和 SiC 技術的許多改進。更有利的特性包括高電壓操作、高擊穿電壓、功率密度高達 8W/mm、fT 高達 25 GHz 和低靜態
2023-05-24 09:40:011374 
，達 2,000 cm2/V·s 的 1.3 倍電子遷移率，這意味著與 RDS(ON) 和擊穿電壓相同的硅基器件相比，GaN RF 高電子遷移率晶體管（HEMT）的尺寸要小得多。因此，GaN RF HEMT 的應用超出了蜂窩基站和軍用雷達范疇，在所有 RF 細分市場中獲得應用。
2023-05-19 11:50:49626 
UMS的CHKA012bSYA是款前所未有的封裝形式氮化鎵高電子遷移率晶體管。此電源條為其他射頻電源技術應用提供通用型和光纖寬帶解決方案。CHKA012bSYA特別適合雷達探測和電信網絡等多功能
2023-05-19 11:30:19277 UMS的CHK8101-SYC是款前所未有的封裝氮化鎵高電子遷移率晶體管。CHK8101-SYC為各類射頻功率技術應用提供通用型和寬帶解決方案。CHK8101-SYC特別適合多功能技術應用，例如空間
2023-05-15 11:24:30168 NPTB00004BGaN 功率晶體管，28 V，5 W DC - 6 GHzNPTB00004B GaN HEMT 是一款針對 DC - 6 GHz 操作優化的功率晶體管
2023-04-25 16:42:38
差分放大電路輸入共模信號時
為什么說RE對每個晶體管的共模信號有2RE的負反饋效果
這里說的每個晶體管的共模信號是指什么信號 是指輸入信號 還是指ie1 ie2 uoc ?
另外為什么是負的反饋
2023-04-25 16:15:31
頻率操作的硅基 GaN HEMT D 型晶體管。該器件支持 CW 和脈沖操作，峰值輸出功率水平為 2 W (33 dBm)，采用塑料封裝。MAGX-100027-0
2023-04-25 16:12:40
西門子S7-200電源怎么看是繼電器輸出還是晶體管輸出呢？
2023-04-18 10:08:03
采用晶體管互補對稱輸出時，兩管基極之間有電容相連，為什么？c2有什么用？？
2023-03-31 14:02:55
有沒有負觸發導通正的晶體管呢？哪位大神知道請賜教。謝謝啦！
2023-03-31 11:47:46
我在設計 PCB 時犯了一個錯誤，我的一些晶體管在原理圖上將集電極和發射極調換了。“正常”方式是有 1：基極，2：發射極，3：集電極，但我需要一個晶體管，1：基極，2：集電極，3：發射極。引腳號與此圖像相關：你知道有這種封裝的晶體管嗎？我知道我可以將它倒置并旋轉，但我想知道我是否可以正確使用一個。
2023-03-28 06:37:56
電子發燒友App
工商網監
評論