我將一個(gè)數(shù)組定義在SRAM2中，另一個(gè)數(shù)組定義在CCM中，我可以利用memcpy這個(gè)函數(shù)來(lái)將SRAM2里的數(shù)據(jù)拷貝到CCM中嗎。
因?yàn)槲铱纯偩€矩陣圖，CCM的D-BUS和SRAM2并無(wú)交集，是不是也就意味著這兩塊內(nèi)存互相無(wú)法進(jìn)行交互呢？
2024-03-06 08:21:14
如下圖所示，GD32F4系列內(nèi)部SRAM分為通用SRAM空間和TCMSRAM空間，其中通用SRAM為從0x20000000開始的空間，TCMSRAM為從0x10000000開始的64KB空間。大家
2024-02-24 09:43:16
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你好 tms570能夠直接跑在sram上嗎？
從flash加載程序1之后，程序1把程序2搬移到sram中，然后在sram中運(yùn)行程序。TMS570支持這樣運(yùn)行不？
2024-01-19 09:24:49
您能告訴我 PSoC? 4中SRAM陣列的數(shù)據(jù)保持電壓?jiǎn)幔?我想知道在 VDD 電源電壓下降或上升時(shí) SRAM 可以保留數(shù)據(jù)的最小電壓。
MPN： PSoC? 4100S Max/CY8C4148AZI-S555
2024-01-19 06:08:12
要求14bit的ADC就要有14bit的有效位，但即便是1mv的底噪，也把有效位吃掉了4bit。
我覺得我這樣理解問(wèn)題可能有誤區(qū)，但又不太清楚問(wèn)題出在哪里，或許板子的底噪根本不需要1mv這么小，就可以解決問(wèn)題。
2024-01-09 07:45:19
已用這種模式成功驅(qū)動(dòng)了一些psram，但是SRAM始終驅(qū)動(dòng)不了。
SRAM驅(qū)動(dòng)架構(gòu)
XMC復(fù)用模式讀時(shí)序，其中一個(gè)HCLK=4.16ns（240Mhz）
SRAM讀時(shí)序參數(shù)
SRAM讀時(shí)序圖
XMC
2024-01-04 10:46:19
LTC6812這款芯片是否必須有控制芯片與它進(jìn)行通訊才能使能它的被動(dòng)均壓功能？目前做產(chǎn)品研發(fā)，很多被動(dòng)均壓都是采用電壓檢測(cè)器，在充電過(guò)充的時(shí)候，就能自動(dòng)開啟均壓，而不用控制芯片給從板下達(dá)指令。但是
2024-01-04 07:31:40
人工智能芯片通常使用 SRAM 存儲(chǔ)器作為緩沖器（buffers），其可靠性和速度有助于實(shí)現(xiàn)高性能。
2024-01-03 17:16:041432 
人工智能時(shí)代對(duì)計(jì)算芯片的算力和能效都提出了極高要求。存算一體芯片技術(shù)被認(rèn)為是有望解決處理器芯片“存儲(chǔ)墻”瓶頸，大幅提升人工智能算力能效和算力密度的關(guān)鍵技術(shù)和重要解決方案。SRAM存算一體芯片技術(shù)由于
2024-01-02 11:02:36948 
某客戶使用 STM32G071 芯片從 standby 模式下喚醒，想要 SRAM 的數(shù)據(jù)在退出 standby模式后得以保持。根據(jù)手冊(cè)的描述，配置了相應(yīng)的比特位，但是發(fā)現(xiàn)數(shù)據(jù)仍然保持不了。
2023-12-20 09:31:27374 
大功率LED串并聯(lián)使用,YB8620采用固定關(guān)斷時(shí)間的峰值電流控制方式，其工作頻率最高可達(dá)1MHz，可使外部電感和濾波電容體積減小，效率提高，節(jié)省PCB面積。在EN端加PWM信號(hào)，可調(diào)節(jié)LED燈的亮度
2023-12-18 15:08:43
SRAM (Static Random Access Memory)是一種高速、隨機(jī)訪問(wèn)的存儲(chǔ)器，它以其快速的讀寫操作和不需要刷新的特點(diǎn)而受到廣泛使用。本文將詳細(xì)介紹SRAM的讀寫電路設(shè)計(jì)
2023-12-18 11:22:39496 西門子 EDA的內(nèi)存技術(shù)專家Jongsin Yun說(shuō)， SRAM 的微縮滯后于邏輯收縮，主要是由于最新技術(shù)中嚴(yán)格的設(shè)計(jì)規(guī)則。過(guò)去，我們對(duì) SRAM 有單獨(dú)的設(shè)計(jì)規(guī)則，這使我們能夠比基于邏輯晶體管
2023-12-15 09:43:42175 各位前輩！鄙人是位電機(jī)修理員，在修電動(dòng)機(jī)重繞繞組時(shí)，繞組的總有效面積可大可小嗎（在一定范圍內(nèi)）它要遵循什么樣的原則和標(biāo)準(zhǔn)？？求解！！
2023-12-11 06:32:01
SRAM是采用CMOS工藝的內(nèi)存。自CMOS發(fā)展早期以來(lái)，SRAM一直是開發(fā)和轉(zhuǎn)移到任何新式CMOS工藝制造的技術(shù)驅(qū)動(dòng)力。
2023-12-06 11:15:31635 pcb線路板功能有哪些
2023-11-28 15:09:353399 總的來(lái)說(shuō)，非接觸精密潔凈設(shè)備在芯片領(lǐng)域的應(yīng)用廣泛且必要，能夠?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">芯片制造過(guò)程提供有效的除塵清潔解決方案，提高產(chǎn)品的良率，節(jié)省人工成本，為企業(yè)實(shí)現(xiàn)降本增效的目的。
2023-11-22 10:29:43140 在農(nóng)業(yè)中，通常希望獲取不同土地的面積。雖然獲取這些土地的面積操作相對(duì)容易，但是卻涉及高額的費(fèi)用。另外，如果對(duì)于不規(guī)則形狀的土地，測(cè)量土地面積的大小就變得相對(duì)困難。
2023-11-14 11:24:06291 SRAM 的數(shù)量是任何人工智能處理解決方案的關(guān)鍵要素，它的數(shù)量在很大程度上取決于您是在談?wù)摂?shù)據(jù)中心還是設(shè)備，或者是訓(xùn)練還是推理。但我想不出有哪些應(yīng)用程序在處理元件旁邊沒有至少大量的 SRAM，用于運(yùn)行人工智能訓(xùn)練或推理。
2023-11-12 10:05:05452 芯嶺技術(shù)的XL2401D是一顆2.4G合封芯片，收發(fā)一體。合封芯片可以很好的 節(jié)省PCB面積和開發(fā)成本。一顆芯片可以做到之前兩顆芯片才能做到的事情。 XL2401D內(nèi)含MCU為九齊NY8A054E
2023-11-10 17:15:02297 
芯嶺技術(shù)的XL2401D是一顆2.4G合封芯片，收發(fā)一體。合封芯片可以很好的節(jié)省PCB面積和開發(fā)成本。
2023-11-10 17:13:38380 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《華為TD-LTE智能有源天線有效破解天面受限難題.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-11-10 14:06:19
0 芯嶺技術(shù)的XL2401D是一顆2.4G合封芯片，收發(fā)一體。合封芯片可以很好的節(jié)省PCB面積和開發(fā)成本。一顆芯片可以做到之前兩顆芯片才能做到的事情。XL2401D內(nèi)含MCU為九齊NY8A054E。有九齊MCU開發(fā)經(jīng)驗(yàn)的話開發(fā)起來(lái)非常容易上手。
2023-11-09 15:47:41268 
以下一些方法： 1. 縮小環(huán)路面積：環(huán)路電感與電流路徑所圍成的面積成正比，因此縮小環(huán)路面積可以有效減小環(huán)路電感。在進(jìn)行PCB布線時(shí)，可以采用緊湊布局，盡量減小信號(hào)線和電源線的共線長(zhǎng)度，避免并行走線等方式來(lái)減小環(huán)路面積。
2023-11-09 09:30:151415 穿心電容與普通電容的區(qū)別？穿心電容為何能有效地濾除高頻噪聲？ 穿心電容是一種特殊的電容器件，其具有針對(duì)高頻噪聲非常有效的濾波功能。相比普通電容，穿心電容具有不同的結(jié)構(gòu)和材料，這是其能夠有效地濾除高頻
2023-11-01 15:00:18750 PSRAM/SRAM與XMC硬件連接的推薦方法描述了在AT32系列100引腳封裝芯片上以XMC連接PSRAM的硬件推薦方法，達(dá)到器件容易取得及價(jià)格合理的目標(biāo)。
2023-10-24 06:17:32
如何修改AT32的SRAM空間大小如何修改SRAM大小？
2023-10-20 07:39:21
AT32 部分型號(hào)有零等待閃存和非零等待閃存，程序在零等待閃存執(zhí)行速度比在非零等待閃存執(zhí)行速度快，如果有函數(shù)對(duì)執(zhí)行速度有要求，可以將該函數(shù)加載到零等待區(qū)執(zhí)行。當(dāng)零等待閃存使用完后，如果還有函數(shù)對(duì)執(zhí)行速度有要求，可以將該函數(shù)加載到 SRAM 執(zhí)行，前提是SRAM 還有足夠的空間存放該函數(shù)代碼。
2023-10-20 06:10:59
解決途徑和方法，對(duì)提高芯片粘接強(qiáng)度和粘接可靠性具有參考價(jià)值。文章還指出了芯片粘接強(qiáng)度測(cè)試過(guò)程中的一些不當(dāng)或注意點(diǎn)及其影響，并對(duì)不當(dāng)?shù)臏y(cè)試方法給出了改進(jìn)方法，能有效地避免測(cè)試方法不當(dāng)帶來(lái)的誤判。
2023-10-18 18:24:02395 
掉電后還能讀取到SRAM的數(shù)據(jù)嗎
2023-10-15 09:24:03
、輸出功率1~2W的隔離電源。
VPS6501芯片內(nèi)部集成振蕩器，提供一對(duì)高精度互補(bǔ)信號(hào)以驅(qū)動(dòng)兩個(gè)N溝道MOSFET。芯片內(nèi)部按照對(duì)稱結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，能有效確保兩個(gè)功率MOSFET的高度對(duì)稱性，避免電路在工作過(guò)程發(fā)生偏磁。芯片內(nèi)部設(shè)計(jì)有高精度的死區(qū)控制電路確保在各種工作條件下不出現(xiàn)共通現(xiàn)象。
2023-10-12 09:52:32
、輸出功率1~~3W的隔離電源。
VPS8505芯片內(nèi)部集成振蕩器，提供一對(duì)高精度互補(bǔ)信號(hào)以驅(qū)動(dòng)兩個(gè)N溝道MOSFET。芯片內(nèi)部按照對(duì)稱結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，能有效確保兩個(gè)功率MOSFET的高度對(duì)稱性，避免電路在
2023-10-12 09:49:26
、輸出功率13W的隔離電源。
VPS8504C內(nèi)部集成振蕩器，提供一對(duì)高精度互補(bǔ)信號(hào)以驅(qū)動(dòng)兩個(gè)N溝道MOSFET。芯片內(nèi)部按照對(duì)稱結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，能有效確保兩個(gè)功率MOSFET的高度對(duì)稱性，避免電路在工作
2023-10-12 09:43:02
相信大家日常開發(fā)過(guò)程中，一個(gè)優(yōu)秀的程序猿寫出的代碼一定要節(jié)省空間的，比如節(jié)省內(nèi)存，節(jié)省磁盤等等。那么如何通過(guò)設(shè)計(jì)模式來(lái)節(jié)省內(nèi)存呢？ 1、什么是享元模式？ Use sharing to support
2023-10-09 10:31:58271 
硬件面試的時(shí)候，看到應(yīng)聘者簡(jiǎn)歷上寫著，有過(guò)AMD工作或?qū)嵙?xí)經(jīng)歷，熟悉CPU和內(nèi)存。于是我問(wèn)，那請(qǐng)你畫一下SRAM和DRAM的基本cell出來(lái)，然后簡(jiǎn)要說(shuō)一下工作原理及特點(diǎn)，但是沒能說(shuō)出來(lái)。
2023-10-01 14:08:002375 
如何提高SRAM的讀取速度
2023-09-28 06:28:57
散射截面積（RCS）是指與一個(gè)直徑為1.128米的完全導(dǎo)電球體的倍數(shù)。這個(gè)球體具有1平方米的可見表面，但對(duì)于后向散射來(lái)說(shuō)，其有效面積較小。
2023-09-20 09:25:041200 
使用MM32F3270 FSMC驅(qū)動(dòng)SRAM
2023-09-18 16:29:50918 
應(yīng)用程序: 此示例代碼使用 M032 在 SRAM 中運(yùn)行 ISR 。
BSP 版本: M031_Series_BSP_CMSIS_V3.03.000
硬件: NuMaker-M032SE
2023-08-31 09:21:19
電源等。它能有效地管理和分配電源，保證車載電子設(shè)備的正常運(yùn)行。據(jù)Oppenheimer統(tǒng)計(jì)，模擬電路在汽車芯片中占比29%，其中53%為信號(hào)鏈芯片，47%為電源管理芯片。（相關(guān)公司：圣邦股份、矽力杰
2023-08-25 11:32:31
應(yīng)用: EBI SRAM 上的高空空間
BSP 版本: NUC472/NUC442系列BSP CMSIS v3.03.000
硬件: nuvoton 核 NUC472 演示委員會(huì)V1.0
2023-08-23 06:35:44
讓一顆SRAM型FPGA在太空長(zhǎng)期穩(wěn)定運(yùn)行的難度，就類似練成獨(dú)孤九劍的難度。
2023-08-15 10:36:081898 
SRAM型FPGA屬于核心元器件，因此對(duì)SRAM型FPGA進(jìn)行抗輻照加固設(shè)計(jì)非常必要。今天貧道主要給大家布道一下SRAM型FPGA在軌會(huì)遇到的問(wèn)題及其影響。
2023-08-11 10:32:461086 
SRAM型FPGA屬于核心元器件，因此對(duì)SRAM型FPGA進(jìn)行抗輻照加固設(shè)計(jì)非常必要。今天貧道主要給大家布道一下SRAM型FPGA在軌會(huì)遇到的問(wèn)題及其影響。
2023-08-11 10:30:451264 
的可配置，允許您根據(jù)嵌入式應(yīng)用程序定制硬件。這個(gè)ARM946E-S提供完整的高性能處理器解決方案在芯片復(fù)雜性和面積、芯片系統(tǒng)設(shè)計(jì)、電源方面節(jié)省了大量成本消費(fèi)和上市時(shí)間
2023-08-08 07:33:30
嵌入式應(yīng)用程序定制硬件。ARM946E-S提供了一個(gè)完整的高性能處理器解決方案，在芯片復(fù)雜性和面積、芯片系統(tǒng)設(shè)計(jì)、功耗和上市時(shí)間方面都有相當(dāng)大的節(jié)省。
2023-08-02 17:50:31
本次操作的SRAM的型號(hào)是IS62WV51216，是高速，8M位靜態(tài)SRAM。它采用ISSI（Intergrated Silicon Solution, Inc）公司的高性能CMOS技術(shù)，按照512K個(gè)字（16）位進(jìn)行組織存儲(chǔ)單元。
2023-07-22 14:58:561092 
數(shù)碼管溫度顯示、溫度采集、語(yǔ)音播報(bào)功能 為一體的工業(yè)級(jí)語(yǔ)音擴(kuò)展芯片：NV080C-S8，能節(jié)省60%的MCU開發(fā)成本，讓復(fù)雜變得簡(jiǎn)單； 為何說(shuō)NV080D-S8，能節(jié)省60%的MCU開發(fā)成本？ NV080C-S8，采用sop8封裝形式，擁有8個(gè)I/O口擴(kuò)展資源，能為產(chǎn)品定制更多個(gè)性
2023-07-17 17:21:44197 
IP_數(shù)據(jù)表(M-1):SRAM and TCAM
2023-07-06 20:12:090 PID調(diào)節(jié)屬于閉環(huán)控制，是過(guò)程控制中應(yīng)用得相當(dāng)普遍的一種控制方式。PID控制是使控制系統(tǒng)的被控物理量能夠迅速而準(zhǔn)確地盡可能接近控制目標(biāo)的一種手段。 一、如何使變頻器的PID控制功能有效 要實(shí)現(xiàn)閉環(huán)
2023-06-26 14:17:122660 
整流電壓控制，有效提升了芯片的瞬態(tài)響應(yīng)及系統(tǒng)效率。IP6833采用QFN28（4mm*4mm）極小封裝，配合外圍精簡(jiǎn)的應(yīng)用電路，極大的節(jié)省了PCB占板面積，可以方
2023-06-25 14:59:565 氮化鎵(GaN)的重要性日益凸顯，增加。因?yàn)樗c傳統(tǒng)的硅技術(shù)相比，不僅性能優(yōu)異，應(yīng)用范圍廣泛，而且還能有效減少能量損耗和空間的占用。在一些研發(fā)和應(yīng)用中，傳統(tǒng)硅器件在能量轉(zhuǎn)換方面，已經(jīng)達(dá)到了它的物理
2023-06-15 15:47:44
正確使用儀器能有效的節(jié)省時(shí)間成本，提高工作效率，正如磨刀不如砍柴工。
2023-06-13 14:50:26
幾乎每個(gè)網(wǎng)站都面臨風(fēng)險(xiǎn)，無(wú)論是簡(jiǎn)單的博客論壇、投資平臺(tái)、小型的獨(dú)立電商網(wǎng)站還是動(dòng)態(tài)電子商務(wù)平臺(tái)。
為什么有人會(huì)入侵這些網(wǎng)站？
黑客如何來(lái)入侵這些網(wǎng)站？
如何才能有效保護(hù)我的網(wǎng)站不被攻擊？
2023-06-13 09:36:21790 
速度-面積互換原則是貫穿FPGA設(shè)計(jì)的重要原則：速度是指工程穩(wěn)定運(yùn)行所能達(dá)到的最高時(shí)鐘頻率，通常決定了FPGA內(nèi)部寄存器的運(yùn)行時(shí)序；面積是指工程運(yùn)行所消耗的資源數(shù)量，通常包括觸發(fā)器
2023-06-09 09:36:37798 
一般來(lái)說(shuō)，面積是一個(gè)設(shè)計(jì)所消耗的目標(biāo)器件的硬件資源數(shù)量或者ASIC芯片的面積。
2023-06-05 15:46:05778 
我在網(wǎng)上讀到 LDMOS 晶體管需要具有高電阻才能有效，他們提到 MegaOhms，我在 gs 上的讀數(shù)是 1.9 KOhms，在 ds 上是 137KOhms，mosfet 在板上。假設(shè)您了解什么是 MRFE6VS25N 的電阻。
2023-06-05 09:02:14
（Flexible Memory Controller）模塊，將SRAM地址范圍映射到外部地址線上，然后通過(guò)外部總線訪問(wèn)SRAM，實(shí)現(xiàn)對(duì)該區(qū)域的訪問(wèn)。需要注意的是，還需要在代碼中正確配置FMC控制器和外部存儲(chǔ)器的類型、時(shí)序等參數(shù)，才能保證數(shù)據(jù)的正確讀寫。
2023-06-01 18:18:45382 賽普拉斯CY7C1041GN是一款高性能CMOS異步快速快速SRAM，由256K字16位組成。通過(guò)斷言芯片使能（CE）和寫入使能（WE）輸入LOW來(lái)執(zhí)行數(shù)據(jù)寫入，同時(shí)在I/O0到I/O15上提供數(shù)據(jù)，在A0到A17引腳上提供地址。
2023-05-31 17:18:55388 隨著新一代5G網(wǎng)絡(luò)、IoT物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)和AI人工智能技術(shù)的迅猛發(fā)展，小型化已成為筆電服務(wù)器、智能穿戴、智能家居等各種電子產(chǎn)品最重要的發(fā)展趨勢(shì)之一。中微愛芯可提供采用XSON、QFN、SOT等小封裝的邏輯芯片，可最大程度地減少外部元器件尺寸，節(jié)省PCB的寶貴空間。
2023-05-31 09:34:23642 
: *** [makefile:266: main.elf] 錯(cuò)誤 1
在查看數(shù)據(jù)表后，我已經(jīng)將 sram 區(qū)域從默認(rèn)的 28KB 擴(kuò)展到 34KB。如果我將另一個(gè) 1KB 擴(kuò)展到 35KB，我會(huì)
2023-05-19 08:31:12
。
參考手冊(cè)上說(shuō)寄存器CHIPCTL SRAMU_RETE=0，SRAM_U在軟復(fù)位后保存，SRAMU_RETE默認(rèn)值為1。請(qǐng)問(wèn)這個(gè)SRAMU_RETE這個(gè)位在軟復(fù)位后如何保持當(dāng)前值。
2023-05-17 09:00:10
TI德州儀器ADS1281是一款非常高性能的單芯片模數(shù)轉(zhuǎn)換器（ADC），專為能源勘探和地震監(jiān)測(cè)環(huán)境的苛刻需求而設(shè)計(jì)。單芯片設(shè)計(jì)可節(jié)省板面積，以改善高密度應(yīng)用。
2023-05-12 16:38:07481 我們正在使用 iMXRT1176。我們的要求是使用片上SRAM和QSPI flash。
我們在 SDK 中使用 sd_jpeg 示例并且它運(yùn)行完美。
給出了兩個(gè) icf 文件：
1) 內(nèi)存
2023-05-05 06:38:08
接地就是讓已經(jīng)納入防雷系統(tǒng)的閃電能量泄放入大地，良好的接地才能有效地降低引下線上的電壓,避免發(fā)生反擊。
2023-05-04 11:50:07662 如何使用 QDR(TM) II SRAM 和 DDR II SRAM 用戶手冊(cè)
2023-04-27 20:25:406 EMI Serial SRAM是為串行接口的SRAM，外擴(kuò)SRAM可以通過(guò)使用SPI的接口來(lái)將外部RAM添加到幾乎所有應(yīng)用中。串行訪問(wèn)的靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器采用先進(jìn)的CMOS技術(shù)進(jìn)行設(shè)計(jì)和制造，以提供高速性能和低功耗。
2023-04-27 17:37:44615 
用FPGA往SRAM芯片中寫數(shù)據(jù)重復(fù)寫多次才能寫是怎么回事呢？
2023-04-23 11:46:44
我正在使用 S32k358 uC，我想禁用內(nèi)存區(qū)域的數(shù)據(jù)緩存。在框圖中，我看到樹形 SRAM 塊 SRAM0、SRAM1、SRAM2。是否可以禁用 SRAM2 的數(shù)據(jù)緩存并保留 SRAM 0 和 SRAM1 的數(shù)據(jù)緩存？
2023-04-23 08:01:09
它們時(shí)，SRAM 溢出再次發(fā)生。與 CAN 模塊無(wú)關(guān)。如果我嘗試更改 RTC、FLEXCOM 或任何其他模數(shù)，我會(huì)得到同樣的錯(cuò)誤。在第一次設(shè)置后，在項(xiàng)目上安裝某些驅(qū)動(dòng)程序時(shí)也會(huì)發(fā)生同樣的情況。也許這是 MCUXPRESSO 中的錯(cuò)誤？有人得到了類似的東西，我能幫忙嗎？
2023-04-20 09:06:04
，并且 CE# 設(shè)置時(shí)間不能為 0。 有沒有辦法正確連接這些芯片？此外，我正在查看許多 SRAM 芯片，它們都需要地址在芯片啟用變低時(shí)有效。這就提出了 iMX RT1024 波形是否有效以及與 SRAM 的正確通信應(yīng)該是什么樣子的問(wèn)題。
2023-04-17 07:52:33
雖然dc也有report_area -hier命令來(lái)報(bào)告各級(jí)模塊的面積，本python方案看似有點(diǎn)造輪子，但還是有一定的便利性。一、不受網(wǎng)表類型的限制，綜合網(wǎng)表、DFT網(wǎng)表、APR都可以。二、可以
2023-04-16 09:25:43584 芯片：MIMXRT1176DVMAA芯片上有幾個(gè)SRAM。但是當(dāng)SRAM_ITC_cm7用完時(shí)它不會(huì)使用下一個(gè)SRAM。我如何在不使用“__attribute__”的情況下使用所有8個(gè)SRAM，而是
2023-04-14 08:01:47
LTC?3675 是一款節(jié)省空間的單芯片電源解決方案，適用于采用單節(jié)鋰離子電池運(yùn)行的多電源軌應(yīng)用。其 4mm × 7mm QFN 包含兩個(gè) 500mA 降壓穩(wěn)壓器、兩個(gè) 1A 降壓穩(wěn)壓器、一個(gè) 1A
2023-04-13 10:34:33621 
機(jī)器學(xué)習(xí)和人工智能有什么區(qū)別？當(dāng)今唯一可用的軟件選項(xiàng)是 ML 系統(tǒng)。在十年左右的時(shí)間里，當(dāng)計(jì)算能力和算法開發(fā)達(dá)到可以顯著影響結(jié)果的地步時(shí)，我們將見證第一個(gè)真正的人工智能。是人工智能軟件嗎？軟件構(gòu)成
2023-04-12 08:21:03
我非常需要有關(guān) SRAM - SEMC 中異步模式工作邏輯的信息。我無(wú)法從 RM 獲得所需的相關(guān)信息。你能請(qǐng)口頭定義或文件嗎？只有下面的圖片能夠給我一些見解。 我只是想決定在我的場(chǎng)景中是應(yīng)該使用 SYNC 還是 ASYNC 模式。我需要更多信息才能做到這一點(diǎn)。
2023-04-07 13:28:31
SRAM可以分為低速、中速、高速。===========================================================16位寬的SRAM//16BITSRAM指針
2023-04-06 15:13:03554 
前兩期，我們分別對(duì)OTP和MTP，RAM和ROM進(jìn)行了比較。這一次，我們來(lái)談?wù)凪emory Compiler，以及通過(guò)它生成的Register file和SRAM。
2023-03-31 10:56:378516 今天就帶你詳細(xì)了解一下到底什么是SRAM，在了解SRAM之前，有必要先說(shuō)明一下RAM：RAM主要的作用就是存儲(chǔ)代碼和數(shù)據(jù)供CPU在需要的時(shí)候調(diào)用。
2023-03-30 14:11:51587 
控制器在 IMXRT 中使用和實(shí)現(xiàn) SRAM？問(wèn)題 3：能否請(qǐng)您與我分享 SEMC 控制器使用 SRAM 的示例代碼？
2023-03-30 07:11:18
嗨恩智浦專家，我知道 MIMXRT1xxx 能夠在 ITCM 中運(yùn)行 hello_world 但是 MIMXRT595 中沒有 ITCM 只有 SRAM。MIMXRT595-EVK是否可以在SRAM中運(yùn)行hello_world zephyr示例？
2023-03-30 06:38:30
將 u-boot 代碼復(fù)制到 SRAM。但我知道我必須在鏈接器中啟用 __RAM_INIT 標(biāo)志才能初始化 ECC。如果不是，則在我將u-boot代碼復(fù)制到SRAM時(shí)出現(xiàn)異常。那是正常癥狀嗎？3) 啟動(dòng)時(shí)
2023-03-27 09:15:16
FAULT 處理程序應(yīng)從 SRAM 執(zhí)行。（硬故障處理程序應(yīng)啟動(dòng)全芯片 復(fù)位）從深度睡眠中喚醒似乎與硬故障處理程序在閃存中而不是在 SRAM 中一起工作，但對(duì)于其他一些掉電模式來(lái)說(shuō)可能有所不同？
2023-03-27 06:22:28
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