閉環霍爾電流傳感器

下圖為前文介紹過的開環霍爾電流傳感器的結構圖，待測電流Ip建立起磁芯內的磁場后，通過霍爾元件感應出的霍爾電壓來測量電流值大小；它對外輸出的是一個電壓模擬量。

而閉環霍爾電流傳感器是基于開環原理，然后引入了補償電路；通過磁芯的有兩部分電流：原邊待測電流與副邊補償電流；原邊待測電流就是指電池流經母線銅排中的大電流，而副邊補償電流是由閉環霍爾電流傳感器內部產生的，流經磁芯上的副邊線圈。

具體地，霍爾元件感應出來的霍爾電壓并沒有直接用于測量，而是霍爾電壓通過放大電路后產生了一個副邊電流，這個副邊電流流過纏繞在磁芯上的線圈，然后通過采樣電阻Rm流到地。這樣的話副邊電流也會在磁芯中產生一個磁場，并且設計讓這個磁場與原邊待測電流產生的磁場方向相反，強度相等，那么總磁通量為0，即霍爾元件處于0磁通的環境中。

接下來，當霍爾元件中的磁通為0后，就會得到如下公式，通過測量Is，即可得到Ip；Ns一般為1000～5000，Is一般為25mA～300mA左右。

磁通門電流傳感器（Fluxgate）

磁通門電流傳感器才是我們經常遇到的產品，如LEM的CAB系列。

磁通門電流傳感器又可以分為幾種，例如標準型、C－type、IT－type、低頻型等，這里介紹比較基本的標準型磁通門原理。

標準型的磁通門電流傳感器結構很類似閉環霍爾結構，如下圖所示，只是在磁芯的氣隙處放置的不是霍爾元件，而是一個磁通門的傳感器，即可飽和電感。

具體地，在結構上同樣有原邊待測電流Ip（母線中電流），副邊反饋電流Is（副邊線圈中），同樣地，只要讓氣隙中的總磁通量為0，根據下式可以計算出Ip：

此方案的原理框圖如下，前面我們知道了計算電流Ip的方法，即調節副邊電流Is，使得氣隙處的總磁通量為0，即可得出Ip；那么，我們怎么實時檢測氣隙處的磁通量，然后調節磁通量為0呢？

這里在氣隙處應用了可飽和電感作為探頭來識別氣隙處的磁通量，它是由磁芯與線圈組成的電感探頭。

進一步地，氣隙處的磁通量大小會影響這個探頭的電感量（探頭的電感量是受外部磁場影響而變化的），我們只要區別出磁通量為0時的電感大小與磁通量不為0時的電感大小即可。

那么怎么來識別不同磁通量下的電感大小呢？

一種方案是，在電感探頭的線圈中通過一個電流Isi（兩端施加一個電壓源u（t）），它產生的磁通與外部氣隙的總磁通（包括了IpIs二者引起的磁通）疊加后作用于電感探頭的磁芯上，這個累加后的磁通量會影響電感探頭的感量，而電感量與電流大小又相關，所以只要知道Isi的電流怎么受到氣隙處的磁通影響就OK了。

省略中間的一些理論性的分析過程，當氣隙處的總磁通量為0時，電感探頭中的電流如下圖，其中虛線代表施加在探頭兩端的方波電壓u（t），實線為電流值i（t）。

當氣隙處的總磁通量不為0時，電感探頭中的電流波形如下圖：所以我們通過檢測這個電流值，就可以等效判斷出氣隙處的總磁通量是否為0，然后通過調整副邊線圈中的電流Is，來使得氣隙處的總磁通量為0。

總結：

在分析過程中可能省略了一些過程的推導，但整個表述的邏輯是嚴謹的，大家可以自行查找一下更深入的解釋；以上所有，僅供參考。
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