1.前言

　　壓電晶體的壓電效應(yīng)和逆壓電效應(yīng)在科學(xué)技術(shù)領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用。壓電晶體作為基片制備出的聲表面器件因其優(yōu)良的電性能，易于實(shí)現(xiàn)器件小型化，被廣泛的應(yīng)用于通訊，雷達(dá)，導(dǎo)航等。近年來(lái)，新型壓電晶體材料A3BC3D2O14硅酸鎵鑭結(jié)構(gòu)晶體在聲表面波、體表面波濾波器以及傳感器等方面得到了廣泛的應(yīng)用。鎵鑭系列材料如La3Ga5.5Nb0.5O14（LGN）、La3Ga5.5Ta0.5O14（LGT）和La3Ga5SiO14（LGS）具有聲表面波速度小，機(jī)電耦合系數(shù)大等特點(diǎn)，有利于制備器件的小型化。另外，這類(lèi)晶體的熔點(diǎn)很高，在高溫下比較穩(wěn)定，可以用來(lái)制備高溫傳感器，濾波器。

　　2.聲表面波濾波器的基本結(jié)構(gòu)

　　2.1 聲表面波濾波器基本結(jié)構(gòu)

　　聲表面波濾波器的基本結(jié)構(gòu)如圖1所示，它是在壓電基片上制備出輸入電聲換能器和輸出聲電換能器。

　　2.2 聲表面波傳輸原理

　　輸入叉指換能器將電信號(hào)轉(zhuǎn)換為聲信號(hào)，在基片表面上傳播，經(jīng)過(guò)一定的延遲后，輸出叉指換能器再將聲信號(hào)轉(zhuǎn)換為電信號(hào)輸出。濾波的過(guò)程是在電轉(zhuǎn)聲和聲轉(zhuǎn)電的過(guò)程中實(shí)現(xiàn)的。所以我們可以將聲表面波濾波器等效的看作一個(gè)兩端口的無(wú)源網(wǎng)絡(luò)，如圖2所示。

　　圖中H1（ω）表示的是輸入叉指換能器的頻率響應(yīng)，H2（ω）表示的是輸出叉指換能器的頻率響應(yīng)，H3（ω）表示的是聲表面波在兩叉指換能器之間的傳輸特性。假設(shè)聲表面波的波速為Vs，由于Vs是非色散性的，所以H3（ω）可等效的看作一個(gè)有一定延時(shí)t0的時(shí)延網(wǎng)絡(luò)。輸入換能器和輸出叉指換能器中心間距離為L(zhǎng)，則有：

　　式中A3為常數(shù)，一般情況下記為1.因此，聲表面波濾波器總的傳輸函數(shù)為：

　　H（ω）=H1（ω）H2（ω）H3（ω）

　　根據(jù)傅里葉變換特性，考慮到|H（ω）≈1，因此，不計(jì)入H（ω）。則聲表面波濾波器的頻率響應(yīng)為：

　　H（ω）=H1（ω）H2（ω）

　　對(duì)應(yīng)的脈沖響應(yīng)h（t）為：

　　h（t）=h1（t）*h2（t）

　　其中h1（t）和h2（t）分別表示輸入換能器和輸出叉指換能器的脈沖時(shí)間響應(yīng)。

　　3.結(jié)果與分析

　　我們選定叉指換能器的壓電基片是LGS晶體（0，138.5o，26.8o），其中自由表面相速度vs=2734m/s，k2=0.34%，PFA=0，γ=-1.17，TCF≈0，聲孔徑3mm，金屬電極寬度與IDT周期比2w/p=0.5，k2=0.34%，η=0.8472422，Cs=0.964F/m，h0=1.8883F/m.我們將其中輸入IDT設(shè)計(jì)為：指對(duì)為28（等間距），孔徑為45個(gè)波長(zhǎng)。輸出IDT指對(duì)為40（等間距），孔徑為60個(gè)波長(zhǎng)，兩者相隔20個(gè)波長(zhǎng)的距離。依我們計(jì)算了IDT的頻率特性響應(yīng)曲線(xiàn)，并與石英制備的聲表面波濾波器的結(jié)果進(jìn)行對(duì)比，計(jì)算結(jié)果如圖3所示。

　　從圖3可以看出，LGS制備的SAWF比石英制備的SAWF的插入損耗要小很多，證明了LGS用于制備聲表面波器件方面占優(yōu)勢(shì)，易于器件的小型化。

　　4.結(jié)論

　　這款LGS晶體聲表面波濾波器，計(jì)算了濾波器的頻率響應(yīng)特性，并與石英晶體濾波器的頻率特性響應(yīng)進(jìn)行了比較，得出了LGS的SAWF比石英SAWF的插入損耗要小很多，證明了LGS用于制作SAWF方面更具優(yōu)勢(shì)，并計(jì)算了聲表面波濾波器的頻率響應(yīng)特性，與石英進(jìn)行比較，為聲表面波器件的制備打下理論基礎(chǔ)，是非常有誘惑力的SAW濾波器新材料。