許多應用都采用隔離式半橋柵極驅(qū)動器來控制大量功率，從要求高功率密度和效率的隔離式DC-DC電源模塊，到高隔離電壓和長期可靠性至關(guān)重要的太陽能逆變器等等，不一而足。本文將詳細闡述這些設(shè)計理念，以展現(xiàn)采用小型封裝的隔離式半橋柵極驅(qū)動器IC在造就高性能方面的卓越能力。

采用光耦合器隔離的基本半橋驅(qū)動器（如圖1所示）以極性相反的信號來驅(qū)動高端和低端N溝道MOSFET（或IGBT）的柵極，由此來控制輸出功率。驅(qū)動器必須具備低輸出阻抗以減少傳導損耗，同時還須具有快速開關(guān)能力以減少開關(guān)損耗。出于精度和效率的考慮，高端和低端驅(qū)動器需要具備高度匹配的時序特性，以便減少在半橋的第一個開關(guān)關(guān)閉，第二個開關(guān)開啟前的停滯時間。

圖1. 高壓半橋柵極驅(qū)動器

如圖所示，這種功能的一種常規(guī)實現(xiàn)方式是用一個光耦合器進行隔離，其后用一個高壓柵極驅(qū)動器IC。這種電路的一個潛在不足，就是單隔離輸入通道依賴高壓驅(qū)動器電路來實現(xiàn)所需要的通道間時序匹配和停滯時間。另一問題是，高壓柵極驅(qū)動器并無電流隔離，而是依賴IC的結(jié)隔離來分離高端驅(qū)動電壓和低端驅(qū)動電壓。在低端開關(guān)事件中，電路中的寄生電感可能導致輸出電壓 VS降至地電壓以下。發(fā)生這種情況時，高端驅(qū)動器可能發(fā)生閂鎖，并永久性損壞。

光耦合器柵極驅(qū)動器

另一種方法（如圖2所示）利用兩個光耦合器和兩個柵極驅(qū)動器來實現(xiàn)輸出之間的電流隔離，從而避免了高端-低端交互作用的問題。柵極驅(qū)動器電路往往置于與光耦合器相同的封裝中，因而一般需要兩個獨立的光耦合器柵極驅(qū)動器IC來構(gòu)成完整的隔離式半橋，結(jié)果使解決方案的物理尺寸變大。另需注意的是，兩個光耦合器即使封裝在一起，也是是獨立制造的，從而限制了匹配兩個通道的能力。這種失配會增加關(guān)閉一個通道與打開另一個通道之間的停滯時間，從而導致效率下降。

圖2. 雙光耦合器半橋柵極驅(qū)動器

光耦合器的響應速度受到原邊發(fā)光二極管（LED）電容的限制，而且將輸出驅(qū)動至高達1 MHz的速度也會受到其傳播延遲（最大值為500 ns）以及較慢的上升和下降時間（最大值為100 ns）的限制。要使光耦合器接近最高速度，需要將LED電流增加至10 mA以上，這會消耗更多功率，縮短光耦合器的壽命并降低其可靠性，尤其是在太陽能逆變器和電源應用中常見的高溫環(huán)境下。

脈沖變壓器柵極驅(qū)動器

接下來，我們來看看通過變壓器耦合實現(xiàn)電流隔離的電路。這些電路的傳播延遲較低、時序特性更精確，與光耦合器相比，具有速度優(yōu)勢。在圖3中，采用的是一個脈沖變壓器，其工作速度可以達到半橋柵極驅(qū)動器應用通常所需的水平（最高1 MHz）。柵極驅(qū)動器IC可用于提供容性MOSFET柵極充電所需的高電流。在此，柵極驅(qū)動器以差分方式驅(qū)動脈沖變壓器的原邊，兩個副邊繞組驅(qū)動半橋的各個柵極。在這種應用中，脈沖變壓器具有顯著優(yōu)勢，不需要用隔離式電源來驅(qū)動副邊MOSFET。

圖3. 脈沖變壓器半橋柵極驅(qū)動器

然而，當感應線圈中流動的較大瞬態(tài)柵極驅(qū)動電流導致振鈴時，就可能出現(xiàn)問題。結(jié)果可能使柵極不合需要地開啟和關(guān)閉，從而損壞MOSFET。脈沖變壓器的另一個局限在于，它們在要求信號占空比在50%以上的應用中可能表現(xiàn)欠佳。這是由于脈沖變壓器只能提供交流信號，而且鐵芯磁通量必須每半個周期復位一次以維持伏秒平衡。最后一點不足：脈沖變壓器的磁芯和隔離式繞組需要相對較大的封裝，再加上驅(qū)動器IC和其他分立式元件，最終形成的解決方案可能尺寸過大，無法適應許多高密度應用。