11月24日，紫光國芯發布公告稱，為滿足公司未來持續發展的需要，充分利用成都高新區在人才資源、產業環境等方面的資源優勢，由全資子公司成都國微科技有限公司（以下簡稱“成都國微科技”）在成都投資建設成都研發中心項目，項目總投資約5.97億元人民幣，將建成集研發、測試等于一體的研發平臺。

　　與此同時，紫光國芯擬公開發行公司債券，規模不超過人民幣13億元（含13億元），全部用于公司及下屬子公司的項目投資及/或償還公司債務等。

　　成都國微科技為紫光國芯2014年收購的全資子公司，成都國微科技將作為成都研發中心項目的實施主體，具體負責該項目建設的相關工作。

　　據披露，紫光國芯成都研發中心項目總體業態由A、B兩棟雙子塔（23層）和C棟多功能低層建筑（3層）組成，A、B兩棟雙子塔為辦公寫字樓，C棟為辦公寫字樓及研發配套，總用地面積2.2萬㎡，規劃總建筑面積12萬㎡（地上8.8萬，地下3.2萬）（最終以規劃部門核準為準）。項目位于成都高新區南區南端，地處天府新城的大源組團，西鄰益州大道，對面為在建的軟件園四期，北接阿里巴巴投資的商業綜合體項目，東與深圳市合芯電子公司項目用地為鄰。

　　該項目總投資約5.97億元人民幣，其中建安費用4.6億元，項目建設資金由成都國微科技自籌解決，項目建設期限3年，預計于2020年建成。目前項目已取得《建設用地規劃許可證》，初步完成規劃設計，正在進行設計工作的接續以及《建設工程規劃許可證》申請的前期準備工作。紫光國芯擬委托北京紫光科技服務集團有限公司的子公司成都紫光科城科技發展有限公司全面負責該項目開發建設的管理工作。

　　紫光國芯表示，近年來，紫光國芯業務領域逐步拓展，經營規模不斷擴大，為滿足公司未來持續發展的需要，公司擬充分利用成都高新區的資源優勢，加快推進建設成都研發中心項目，形成集研發、測試等于一體的研發平臺，吸引更多的專業科技人才加入公司團隊，進一步增強公司研發實力、科技創新能力。同時，能夠有效解決公司因業務增長帶來的研發及辦公場地不足問題，有利于提高公司經濟效益，為公司持續快速發展提供有力保證。

　　據悉，紫光國芯總部位于深圳市高新科技園國微大廈，目前，在北京、上海、西安、成都等地設有辦事處，其中西安紫光國芯擁有市場稀缺的DRAM設計團隊，正在進行“高性能第四代DRAM存儲器芯片產品”的研發，第四代產品容量更大、集成度更高、讀寫速度更快，預計明年開始進入市場。