電子發燒友網報道(文/程文智)這幾年GaN和SiC等第三代半導體器件的商用化進展還不錯,GaN器件在快充上開始大規模應用,SiC器件也在汽車上嶄露頭角?,F在大家對第三代半導體器件的前景非??春?,很多
2021-12-27 09:01:004168 寬禁帶半導體(WBS)是自第一代元素半導體材料(Si)和第二代化合物半導體材料(GaAs、GaP、InP等)之后發展起來的第三代半導體材料,禁帶寬度大于2eV,這類材料主要包括SiC(碳化硅)、C-BN(立方氮化硼)、GaN(氮化鎵、)AlN(氮化鋁)、ZnSe(硒化鋅)以及金剛石等。
2016-12-05 09:18:344406 3月15日,在深圳福田會展中心的論壇上,中國第三代半導體產業技術創新聯盟秘書長趙靜分享2022年全球半導體產業發展趨勢和中國第三代半導體的最新市場規模和應用進展。
2023-03-17 08:33:275138 5月10日消息 南韓近期啟動「X-band GaN國家計劃」沖刺第三代半導體,三星積極參與。由于市場高度看好第三代半導體發展,臺積電、世界等臺廠均已卡位,三星加入南韓官方計劃沖刺第三代半導體布局
2021-05-10 16:00:572569 電子發燒友網報道(文/劉靜)在新能源汽車、光伏、儲能等新興領域的需求帶動下,第三代半導體市場近幾年高速增長。盡管今年半導體經濟不景氣,機構投資整體更理性下,第三代半導體企業的融資仍加速狂飆
2024-01-09 09:14:331409 。本屆展會順應產業發展趨勢,服務于十幾個新興行業應用。展出面積5.5萬平方米,將匯聚800多家展商集中展示集成電路、電子元器件、第三代半導體及產業鏈材料和設備為一體的半導體產業鏈。同期舉辦多場高峰論壇
2021-12-07 11:04:24
LED:節能環保的第三代照明技術1、半導體照明 LED:變革照明的第三代革命1.1LED 代替白熾燈—任重而道遠自 20 世紀 60 年代世界第一個半導體發光二極管誕生以來,LED 照明因具 有
2011-09-28 00:12:44
器件產業鏈重點公司及產品進展:歐美出于對我國技術發展速度的擔憂及遏制我國新材料技術的發展想法,在第三代半導體材料方面,對我國進行幾乎全面技術封鎖和材料封鎖。在此情況下,我國科研機構和企業單位立足自主
2019-04-13 22:28:48
、InP化合物半導體材料之后的第三代半導體材料。 在光電子、高溫大功率器件和高頻微波器件應用方面有著廣闊的前景。SiC功率器件在C波段以上受頻率的限制,也使其使用受到一定的限制;GaN功率管因其
2017-06-16 10:37:22
出來之后,材料質量逐步完善,器件性能和可靠性也在逐步改善。到目前為止,碳化硅的二極管以其優異的性能和使用過程中展現的可靠性,已經廣泛應用在很多場合。氮化鎵GaN和碳化硅同屬于第三代半導體材料。為了區別于
2017-05-15 17:09:48
3G定義 3G是英文3rd Generation的縮寫,至第三代移動通信技術。相對于第一代模擬制式手機(1G)和第二代GSM、TDMA等數字手機(2G)來說,第三代手機是指將無線通信與國際互聯網等
2019-07-01 07:19:52
IMT-2000的優勢主要在于能夠使用寬帶服務,大大改進目前在GSM和TDMA/136上提供的標準化服務。第三代移動通信系統將提供 384kbps的廣域數據通信服務和大約2Mbps的局域數據通信服務。新的用于
2009-11-13 21:32:08
芯片組成的。而帕特羅(PATRO)第三代紅外攝像機技術是通過一個高效率和高功率的芯片組成。兩者之間最大的區別是芯片的組成。 目前,市場上有分別出現過由40、60、90個發光二極管組成在一起的陣列式光源
2011-02-19 09:35:33
,到目前全球首推的第三代紅外技術,紅外夜視領域經歷了一場場紅外技術新革命,引領著夜視監控行業向更深更遠的方向發展,給安防市場制造著一個又一個亮點。紅外技術早在60年代初期由美國貝爾實驗室研發
2011-02-19 09:38:46
寬禁帶半導體材料氮化鎵(GaN)以其良好的物理化學和電學性能成為繼第一代元素半導體硅(Si)和第二代化合物半導體砷化鎵(GaAs)、磷化鎵(GaP)、磷化銦(InP)等之后迅速發展起來的第三代半導體
2019-06-25 07:41:00
`第一代沒有留下痕跡。第二代之前在論壇展示過:https://bbs.elecfans.com/jishu_282495_1_1.html現在第三代誕生:`
2013-08-10 15:35:19
據業內權威人士透露,我國計劃把大力支持發展第三代半導體產業,寫入“十四五”規劃,計劃在2021-2025年期間,在教育、科研、開發、融資、應用等等各個方面,大力支持發展第三代半導體產業,...
2021-07-27 07:58:41
什么是第三代移動通信答復:第三代移動通信系統IMT2000,是國際電信聯盟(ITU)在1985年提出的,當時稱為陸地移動系統(FPLMTS)。1996年正式更名為IMT2000。與現有的第二代移動
2009-06-13 22:49:39
隨著第三代移動通信技術的興起,UMTS網絡的建立將帶來一場深刻的革命,這對網絡規劃也提出了更高的要求。在德國轟動一時的UMTS執照拍賣,引起了公眾對這一新技術的極大興趣。第三代移動通信網絡的建設正方
2019-08-15 07:08:29
)第三代紅外攝像機IR-III技術演變(IR-III Technology Develop) IR-III技術是在主動紅外技術中對第一代、第二代技術的基礎上演變的。第一代普通LED紅外技術,盡管不能
2011-02-19 09:34:33
已經將產業未來聚焦到了第三代化合物半導體身上??梢哉f第三代半導體就是未來功率器件的發展方向。全國兩會近日剛落下帷幕,第三代半導體(GaN和SiC)再度成為兩會的關鍵詞之一。伴隨著第三代半導體行業的觸角向
2021-03-26 15:26:13
基于第三代移動通信系統標準的ALC控制方案的設計與實現
2021-01-13 06:07:38
導 讀 追求更低損耗、更高可靠性、更高性價比是碳化硅功率器件行業的共同目標。為不斷提升產品核心競爭力,基本半導體成功研發第三代碳化硅肖特基二極管,這是基本半導體系列標準封裝碳化硅肖特基二極管
2023-02-28 17:13:35
淺析第三代移動通信功率控制技術
2021-06-07 07:07:17
超過40%,其中以碳化硅材料(SiC)為代表的第三代半導體大功率電力電子器件是目前在電力電子領域發展最快的功率半導體器件之一。根據中國半導體行業協會統計,2019年中國半導體產業市場規模達7562億元
2021-01-12 11:48:45
本文討論了移動通信向第三代(3G)標準的演化與發展,給出了范圍廣泛的3G發射機關鍵技術與規范要求的概述。文章提供了頻分復用(FDD)寬帶碼分多址(WCDMA)系統發射機的設計和測得的性能數據,以Maxim現有的發射機IC進行展示和說明。
2019-06-14 07:23:38
。 (三)IC 制造與封裝 封裝設計、測試、設備與應用、制造與封測、EDA、MCU、印制電路板、封裝基板、半導體材料與設備等。 (四)第三代半導體 第三代半導體器件、功率器件、砷化鎵、磷化鎵、金剛石
2021-11-17 14:05:09
的水平。 產業鏈透露,AirPods去年出貨量超過3500萬,市場率達到75%,由于體驗好,所以它成為越來越多人無線耳機的首選,預計今年上半年出貨量會超過5000萬臺,而第三代AirPods由于組裝更
2019-04-27 09:28:37
是寬禁帶半導體材料的一種,主要特點是高熱導率、高飽和以及電子漂移速率和高擊場強等,因此被應用于各種半導體材料當中,碳化硅器件主要包括功率二極管和功率開關管。功率二極管包括結勢壘肖特基(JBS)二極管
2023-02-20 15:15:50
分享小弟用第三代太陽能的心得。
最近看了很多資料對第三代太陽能的介紹,諸多的評論都說到他的優勢,小弟于是購買了這種叫第三代的太陽能-砷化鎵太陽能模塊。想說,現在硅晶的一堆
2010-11-27 09:53:27
。Xeon?可擴展處理器(第三代)基于平衡、高效的結構,可提高芯體性能、儲存器和I/O帶寬,以加速從數據中心到邊緣的各種工作負載。 這些器件采用Int
2024-02-27 11:58:54
和第三代材料技術發展的主要趨勢,擁有廣闊的應用前景。 第三代半導體材料主要包括氮化鎵(Gallium Nitride,GaN)、碳化硅(Silicon Carbide, SiC)、氧化鋅(Zinc
2017-02-07 01:08:07741 目前,藍光LED上游企業已處于飽和狀態,通過紫外光源的發展,可以促進上游LED企業的轉型和升級,帶動國內高新技術產業的發展。 第三代半導體材料主要包括氮化鎵(Gallium Nitride,GaN
2017-02-15 01:01:11308 材料是第三代半導體材料中最引人矚目的材料,尤其是GaN(氮化鎵)基光電子器件在白光照明領域非常成功。然而藍光LED(發光二極管)
2017-11-10 11:35:571 產化率占50%;LED通用照明市場占有率達到80%,核心器件國產化率達到95%;第三代半導體器件在新能源汽車、消費類電子領域實現規模應用。
2017-12-18 15:02:525011 第三代半導體是以氮化鎵和碳化硅為代表的寬禁帶半導體材料。預測2018年是第三代半導體產業化準備的關鍵期,第三代半導體設備行業將迎來景氣拐點。到2025年,第三代半導體器件將大規模的使用。
2017-12-19 11:56:163226 本文首先介紹了第三代半導體的材料特性,其次介紹了第三代半導體材料性能應用及優勢,最后分析了了我國第三代半導體材料發展面臨著的機遇挑戰。
2018-05-30 12:37:3334365 本文首先分別對第一代半導體材料、第二代半導體材料和第三代半導體材料進行了概述,其次介紹了第三代半導體材料應用領域及我國第三代半導體材料的前景展望。
2018-05-30 14:27:17143246 認為通過第三代半導體的發展就能解決芯片卡脖子是誤解,第三代半導體更多應用在器件方面。對這一概念相關領域的個股投資時,建議對該領域的市場空間與企業情況充分了解。 據不完全統計,A股上市公司中,已有36家公司參與到第三代
2020-09-21 11:57:553813 耐威科技發力第三代半導體材料,其氮化鎵材料項目宣布簽約青島。
2018-07-10 11:13:4611881 8月28日,在2018“芯集坪山”中國集成電路產業高峰論壇上,電子材料及第三代半導體成為重點話題。深圳市坪山區政府表示,為推動第三代半導體產業發展,坪山區即將出臺產業政策——《坪山區人民政府關于促進集成電路第三代半導體產業發展若干措施》。
2018-08-29 15:22:004563 近日科技部高新司在北京組織召開“十二五”期間863計劃重點支持的“第三代半導體器件制備及評價技術”項目驗收會。通過項目的實施,我國在第三代半導體關鍵的碳化硅和氮化鎵材料、功率器件、高性能封裝以及可見光通信等領域取得突破。
2018-09-14 10:51:1620140 日前,在紀念集成電路發明60周年學術會議上,中科院院士、國家自然科學基金委員會信息科學部主任、西安電子科技大學教授郝躍院士做了題為《寬禁帶與超寬禁帶半導體器件新進展》的報告。郝躍院士詳細講解了第三代半導體材料的優勢。
2018-10-23 14:36:1313191 日前,科技部高新司在北京組織召開十二五期間863計劃重點支持的第三代半導體器件制備及評價技術項目驗收會。通過項目的實施,中國在第三代半導體關鍵的碳化硅和氮化鎵材料、功率器件、高性能封裝以及可見光
2018-10-24 22:38:02478 記者近日從中國創新創業大賽國際第三代半導體專業賽全球總決賽頒獎典禮上獲悉,順義正在加快布局第三代半導體全產業鏈,位于中關村順義園內的第三代半導體材料及應用聯合創新基地已于日前竣工,總面積達7.1萬平方米,吸引了一批重點項目相繼入駐,將形成千億級產業規模。
2018-12-31 17:08:001850 碳化硅、氮化鎵、氧化鎵和金剛石等寬禁帶半導體材料(又稱“第三代半導體”),被視為世界各國競相發展的戰略性、先導性領域,2017年以來亦成為國內重點發展方向之一,各地政府相繼布局。
2019-01-04 10:38:224682 3 月 26 日,美的集團宣布與三安光電全資子公司三安集成電路戰略合作,雙方將共同成立“第三代半導體聯合實驗室”,共同推動第三代半導體功率器件的創新發展,加快國產芯片導入白色家電行業。
2019-03-29 11:08:164287 耐威科技大力發展MEMS、導航、航空電子三大核心業務,并積極布局第三代半導體、無人系統等潛力業務,致力于成為具備高競爭門檻的一流民營科技企業集團。
2019-05-09 15:31:194919 日前,《2019年中國第三代半導體材料產業演進及投資價值研究》白皮書在2019世界半導體大會期間發布。報告指出,2018年在5G、新能源汽車、綠色照明等新興領域蓬勃發展以及國家政策大力扶持的雙重驅動力下,我國第三代半導體材料市場繼續保持高速增長,總體市場規模已達到5.97億元,同比增長47.3%。
2019-05-28 14:01:024793 第三代半導體,又稱寬禁帶半導體,是以碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)為代表的半導體材料,具備高壓、高溫、高頻大功率等特性。
2019-06-21 10:29:317739 下,技術也在更新換代。隨著Si和化合物半導體材料GaAs在器件性能的提升到了瓶頸,不足以全面支撐下一代信息技術的可持續發展時,尋找新一代半導體材料成為了發展的重要方向。至此,第三代寬禁帶半導體材料氮化鎵(GaN)闖入了人們的視線!
2019-08-02 14:02:1110111 摩爾定律”為產業發展帶來新機遇。第三代半導體是“超越摩爾定律”的重要發展內容。與Si材料相比,第三代半導體材料擁有高頻、高功率、抗高溫、抗高輻射、光電性能優異等特點,特別適合于制造微波射頻器件、光電子器件、電力電子器件,是未來半導體產業發展的重要方向。
2020-09-02 11:05:303026 碳化硅,作為發展的最成熟的第三代半導體材料,其寬禁帶,高臨界擊穿電場等優勢,是制造高壓高溫功率半導體器件的優質半導體材料。
2020-09-02 11:56:351470 第一代材料是硅(Si),大家通俗理解的硅谷,就是第一代半導體的產業園。
第二代材料是砷化鎵(GaAs),為4G時代而生,目前的大部分通信設備的材料。
第三代材料主要以碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)為代表的寬禁帶的半導體材料,是未來5G時代的標配
2020-09-04 19:07:147243 解密第三代半導體材料:華為小米緊追,突破歐美鎖喉的新武器 傳感器技術 A股半導體材料板塊徹底爆了,這還是在前夜美股出現午夜驚魂大跌一場之后! 探究A股半導體概念股硬氣扛住外盤影響的原因,是前一晚一則
2020-09-10 11:26:202443 7月20日,長沙三安第三代半導體項目開工活動在長沙高新區舉行。 當前,第三代半導體材料及器件已成為全球半導體材料產業的前沿和制高點之一。以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代半導體成熟商用材料,在新能源汽車
2020-09-12 09:28:092819 ,資本市場聞風而動,第三代半導體概念股集體大漲。 國家重要政策大力支持第三代半導體行業,半導體板將迎來重大利好。LED產業鏈包括華燦光電、乾照光電、三安光電等都在積極布局第三代半導體。
2020-09-15 14:03:292416 周二盤中,第三代半導體板塊沖高,截至發稿,聚燦光電拉升封板,派瑞股份大漲近15%,乾照光電、易事特、臺基股份等個股紛紛走高。 粵開證券研報指出,第三代半導體是十四五重要發展方向,據國家新材料產業發展
2020-11-03 15:58:30743 據國海證券指出,看好成長路徑清晰的第三代半導體產業鏈龍頭,設備領域重點推薦:北方華創、華峰測控,器件領域則重點推薦:斯達半導、捷捷微電等。
2020-09-24 13:47:342290 9月4日,第二屆第三代半導體材料及裝備發展研討會在北京召開,作為第三代半導體產業技術創新戰略聯盟會員單位,湖南天玥科技有限公司(長沙新一代半導體研究院)參加會議。 公司副總裁袁堅出席會議。 本次會議
2020-09-26 10:55:022340 什么是第三代半導體? 第三代半導體是以碳化硅SiC、氮化鎵GaN為主的寬禁帶半導體材料,具有高擊穿電場、高飽和電子速度、高熱導率、高電子密度、高遷移率、可承受大功率等特點。 一、二、三代半導體
2020-09-28 09:52:203299 、新能源汽車、5G應用等第三代半導體關鍵市場的增速位居全球前列,為第三代半導體帶來巨大的發展空間和良好的市場前景,將催生上萬億元潛在市場。 第三代半導體為何如此被看好,有哪些重點應用方向?我國第三代半導體企業該如
2020-10-09 16:44:513357 聞風而動,第三代半導體概念股集體大漲。 國家重要政策大力支持第三代半導體行業,半導體板將迎來重大利好。LED產業鏈包括華燦光電、乾照光電、三安光電等都在積極布局第三代半導體。 全球風口之上的產業 據了解,第三代半導體以氮化鎵
2020-10-13 15:47:503360 呢?為什么說第三代半導體有望成為國產替代希望? 第三代半導體也被稱為寬帶隙半導體,主要是以碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)為代表的寬帶隙半導體材料,其帶隙寬度大于2.2eV,是5G、人工智能、工業互聯網等多個新基建產業的重要材料,同時也是
2020-10-29 18:26:404897 。 什么是第三代半導體? 第三代半導體是以碳化硅SiC、氮化鎵GaN為主的寬禁帶半導體材料,具有高擊穿電場、高飽和電子速度、高熱導率、高電子密度、高遷移率、可承受大功率等特點。 一、二、三代半導體什么區別? 一、材料 第一代半導體材料,發
2020-11-04 15:12:374305 些新興材料中,碳化硅、氮化鎵技術目前來看相對較為成熟,,因此這兩種材料也成為近年來市場布局的重點。下面查IC網小編帶大家一起看一看瑞能半導體沈鑫在全球CEO峰會發表的關于第三代半導體的主題演講。
2020-11-09 17:22:052755 在5G和新能源汽車等新市場需求的驅動下,第三代半導體材料有望迎來加速發展。硅基半導體的性能已無法完全滿足5G和新能源汽車的需求,碳化硅和氮化鎵等第三代半導體的優勢被放大。
2020-11-29 10:48:1287783 第三代半導體產業化之路已經走了好多年,受困于技術和成本等因素,市場一直不溫不火。 但今年的市場形勢明顯不同,各大半導體元器件企業紛紛加大了新產品的推廣力度,第三代半導體也開始頻繁出現在各地園區
2020-12-08 17:28:0312551 最近,“我國將把發展第三代半導體產業寫入‘十四五’規劃”引爆全網。什么是第三代半導體?發展第三代半導體的意義在哪兒?它憑什么一夜爆火
2020-12-14 11:02:443297 第三代半導體材料行業是我國重點鼓勵發展的產業,是支撐經濟社會發展和保障國家安全的戰略性和基礎性產業。為加快推進第三代半導體材料行業的發展,國家層面先后引發《重點新材料首批次應用示范指導目錄(2019
2020-12-29 14:59:274956 ,什么材料會再領風騷?記者采訪了專家。? 禁帶寬度,是用來區分不同代際半導體的關鍵參數。? 作為第三代半導體,氮化鎵和碳化硅的禁帶寬度分別為3.39電子伏特和3.26電子伏特,較高的禁帶寬度非常適合高壓器件應用。氮化鎵電子飽和速度
2021-01-07 14:19:483427 近期,阿里巴巴達摩院發布2021年十大科技趨勢,“第三代半導體迎來應用大爆發”位列第一。達摩院指出,第三代半導體的性價比優勢逐漸顯現并正在打開應用市場。未來5年,基于第三代半導體材料的電子器件將廣泛應用于5G基站、新能源汽車、特高壓、數據中心等場景。
2021-01-13 10:16:082362 看到第三代半導體,你肯定會想第一代、第二代是什么。這里的 “代際”,是根據半導體制造材料來劃分的 第一代半導體材料主要有鍺Ge,硅Si等,應用范圍主要是:低壓、低頻,中功率晶體管、光電探測器等取代
2021-07-09 15:40:5118440 第三代半導體器件毫不夸張的講為電源行業帶來了革新,基于其高速,小體積,低功耗的特點,越來越廣泛應用在消費電子及電力電子行業。下圖顯示了不同技術的功率器件的性能區別??梢钥吹剑瑐鹘y的Si基IGBT或者
2021-12-29 17:11:061046 【導讀】在集成電路和分立器件領域,硅始終是應用最廣泛、技術最成熟的半導體材料,但硅材料技術的成熟恰恰意味著難以突破瓶頸。為了打破固有屏障,半導體產業進一步深入對新材料、新工藝、新架構的探索。憑借著在功率、射頻應用中的顯著性能優勢,第三代半導體逐漸顯露出廣闊的應用前景和市場發展潛力。
2022-08-02 08:56:191264 半導體列入國家重點研發計劃“戰略性先進電子材料”重點專項;與此同時,在地方政策方面,北京、深圳、江蘇、成都、廈門、泉州、蕪湖等均已發布或正在研究推動第三代半導體產業發展的扶持政策。
2022-08-02 08:57:381568 、新架構的探索。憑借著在功率、射頻應用中的顯著性能優勢,第三代半導體逐漸顯露出廣闊的應用前景和市場發展潛力。 【導讀】在集成電路和分立器件領域,硅始終是應用最廣泛、技術最成熟的半導體材料,但硅材料技術的成熟
2022-08-02 15:12:291447 近年來,「第三代半導體」這個名詞頻頻進入我們的視野。尤其近年來「第三代半導體」在電動車、充電樁、高功率適配器等應用中的爆發式增長,使得其越來越貼近我們的生活。
2022-09-22 09:48:501264 第三代半導體材料有哪些 第三代半導體材料: 氨化家、碳化硅、氧化鋅、氧化鋁和金剛石。 從半導體材料的三項重要參數看,第三代半導體材料在電子遷移率、飽和漂移速率、禁帶寬度三項指標上均有著優異的表現
2023-02-07 14:06:164203 、射頻應用中的顯著
性能優勢,第三代半導體逐漸顯露出廣闊的應用前景和市場發展潛力。
所謂第三代半導體,即禁帶寬度大于或等于2.3eV的半導體材料,又稱寬禁帶半導體。常見的第三代半導體材料主要包括碳化
硅(SiC)、氮化鎵
2023-02-27 15:23:542 第一代、第二代、第三代半導體之間應用場景是有差異的。以硅(Si)、鍺(Ge)為代表的第一代半導體應用場景十分廣泛,
從尖端的CPU、GPU、存儲芯片,再到各種充電器中的功率器件都可以做。雖然在某些
2023-02-27 15:20:113 第三代半導體列入國家重點研發計劃“戰略性先進電子材料”重點專項;與此同時,在地方政策方面,北京、深圳、江蘇、成都、廈門、泉州、蕪湖等均已發布或正在研究推動第三代半導體產業發展的扶持政策。毋庸置疑,隨著國家
2023-02-27 15:21:454 、射頻應用中的顯著
性能優勢,第三代半導體逐漸顯露出廣闊的應用前景和市場發展潛力。
所謂第三代半導體,即禁帶寬度大于或等于2.3eV的半導體材料,又稱寬禁帶半導體。常見的第三代半導體材料主要包括碳化
硅(SiC)、氮化鎵
2023-02-27 14:37:561 所謂第三代半導體,即禁帶寬度大于或等于2.3eV的半導體材料,又稱寬禁帶半導體。常見的第三代半導體材料主要包括碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)、氮化鋁(AIN)、氧化鋅(ZnO)和金剛石等,其中
2023-05-18 10:57:361018 伴隨著物聯網、新能源和人工智能的發展,對半導體器件的需求日益增長,對相關器件可靠性與性能指標的要求也更加嚴苛,于是第三代半導體市場應運而生。近年國內的第三代半導體產業發展如火如荼,同時對高壓、高電流
2022-01-10 16:34:43700 第三代半導體功率器件的理想材料,可以在溶劑中生長。
2022-01-13 17:39:231522 第三代半導體以及芯片的核心材料
2023-05-06 09:48:442620 碳化硅具備耐高壓、耐高溫、高頻、抗輻射等優良電氣特性,它突破硅基半導體材料物理限制,成為第三代半導體核心材料。碳化硅材料性能優勢引領功率器件新變革。
2023-09-19 15:55:20893 第三代寬禁帶半導體SiC和GaN在新能源和射頻領域已經開始大規模商用。與第一代和第二代半導體相比,第三代半導體具有許多優勢,這些優勢源于新材料和器件結構的創新。
2023-10-10 16:34:28295 近年來,碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等第三代半導體材料成為全球半導體市場熱點之一。
2023-10-16 14:45:06694 第三代半導體以此特有的性能優勢,在半導體照明、新能源汽車、新一代移動通信、新能源并網、高速軌道交通等領域具有廣闊的應用前景。2020年9月,第三代半導體被寫入“十四五”規劃,在技術、市場與政策的三力驅動下,近年來國內涌現出多家第三代半導體領域龍頭公司。
2024-01-04 16:13:36431
評論
查看更多