德州儀器 (TI) 宣布推出業(yè)界最小型 1.8 A 有刷 DC 電機(jī)驅(qū)動(dòng)器，進(jìn)一步壯大其不斷發(fā)展的低電壓 DRV8x 電機(jī)驅(qū)動(dòng)器產(chǎn)品陣營。
2012-08-20 09:07:49
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日前，德州儀器 (TI) 宣布推出一款面向絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)與MOSFET的隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器，其速度比同等光學(xué)柵極驅(qū)動(dòng)器快40%。
2012-10-11 14:04:331610 日前，德州儀器（TI）宣布推出一款集成式柵極驅(qū)動(dòng)器，該器件提供了可調(diào)節(jié)的柵極驅(qū)動(dòng)設(shè)置，可在更為寬泛的范圍內(nèi)，靈活的驅(qū)動(dòng)外部場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET），從而支持多種電機(jī)，以
2015-07-06 14:35:111971 近日，德州儀器 （TI） 推出了業(yè)內(nèi)速度最快的半橋柵極驅(qū)動(dòng)器。這款用于分立式功率MOSFET和絕緣柵雙極晶體管 （IGBT） 的柵極驅(qū)動(dòng)器的工作電壓可達(dá)到600V。
2015-10-16 16:32:111115 英飛凌提供500多種EiceDRIVER?柵極驅(qū)動(dòng)器解決方案，用于驅(qū)動(dòng)MOSFET、IGBT、SiC MOSFET 以及GaN HEMT。其中包括隔離型柵極驅(qū)動(dòng)器、 電平轉(zhuǎn)換柵極驅(qū)動(dòng)器以及非隔離低邊驅(qū)動(dòng)器，從而滿足各種功率半導(dǎo)體技術(shù)和功率轉(zhuǎn)換拓?fù)涞脑O(shè)計(jì)要求。
2019-01-29 09:58:3227184 
雖然數(shù)字邏輯電路在太陽能收集設(shè)計(jì)中提供關(guān)鍵的監(jiān)控和控制功能，但功率晶體管為電力輸送提供了基礎(chǔ)。在這些數(shù)字和電源域之間，柵極驅(qū)動(dòng)器提供關(guān)鍵接口功能，在太陽能解決方案中驅(qū)動(dòng)高功率MOSFET和IGBT
2019-01-23 08:23:004168 
德州儀器（TI）推出了適用于48 V大功率電機(jī)控制系統(tǒng)的0級(jí)無刷直流（BLDC）電機(jī)驅(qū)動(dòng)器，例如輕度混合動(dòng)力電動(dòng)汽車（MHEV）中的牽引逆變器和起動(dòng)發(fā)電機(jī)。TI提供的電機(jī)驅(qū)動(dòng)器可實(shí)現(xiàn)功能安全性
2021-03-10 14:36:0710356 
運(yùn)行。排水泵驅(qū)動(dòng)基于帶集成式功率 MOSFET 的單芯片、低外部組件計(jì)數(shù)三相電機(jī)驅(qū)動(dòng)器，并可提供專有無傳感器式控制方案，從而實(shí)現(xiàn)連續(xù)正弦波驅(qū)動(dòng)。此外，它還特有一個(gè)集成降壓/線性穩(wěn)壓器，可高效地將電源電壓
2018-09-25 09:08:58
隔離門驅(qū)動(dòng)器在許多系統(tǒng)中的電力傳輸扮演著重要角色。對(duì)此，世強(qiáng)代理的高性能模擬與混合信號(hào)IC廠商Silicon Labs推出可支持高達(dá)5KV隔離額定電壓值的ISO driver隔離驅(qū)動(dòng)IC Si823x。有誰知道這款業(yè)界最佳單芯片隔離驅(qū)動(dòng)器解決方案到底有多厲害嗎？
2019-08-02 06:37:15
IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和其它系統(tǒng)中的開關(guān)元件。柵極是每個(gè)器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極，而對(duì)于IGBT，它們被稱為集電極
2021-01-27 07:59:24
為何需要柵極驅(qū)動(dòng)器柵極驅(qū)動(dòng)器的關(guān)鍵參數(shù)
2020-12-25 06:15:08
摘要IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和其它系統(tǒng)中的開關(guān)元件。柵極是每個(gè)器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極，而對(duì)于IGBT，它們被稱為
2021-07-09 07:00:00
負(fù)電壓柵極驅(qū)動(dòng)器中的負(fù)電壓處理是指承受輸入和輸出端負(fù)電壓的能力。這些不必要的電壓可能是由于開關(guān)轉(zhuǎn)換、泄漏或布局不良引起的。柵極驅(qū)動(dòng)器的負(fù)電壓承受能力對(duì)于穩(wěn)健可靠的解決方案至關(guān)重要。圖1顯示了TI柵極
2019-04-15 06:20:07
本文通過故意損壞IGBT/MOSFET功率開關(guān)來研究柵極驅(qū)動(dòng)器隔離柵的耐受性能。
2021-06-17 07:24:06
問題是，即使RMS電流約為200mA，MOSFET芯片也會(huì)明顯升溫。要驅(qū)動(dòng)的電機(jī)是24V 90W BLDC電機(jī)，相電阻為0.15歐姆，相間電感為200uH。我選擇的MOSFET及其柵極驅(qū)動(dòng)器
2018-08-23 10:09:59
AN1315，用于三相電機(jī)驅(qū)動(dòng)的L6386 MOSFET功率驅(qū)動(dòng)器評(píng)估板。 L6386，用于三相電機(jī)驅(qū)動(dòng)的MOSFET功率驅(qū)動(dòng)器。三相演示板是用于評(píng)估和設(shè)計(jì)高壓柵極驅(qū)動(dòng)器L6386的參考套件。用戶
2019-07-03 09:22:07
描述 PMP9455 參考設(shè)計(jì)為 800VA 至 3kVA iPure 正弦波低頻逆變器提供了高度集成的柵極驅(qū)動(dòng)器解決方案。該設(shè)計(jì)具有獨(dú)特的高峰值電流驅(qū)動(dòng)能力，同時(shí)集成了具有外部可編程增益和濾波
2018-11-30 15:52:43
描述 PMP9455 參考設(shè)計(jì)為 800VA 至 3kVA iPure 正弦波低頻逆變器提供了高度集成的柵極驅(qū)動(dòng)器解決方案。該設(shè)計(jì)具有獨(dú)特的高峰值電流驅(qū)動(dòng)能力，同時(shí)集成了具有外部可編程增益和濾波
2022-09-22 06:37:42
接近MOSFET）之間的外部電阻可用于控制柵極處看到的轉(zhuǎn)換速率，從而控制SA和SB輸出的di/dt和dv/dt。GHx高功率運(yùn)轉(zhuǎn)會(huì)打開驅(qū)動(dòng)器的上半部分，向外部電機(jī)驅(qū)動(dòng)橋中高側(cè)MOSFET的柵極提供電流，并將
2020-09-29 16:51:51
就像每個(gè)MOSFET需要一個(gè)柵極驅(qū)動(dòng)器來切換它，每個(gè)電機(jī)后面總是有一個(gè)驅(qū)動(dòng)力。根據(jù)復(fù)雜程度和系統(tǒng)成本、尺寸和性能要求，驅(qū)動(dòng)電機(jī)的方式多樣。最簡單和離散的解決方案是由兩個(gè)晶體管組成的圖騰柱/推挽電路
2017-08-21 14:33:56
設(shè)計(jì)電動(dòng)工具系統(tǒng)設(shè)計(jì)的下一個(gè)考慮因素是驅(qū)動(dòng)器的魯棒性。它將如何執(zhí)行在惡劣的環(huán)境與大瞬變產(chǎn)生的高扭矩電機(jī)？當(dāng)驅(qū)動(dòng)器開關(guān)用于控制峰值功率為30千瓦的電機(jī)的 mosfet 時(shí)，必然會(huì)產(chǎn)生大的正負(fù)瞬態(tài)脈沖。系統(tǒng)設(shè)計(jì)者
2022-04-14 14:43:07
的解決方案方案描述此 TIDA-00142 參考設(shè)計(jì)針對(duì)額定功率最高約 3kW 的三相無刷直流電機(jī)，實(shí)現(xiàn)一套完整的控制與驅(qū)動(dòng)解決方案。此設(shè)計(jì)包括用于旋轉(zhuǎn) BLDC 電機(jī)的模擬電路、數(shù)字處理器和軟件，無需
2019-10-17 15:12:26
的電機(jī)解決方案的通用解決方案。有關(guān)更多詳細(xì)信息，請(qǐng)參見TI柵極驅(qū)動(dòng)器頁。若您喜歡集成度更高的解決方案，那么系統(tǒng)級(jí)解決方案不僅提供柵極驅(qū)動(dòng)能力，而且還具有MOSFET、片上通信以及不同級(jí)別的保護(hù)和控制
2019-03-08 06:45:03
隔離電源轉(zhuǎn)換器詳解柵極驅(qū)動(dòng)器解決方案選項(xiàng)最優(yōu)隔離柵極驅(qū)動(dòng)器解決方案
2021-03-08 07:53:35
FAN73912MX是一款單片半橋柵極驅(qū)動(dòng) IC，設(shè)計(jì)用于高壓、高速驅(qū)動(dòng) MOSFET 和 IGBT，工作電壓高達(dá) +1200 V。 HIN 的先進(jìn)輸入濾波器針對(duì)噪聲產(chǎn)生的短脈沖輸入信號(hào)提供保護(hù)功能
2021-12-20 09:19:25
柵極驅(qū)動(dòng)器IRS260xD系列提供了一種靈活的解決方案，適用于梯形調(diào)制等各種PWM方案。新器件具備負(fù)電壓尖峰免疫性等完整保護(hù)功能，可應(yīng)用于緊湊、堅(jiān)固的電機(jī)控制設(shè)計(jì)。” IRS2607D高側(cè)和低側(cè)
2008-11-13 20:40:15
概述：IRS26302DJBPF美國國家半導(dǎo)體公司生產(chǎn)的一款高速功率MOSFET和IGBT驅(qū)動(dòng)器，它把功率MOSFET/IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器與三個(gè)高側(cè)及三個(gè)低側(cè)參考輸出通道集成在一起，在最高20V
2021-05-18 07:25:34
用于Si8751隔離式MOSFET驅(qū)動(dòng)器的Si8751-EVB，Si875x評(píng)估套件是驅(qū)動(dòng)各種應(yīng)用中使用的功率開關(guān)的理想選擇，與普通SSR相比，具有更長的使用壽命和更高的可靠性。 Si8751隔離式
2020-06-08 12:07:42
MOSFET晶體管必須在較高的柵極電壓下工作，考慮到后者必須具有快速的dV / dt才能實(shí)現(xiàn)快速的開關(guān)時(shí)間。為了滿足下一代MOSFET的嚴(yán)格要求，RECOM推出了各種轉(zhuǎn)換器，專門為SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)器
2019-07-30 15:15:17
應(yīng)用中使用的功率IGBT和MOSFET。 輸出級(jí)的高工作電壓范圍提供了柵極控制設(shè)備所需的驅(qū)動(dòng)電壓。 該光電耦合器提供的電壓和電流使其非常適合直接驅(qū)動(dòng)額定功率高達(dá)800 V / 50 A的IGBT。對(duì)于
2019-10-30 15:23:17
）。微控制器用于設(shè)置 PWM 占空比并負(fù)責(zé)開環(huán)控制。在低壓設(shè)計(jì)中，柵極驅(qū)動(dòng)器和 MOSFET 橋有時(shí)會(huì)集成在一個(gè)單元中。然而，對(duì)于高功率單元，為方便熱管理，柵極驅(qū)動(dòng)器和 MOSFET 橋會(huì)分開布置，這樣可以針對(duì)
2019-08-13 07:00:00
，PHASE/EN●過溫關(guān)斷電路●短路保護(hù)●過流保護(hù)●欠壓鎖定保護(hù)AT8212E為攝像機(jī)、智能鎖、玩具和其它低電壓或者電池供電的運(yùn)動(dòng)控制類應(yīng)用提供了一個(gè)集成的電機(jī)驅(qū)動(dòng)器解決方案。A...
2021-09-02 08:17:21
`描述此參考設(shè)計(jì)展示了適用于采用 C2000? Piccolo? 微控制器和 DRV8412 三相電機(jī)驅(qū)動(dòng)器的旋轉(zhuǎn)三相有刷直流或單個(gè)步進(jìn)電機(jī)的電機(jī)控制解決方案。這一高度集成的穩(wěn)健電機(jī)控制和驅(qū)動(dòng)器
2015-04-29 13:41:05
描述TIDA-00195 參考設(shè)計(jì)包括一個(gè) 22kW 功率級(jí)以及 TI 全新的增強(qiáng)型隔離式 IGBT 柵極驅(qū)動(dòng)器 ISO5852S（適用于各種應(yīng)用中的電機(jī)控制）。此設(shè)計(jì)可對(duì)三相逆變器（其中整合了額定
2018-12-27 11:41:40
，使用雙極結(jié)型晶體管(BJT)圖騰柱驅(qū)動(dòng)低側(cè)配置中的電源開關(guān)。但是，由于柵極驅(qū)動(dòng)器IC的諸多優(yōu)勢(shì)及其附加特性，它日益取代了這些分立式解決方案。圖2顯示了典型BJT圖騰柱配置與典型柵極驅(qū)動(dòng)器IC。 圖 2
2022-11-04 06:40:48
。與基于電容的數(shù)字隔離技術(shù)相比，這種光耦合器價(jià)格昂貴且使用壽命較短。總結(jié)無論您正在隔離功率級(jí)中的柵極驅(qū)動(dòng)器、隔離電壓或電流反饋，還是隔離控制模塊中的數(shù)字輸入，TI 的基于電容的隔離技術(shù)都徹底革新了交流電機(jī)驅(qū)動(dòng)器的使用壽命和溫度要求，且在許多情況下，此種技術(shù)提供了比光耦合器更緊湊的解決方案。
2019-10-17 08:53:40
什么是MOSFET驅(qū)動(dòng)器？MOSFET驅(qū)動(dòng)器功耗包括哪些部分？如何計(jì)算MOSFET的功耗？
2021-04-12 06:53:00
解決方案相比，極小的功率級(jí)布局。該設(shè)計(jì)還包括兩個(gè)TI的DRV5013-Q1數(shù)字鎖存霍爾效應(yīng)傳感器，用于對(duì)電機(jī)位置進(jìn)行編碼。使用TI的一款固態(tài)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)電機(jī)控制系統(tǒng)將有助于減小PCB解決方案的尺寸
2019-08-22 04:45:11
、效率低下、解決方案尺寸較大，因而不適合高功率、高密度同步整流應(yīng)用。圖1. 脈沖變壓器、光耦合器和ADuM3220柵極驅(qū)動(dòng)器解決方案光耦合器與脈沖變壓器相比，使用光耦合器作為柵極驅(qū)動(dòng)器來執(zhí)行同步整流
2018-10-15 09:46:28
了德州儀器（TI）的基于電容的隔離技術(shù)和傳統(tǒng)的隔離技術(shù)，包括隔離柵極驅(qū)動(dòng)器在功率級(jí)、隔離電壓、電流反饋或控制模塊中隔離式數(shù)字輸入。 什么是交流電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)？交流電機(jī)驅(qū)動(dòng)是一種使用交流電輸入的感應(yīng)電動(dòng)機(jī)，如圖
2019-12-25 16:48:37
電流反饋，還是隔離控制模塊中的數(shù)字輸入，TI 的基于電容的隔離技術(shù)都徹底革新了交流電機(jī)驅(qū)動(dòng)器的使用壽命和溫度要求，且在許多情況下，此種技術(shù)提供了比光耦合器更緊湊的解決方案。
2019-11-05 07:00:00
還可以安裝Arduino UNO R3連接器。該擴(kuò)展板上使用的IC驅(qū)動(dòng)器是用于N溝道功率MOSFET的L6398單芯片半橋柵極驅(qū)動(dòng)器。 L6398柵極驅(qū)動(dòng)器和STL220N6F7功率MOSFET組合形成BLDC電機(jī)的高電流功率平臺(tái)，基于STM32 Nucleo板的數(shù)字部分提供6步或FOC算法控制解決方案
2020-05-20 08:53:36
在開啟時(shí)提供此功能。實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證表明，在高負(fù)載范圍和低開關(guān)速度（《5V/ns）下，SiC-MOSFET或IGBT的電流源驅(qū)動(dòng)與傳統(tǒng)方法相比，導(dǎo)通損耗降低了26%。在電機(jī)驅(qū)動(dòng)器等應(yīng)用中，dv/dt 通常限制為 5V/ns，電流源驅(qū)動(dòng)器可提高效率并提供有前途的解決方案。
2023-02-21 16:36:47
IGBT 或 SiC MOSFET。具有可調(diào)消隱時(shí)間的過流保護(hù)。先進(jìn)的主動(dòng)箝位保護(hù)欠壓和過壓鎖定保護(hù)。兩個(gè) 1 安培脈沖變壓器驅(qū)動(dòng)器，用于故障信號(hào)通信。IX6611設(shè)計(jì)用于為高功率開關(guān)器件提供柵極驅(qū)動(dòng)
2023-02-27 09:52:17
您好，我正在嘗試使用 MC34GD3000 柵極驅(qū)動(dòng)器，但我們遇到了設(shè)備故障和損壞高側(cè) MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)器的問題。首先，是否有任何關(guān)于正確設(shè)置柵極驅(qū)動(dòng)器輸出的應(yīng)用說明。我們看到的是在沒有任何
2023-04-19 06:36:06
電機(jī)是許多電器的主要組成部分之一，而控制電機(jī)運(yùn)轉(zhuǎn)的電機(jī)驅(qū)動(dòng)器則是電機(jī)的靈魂所在。本文將為您介紹由安森美半導(dǎo)體新推出電機(jī)驅(qū)動(dòng)器模組方案，并了解其如何搭配Arduino MICRO一起運(yùn)作，來簡化電機(jī)驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)方案。
2019-07-18 08:45:44
驅(qū)動(dòng)器解決方案在提供高性能和小尺寸方面的卓越能力。隔離式半橋驅(qū)動(dòng)器的功能是驅(qū)動(dòng)上橋臂和下橋臂N溝道MOSFET(或IGBT)的柵極，通過低輸出阻抗降低導(dǎo)通損耗，同時(shí)通過快速開關(guān)時(shí)間降低開關(guān)損耗。上橋臂
2018-10-16 16:00:23
CSD88599Q5DC采用與TI低電壓功率塊相同的堆疊管芯技術(shù)，用于高頻電源應(yīng)用，但采用優(yōu)化的硅片，以減少大電流電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用的傳導(dǎo)損耗。除最小化在PCB上并排兩個(gè)FET帶來的寄生電感外，縱向集成兩個(gè)FET可在同一
2017-08-21 14:21:03
： 步進(jìn)電機(jī)前置驅(qū)動(dòng)器：DRV8711EVM 評(píng)估板基于 DRV8711 步進(jìn)電機(jī)控制器，與 NexFET 器件搭配，可驅(qū)動(dòng)一個(gè)大電流雙極步進(jìn)電機(jī)或兩個(gè)有刷 DC 電機(jī)； 電機(jī)驅(qū)動(dòng)
2018-11-29 17:13:53
的整體效率不再是50%，但脈沖變壓器本身仍然存在至少50%的效率損失。綜上所述，脈沖變壓器在柵極驅(qū)動(dòng)器應(yīng)用中具有如下缺點(diǎn)：占空比限制、效率低下、解決方案尺寸較大，因而不適合高功率、高密度同步整流應(yīng)用。圖
2017-04-05 14:05:25
位功能，可用于各種開關(guān)拓?fù)?b class="flag-6" style="color: red">控制碳化硅（SiC）或硅MOSFET和IGBT功率晶體管。STGAP2SCM配備一個(gè)有源米勒鉗位專用引腳，為設(shè)計(jì)人員防止半橋配置晶體管意外導(dǎo)通提供一個(gè)簡便的解決方案。在
2018-08-06 14:37:25
根據(jù) MOSFET 特征精確調(diào)整柵極驅(qū)動(dòng)器并對(duì)性能進(jìn)行優(yōu)化。不過，這種方法也存在缺點(diǎn)，它需要高水平的電機(jī)設(shè)計(jì)經(jīng)驗(yàn)以及容納分立解決方案所需的空間。 模塊化電機(jī)控制解決方案提供了另一種選擇，市場(chǎng)上
2019-09-23 08:30:00
的 MOSFET（圖 2）。微控制器用于設(shè)置 PWM 占空比并負(fù)責(zé)開環(huán)控制。在低壓設(shè)計(jì)中，柵極驅(qū)動(dòng)器和 MOSFET 橋有時(shí)會(huì)集成在一個(gè)單元中。然而，對(duì)于高功率單元，為方便熱管理，柵極驅(qū)動(dòng)器
2019-10-31 08:00:00
將減小元件尺寸，從而減小成本、系統(tǒng)尺寸和重量；這些是汽車和能源等市場(chǎng)中的主要優(yōu)勢(shì)。新型功率開關(guān)還將促使其控制元件發(fā)生變化，其中包括柵極驅(qū)動(dòng)器。本文將探討GaN和SiC開關(guān)與IGBT/MOSFET的一些
2018-10-16 06:20:46
頻率將減小元件尺寸，從而減小成本、系統(tǒng)尺寸和重量；這些是汽車和能源等市場(chǎng)中的主要優(yōu)勢(shì)。新型功率開關(guān)還將促使其控制元件發(fā)生變化，其中包括柵極驅(qū)動(dòng)器。本文將探討GaN和SiC開關(guān)與IGBT/MOSFET
2018-10-16 21:19:44
減小元件尺寸，從而減小成本、系統(tǒng)尺寸和重量；這些是汽車和能源等市場(chǎng)中的主要優(yōu)勢(shì)。新型功率開關(guān)還將促使其控制元件發(fā)生變化，其中包括柵極驅(qū)動(dòng)器。本文將探討GaN和SiC開關(guān)與IGBT/MOSFET的一些
2018-10-24 09:47:32
芯片驅(qū)動(dòng)器從MTD6501開始用于BLDC電機(jī)控制的MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器從MCP8024開始Microchip屢獲殊榮的8位PIC?MCU是用于簡單梯形感測(cè)或無傳感器控制的絕佳解決方案用于BLDC電機(jī)
2018-08-04 11:39:53
最近在逛PIC官網(wǎng)的時(shí)候，查找相關(guān)應(yīng)用手冊(cè)的時(shí)候挖到的一篇文章。根據(jù)電機(jī)控制應(yīng)用需求選擇合適的MOSFET 驅(qū)動(dòng)器.pdf (589.89 KB )
2019-05-30 22:17:43
柵極驅(qū)動(dòng)器解決方案TI提供專為電動(dòng)座椅設(shè)計(jì)的多電機(jī)汽車柵極驅(qū)動(dòng)器。DRV8714-Q1和DRV8718-Q1的半橋柵極驅(qū)動(dòng)器分別具有四個(gè)通道和八個(gè)通道。它們集成了電荷泵、電流檢測(cè)放大器和可用于多個(gè)負(fù)載
2022-11-03 07:05:16
和 –4V 輸出電壓以及 1W(...)主要特色用于在半橋配置中驅(qū)動(dòng) SiC MOSFET 的緊湊型雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器解決方案4A 峰值拉電流和 6A 峰值灌電流驅(qū)動(dòng)能力，適用于驅(qū)動(dòng) SiC
2018-10-16 17:15:55
柵極驅(qū)動(dòng)器，能夠驅(qū)動(dòng) N 型功率 MOSFET 和 IGBT。 FD2606S 內(nèi)置 VCC 和 VB 欠壓（UVLO）保護(hù)功能，防止功率管在過低的電壓下工作。 FD2606S 邏輯輸入兼容 TTL 和 CMOS（低至 3.3V），方便與控制設(shè)備接口。該驅(qū)動(dòng)器輸出具有最小驅(qū)動(dòng)器跨導(dǎo)的高脈沖電流緩沖設(shè)計(jì)。
2021-09-14 07:29:33
全球半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子今日宣布，推出一款全新柵極驅(qū)動(dòng)IC——RAJ2930004AGM，用于驅(qū)動(dòng)電動(dòng)汽車（EV）逆變器的IGBT（絕緣柵雙極型晶體管和SiC（碳化硅）MOSFET等高壓功率
2023-02-15 11:19:05
，與典型的繼電器解決方案相比，可創(chuàng)建非常小的功率級(jí)布局。該設(shè)計(jì)還包括兩個(gè)TI的DRV5013-Q1鎖存型霍爾傳感器，用于對(duì)電機(jī)位置進(jìn)行編碼。 使用TI的固態(tài)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)電機(jī)控制系統(tǒng)將有助于減小PCB
2020-06-26 07:00:00
描述此款碳化硅 (SiC) FET 和 IGBT 柵極驅(qū)動(dòng)器參考設(shè)計(jì)為驅(qū)動(dòng) UPS、交流逆變器和電動(dòng)汽車充電樁（電動(dòng)汽車充電站）應(yīng)用的功率級(jí)提供了藍(lán)圖。此設(shè)計(jì)基于 TI 的 UCC53xx
2018-09-30 09:23:41
IGBT/功率 MOSFET 是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和其它系統(tǒng)中的開關(guān)元件。柵極是每個(gè)器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極，而對(duì)于IGBT，它們被稱為
2018-10-25 10:22:56
Sanket Sapre摘要IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和其它系統(tǒng)中的開關(guān)元件。柵極是每個(gè)器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極，而對(duì)
2018-11-01 11:35:35
，可提供完全經(jīng)濟(jì)高效的柵極驅(qū)動(dòng)解決方案（圖1）。該器件具有2.5A軌到軌輸出，非常適合驅(qū)動(dòng)工業(yè)電源逆變器和電機(jī)驅(qū)動(dòng)器中的IGBT和功率MOSFET。最終結(jié)果是易于使用，緊湊且經(jīng)濟(jì)實(shí)惠的IGBT柵極驅(qū)動(dòng)光電
2018-08-18 12:05:14
越來越多地使用。而PWM的使用需要采用半導(dǎo)體方案，例如分立式MOSFET結(jié)合MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器。在此類應(yīng)用中，通常高邊和低邊開關(guān)均采用N-溝道MOSFET，見圖 2。圖 2：用于雙向電機(jī)控制的分立式
2018-12-07 10:11:19
www.ti.com/gatedrivers開始設(shè)計(jì)您的高效系統(tǒng)。 其他信息TI Designs參考設(shè)計(jì)庫中展示了高效率系統(tǒng)中的高速柵極驅(qū)動(dòng)器：“隔離GaN驅(qū)動(dòng)器參考設(shè)計(jì)”。“用于電信的1 kW三路隔離DC
2019-03-08 06:45:10
Toshiba推出低功率柵極驅(qū)動(dòng)光耦合器
Toshiba推出了一系列的超低功耗光耦合隔離器，設(shè)計(jì)用來驅(qū)動(dòng)需要輸出電流高達(dá)±6.0A的IGBT和功率MOSFET。新的驅(qū)動(dòng)器IC光耦合器TLP358系
2010-01-20 08:37:03696 TI推出具備板載功率MOSFET的全集成型雙路功率驅(qū)動(dòng)器
日前，德州儀器 (TI) 宣布推出一款具備集成型功率 MOSFET、保護(hù)模塊以及監(jiān)控特性的數(shù)字雙路同步降壓功率驅(qū)動(dòng)器，
2010-02-23 09:26:57670 德州儀器(TI)宣布推出用于配合高密度電源轉(zhuǎn)換器中 MOSFET 與氮化鎵 (GaN) 功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET) 使用的低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器。
2012-02-11 09:59:081435 
德州儀器 (TI) 宣布推出首批具有業(yè)界領(lǐng)先速度及驅(qū)動(dòng)電流性能的 4 A/8 A 與 4 A/4 A 單通道低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器
2012-04-24 09:56:411411 
10 月 1 日 – 凌力爾特公司 （Linear Technology Corporation） 推出高端、高頻率 N 溝道 MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)器 LTC4440A-5，該器件能以高達(dá) 80V
2013-10-09 15:41:271040 
Diodes公司 （Diodes Incorporated） 新推出的DGD21xx系列包括六款半橋柵極驅(qū)動(dòng)器及六款高/低側(cè)600V柵極驅(qū)動(dòng)器，可在半橋或全橋配置下輕易開關(guān)功率MOSFET與IGBT。
2016-03-14 18:13:231403 恩智浦半導(dǎo)體于2017年3月9日宣布推出全球最小的單芯片SoC解決方案 ——MC9S08SUx微控制器（MCU）系列，該超高壓解決方案集成了18V至5V 低壓差線性穩(wěn)壓器（LDO）和MOSFET前置驅(qū)動(dòng)器，適合無人機(jī)、機(jī)器人、電動(dòng)工具、健康保健以及其他低端無刷直流電機(jī)控制 （BLDC）應(yīng)用。
2017-03-17 14:37:57987 本文介紹了完整的TI電機(jī)驅(qū)動(dòng)解決方案和用于電機(jī)控制的微控制器。
2017-11-20 16:46:14
36 緊湊的18伏BLDC電機(jī)參考設(shè)計(jì)演示了DRV8323柵極驅(qū)動(dòng)器和CSD88584Q5DC電源模塊如何驅(qū)動(dòng)11 W/cm3的功率，使工程師能夠設(shè)計(jì)出尺寸更小、重量更輕的電動(dòng)工具、集成電機(jī)模塊和無人機(jī)等。
2019-08-21 14:22:021789 本應(yīng)用筆記涵蓋了計(jì)算柵極驅(qū)動(dòng)光耦合器 IC 的柵極驅(qū)動(dòng)器功率和熱耗散的主題。柵極驅(qū)動(dòng)光耦合器用于驅(qū)動(dòng)、導(dǎo)通和關(guān)斷、功率半導(dǎo)體開關(guān)、MOSFET/IGBT。柵極驅(qū)動(dòng)功率計(jì)算可分為三部分；驅(qū)動(dòng)器內(nèi)部電路
2021-06-14 03:51:003144 
摘要
IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和其它系統(tǒng)中的開關(guān)元件。柵極是每個(gè)器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極，而對(duì)于IGBT，它們被稱為
2021-01-28 08:13:3820 ROHM不僅提供電機(jī)驅(qū)動(dòng)器IC，還提供適用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)的非隔離型柵極驅(qū)動(dòng)器，以及分立功率器件IGBT和功率MOSFET。 我們將先介紹羅姆非隔離型柵極驅(qū)動(dòng)器，再介紹ROHM超級(jí)結(jié)MOSFET
2021-08-09 14:30:512409 TRINAMIC運(yùn)動(dòng)控制有限公司宣布推出最新的電池驅(qū)動(dòng)解決方案電機(jī)驅(qū)動(dòng)器IC。帶有集成功率MOSFET和電荷泵的微型三相電機(jī)驅(qū)動(dòng)器IC非常適用于BLDC和PMSM電機(jī)，它們僅需一個(gè)鋰離子電池或雙節(jié)AA電池即可提供高達(dá)2A峰值和2V(1.8V)…11V DC的電壓。
2022-04-29 09:07:28619 器設(shè)置 PWM 占空比并負(fù)責(zé)反饋或開環(huán)控制。在低壓項(xiàng)目中，柵極驅(qū)動(dòng)器和 MOSFET 通常集成為一個(gè)單元。但是，對(duì)于大功率單元，兩個(gè)單元是分開的，以便于熱管理并最大限度地減少電磁干擾。 發(fā)動(dòng)機(jī)控制系統(tǒng)中的柵極驅(qū)動(dòng)器主要設(shè)計(jì)用于提高外部功率
2022-08-01 18:20:00932 STMicroelectronics (ST) 的 STGAP2SiCSN 單通道柵極驅(qū)動(dòng)器旨在調(diào)節(jié)碳化硅 (SiC) MOSFET。它采用窄體 SO-8 封裝，可節(jié)省空間并具有精確的PWM 控制
2022-08-03 09:47:011356 
完整的發(fā)動(dòng)機(jī)控制系統(tǒng)包括電源、主機(jī)微控制器、柵極驅(qū)動(dòng)器和半橋拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的 MOSFET。微控制器設(shè)置 PWM 占空比并負(fù)責(zé)反饋??或開環(huán)控制。在低電壓項(xiàng)目中，柵極驅(qū)動(dòng)器和 MOSFET 通常集成到一個(gè)單元中。然而，對(duì)于大功率單元，兩個(gè)單元是分開的，以方便熱管理和最小化電磁干擾。
2022-08-09 09:13:233098 
本文介紹了在電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用中為功率級(jí)選擇隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器時(shí)，您有多種選擇。柵極驅(qū)動(dòng)器可簡單可復(fù)雜，具有集成米勒箝位、分離輸出或絕緣柵雙極晶體管 （IGBT） 發(fā)射極的欠壓 （UVLO） 鎖定參考等功能。
2022-11-30 09:58:211105 
IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制器件，用作電源電路和電機(jī)驅(qū)動(dòng)器等系統(tǒng)中的開關(guān)元件。柵極是每個(gè)設(shè)備的電氣隔離控制端子。 MOSFET的其他端子是源極和漏極，對(duì)于IGBT，它們被稱為集電極
2023-01-30 17:17:121152 
柵極驅(qū)動(dòng)參考 1.PWM直接驅(qū)動(dòng)2.雙極Totem-Pole驅(qū)動(dòng)器3.MOSFET Totem-Pole驅(qū)動(dòng)器4.速度增強(qiáng)電路5.dv/dt保護(hù) 1.PWM直接驅(qū)動(dòng) 在電源應(yīng)用中，驅(qū)動(dòng)主開關(guān)
2023-02-23 15:59:0017 功率 MOSFET 是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和其他系統(tǒng)中的開關(guān)元件。柵極是每個(gè)器件的電氣隔離控制端。MOSFET 的其他端子是源極和漏極。
2023-04-04 09:58:391006 
柵極驅(qū)動(dòng)器是一個(gè)用于放大來自微控制器或其他來源的低電壓或低電流的緩沖電柵極驅(qū)動(dòng)器的原理及應(yīng)用分析用中，微控制器輸出通常不適合用于驅(qū)動(dòng)功率較大的晶體管。
2023-05-17 10:14:526261 
功率 MOSFET 是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和其他系統(tǒng)中的開關(guān)元件。柵極是每個(gè)器件的電氣隔離控制端。MOSFET 的其他端子是源極和漏極。
為了操作 MOSFET，通常須將一個(gè)電壓施加于柵極（相對(duì)于源極或發(fā)射極）。使用專用驅(qū)動(dòng)器向功率器件的柵極施加電壓并提供驅(qū)動(dòng)電流。
2023-05-17 10:21:391475 在電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中，柵極驅(qū)動(dòng)器或“預(yù)驅(qū)動(dòng)器” IC常與N溝道功率MOSFET一起使用，以提供驅(qū)動(dòng)電機(jī)所需的大電流。在選擇驅(qū)動(dòng)器IC、MOSFET以及某些情況下用到的相關(guān)無源元件時(shí)，有很多需要考量的設(shè)計(jì)因素。如果對(duì)這個(gè)過程了解不透徹，將導(dǎo)致實(shí)現(xiàn)方式的差強(qiáng)人意。
2023-08-02 18:18:34809 
BLDC電機(jī)控制解決方案 ，該方案由高度集成的三相智能柵極驅(qū)動(dòng)器實(shí)現(xiàn)，可直接驅(qū)動(dòng)三個(gè)N溝道MOSFET電橋，而內(nèi)部的降壓-升壓功能還可進(jìn)一步減少器件數(shù)量，從而提供系統(tǒng)電源。 系統(tǒng)框圖 此次給大家?guī)淼?b class="flag-6" style="color: red">方案由6個(gè)具有低導(dǎo)通電阻的
2023-10-12 18:15:01303 
意法半導(dǎo)體（下文為ST）的功率MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器旨在提供穩(wěn)健性、可靠性、系統(tǒng)集成性和靈活性的完美結(jié)合。
2024-02-27 09:05:36580 
在一個(gè)封裝中集成了dsPIC33數(shù)字信號(hào)控制器（DSC）、一個(gè)三相MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器和可選LIN或CANFD收發(fā)器。這種集成的一個(gè)顯著優(yōu)勢(shì)是減少電機(jī)控制系統(tǒng)設(shè)
2024-03-08 08:22:30117 
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