前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出新款通過(guò)AEC-Q101認(rèn)證并具有ESD保護(hù)的600V標(biāo)準(zhǔn)整流器---SE20AFJ和SE30AFJ。對(duì)于空間有限的應(yīng)用，新器件可提供2A和3A的正向電流和高
2012-11-22 09:11:46
1053 Vishay推出具有高電流密度的新款45V TMBS? Trench MOS勢(shì)壘肖特基整流器--- VSSAF3L45和VSSAF5L45
2012-12-06 10:29:431353 Vishay Intertechnology， Inc.宣布，推出19款采用DPAK、TO-220、D2PAK、TO-262、TO-247和改進(jìn)型TO-247封裝的汽車(chē)級(jí)FRED Pt?和HEXFRED?極快和超快整流器和軟恢復(fù)二極管。
2013-01-10 11:21:351332 
在40kHz以上的應(yīng)用，具有極快的和軟恢復(fù)的時(shí)間，以及低正向壓降和反向峰值電流，可減少太陽(yáng)能逆變器、UPS、電動(dòng)汽車(chē)和混合動(dòng)力汽車(chē)、電焊機(jī)、服務(wù)器和連續(xù)導(dǎo)通模式功率因數(shù)校正（CCM PFC）中的開(kāi)關(guān)損耗。根據(jù)用戶需求設(shè)計(jì)的“U”系列可用于頻率最高為40kHz的應(yīng)用，具有低得多的正向壓降，可優(yōu)化導(dǎo)通損耗。
2013-05-31 10:33:25706 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出10款可焊的FRED Pt Hyperfast和Ultrafast快恢復(fù)整流器，其中包括業(yè)界首款采用SMA封裝的3A器件，采用SMB封裝的3A和4A器件，以及采用SMC封裝的4A和5A器件。
2013-06-06 12:36:211081 Vishay Intertechnology宣布，推出6顆新的1A和2A電流的FRED Pt? 超快恢復(fù)整流器---VS-1EFH01HM3、VS-1EFH01-M3、VS-2EFH01HM3
2015-07-07 11:47:49735 昨日下午，微軟在北京舉辦發(fā)布會(huì)，正式推出第五代小冰，微軟這款主打EQ（情商）的聊天機(jī)器人進(jìn)入完成態(tài)。
2017-08-23 09:55:081787 新整流器的潮濕敏感度等級(jí)達(dá)到J-STD-020標(biāo)準(zhǔn)的1級(jí)，LF最高峰值為+260℃。器件符合RoHS，無(wú)鹵素，非常適合自動(dòng)貼片，適應(yīng)汽車(chē)系統(tǒng)里自動(dòng)光學(xué)檢測(cè)（AOI）。
2018-03-21 16:08:2010373 在導(dǎo)通數(shù)據(jù)中，原本2，742μJ的開(kāi)關(guān)損耗變?yōu)?，690μJ，損耗減少了約38%。在關(guān)斷數(shù)據(jù)中也從2，039μJ降至1，462μJ，損耗減少了約30%。
2020-07-17 17:47:44949 
Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào)：VSH)宣布，推出新款采用DO-214AC封裝的高壓、超快表面貼裝雪崩整流器---BYG23T。該器件將1.98mm的低外形、1300V的極高反向恢復(fù)電壓和75ns的快速反向恢復(fù)
2012-04-18 11:05:17781 Vishay宣布，推出eSMP?系列SMP （DO-220AA）封裝八款新型100 V和200 V器件，擴(kuò)充其FRED Pt?超快恢復(fù)整流器陣容，包括業(yè)內(nèi)額定電流首度達(dá)到2 A的器件。
2019-06-13 16:23:581371 FRED產(chǎn)品是一種為優(yōu)化整流器性能而設(shè)計(jì)的超快恢復(fù)產(chǎn)品，擁有較低的正向壓降和極低的恢復(fù)時(shí)間，現(xiàn)有的產(chǎn)品分布在200V~600V，5A~20A，具有多種封裝類型。
2020-08-14 14:50:17945 整流器采用TO-220AC和TO-247AD封裝，X型為Hyperfast超高速恢復(fù)整流器，H型為Ultrafast超快恢復(fù)整流器。
2021-04-01 09:16:081529 
Trench肖特基整流器能夠?qū)崿F(xiàn)超快的開(kāi)關(guān)速度，既能減少整流器的開(kāi)關(guān)損耗，又減少了同一換向單元中MOSFET產(chǎn)生的損耗（此種配置通常用于異步開(kāi)關(guān)模式功率轉(zhuǎn)換器）。
2021-05-10 09:16:301033 15 A至 75 A器件提高電動(dòng)汽車(chē)/混合動(dòng)力汽車(chē)車(chē)載充電器AC/DC和DC/DC轉(zhuǎn)換器效率。
2021-11-03 14:16:301051 
日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出四款采用TO-220 FullPAK 2L全隔離封裝的新型FRED Pt? 第五代600
2022-10-11 13:51:48521 
日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出四款新系列200 V FRED Pt? 超快恢復(fù)整流器---1 A VS-1EAH02xM3
2023-06-26 15:19:16373 
本帖最后由 elecfans跑堂 于 2015-9-14 10:19 編輯
新五代的密碼哦
2015-09-12 12:17:58
和計(jì)算開(kāi)關(guān)損耗，并討論功率MOSFET導(dǎo)通過(guò)程和自然零電壓關(guān)斷過(guò)程的實(shí)際過(guò)程，以便電子工程師了解哪個(gè)參數(shù)起主導(dǎo)作用并了解MOSFET. 更深入地MOSFET開(kāi)關(guān)損耗1，通過(guò)過(guò)程中的MOSFET開(kāi)關(guān)損耗功率M...
2021-10-29 08:43:49
、遙測(cè)和無(wú)人值守。 開(kāi)關(guān)整流器是電源系統(tǒng)中最重要的部分，它的技術(shù)是否先進(jìn)，關(guān)系著開(kāi)關(guān)電源系統(tǒng)的功能和可靠性。因此，一些自主開(kāi)發(fā)的廠商很注重開(kāi)關(guān)整流器技術(shù)性能的改進(jìn)，其目的是使開(kāi)關(guān)整流器的可靠性和效率得到很大提高，使其成本和高頻電磁干擾降低。`
2014-08-07 10:45:24
的過(guò)渡過(guò)程分段轉(zhuǎn)化成矩形和三角形面積，利用式(3)可以計(jì)算出這個(gè)損耗。 分析輸出整流器的開(kāi)關(guān)損耗則要復(fù)雜得多。整流器自身固有的特性在局部電路內(nèi)會(huì)引發(fā)很多問(wèn)題。 開(kāi)通期間，過(guò)渡過(guò)程是由整流管的正向恢復(fù)特性
2020-08-27 08:07:20
的過(guò)渡過(guò)程分段轉(zhuǎn)化成矩形和三角形面積，利用式（3）可以計(jì)算出這個(gè)損耗?！ 》治鲚敵?b class="flag-6" style="color: red">整流器的開(kāi)關(guān)損耗則要復(fù)雜得多。整流器自身固有的特性在局部電路內(nèi)會(huì)引發(fā)很多問(wèn)題?！ ￠_(kāi)通期間，過(guò)渡過(guò)程是由整流管的正向
2023-03-16 16:37:04
一、開(kāi)關(guān)損耗包括開(kāi)通損耗和關(guān)斷損耗兩種。開(kāi)通損耗是指功率管從截止到導(dǎo)通時(shí)所產(chǎn)生的功率損耗；關(guān)斷損耗是指功率管從導(dǎo)通到截止時(shí)所產(chǎn)生的功率損耗。二、開(kāi)關(guān)損耗原理分析：(1)、非理想的開(kāi)關(guān)管在開(kāi)通時(shí)，開(kāi)關(guān)
2021-10-29 07:10:32
（快速恢復(fù)二極管）相結(jié)合的IGBT功率模塊應(yīng)用廣泛。IGBT模塊存在IGBT的尾電流和FRD的恢復(fù)電流導(dǎo)致開(kāi)關(guān)損耗大的課題，而SiC-MOSFET和SiC-SBD組成的“全SiC”模塊則可顯著降低開(kāi)關(guān)損耗
2018-12-04 10:14:32
1概述嵌入式系統(tǒng)要在5G時(shí)代中蓬勃發(fā)展，就需要針對(duì)5G特點(diǎn)，進(jìn)行有針對(duì)性的應(yīng)用于創(chuàng)新。1.15G的特點(diǎn)第五代移動(dòng)通信技術(shù)的特點(diǎn)主要在：（1）高速率，5G網(wǎng)絡(luò)的下載速度高達(dá)10 Gbit/s,，比4G
2021-12-22 08:05:19
和三角形面積，利用式(3)可以計(jì)算出這個(gè)損耗。分析輸出整流器的開(kāi)關(guān)損耗則要復(fù)雜得多。整流器自身固有的特性在局部電路內(nèi)會(huì)引發(fā)很多問(wèn)題。開(kāi)通期間，過(guò)渡過(guò)程是由整流管的正向恢復(fù)特性決定的。正向恢復(fù)
2019-09-23 08:00:00
，實(shí)施成本低且性能可靠。然而，二極管橋式整流器的導(dǎo)通損耗是不可避免的，且這將不支持車(chē)輛向AC電網(wǎng)提供電能的雙向運(yùn)行。采用多通道交錯(cuò)式傳統(tǒng)升壓轉(zhuǎn)換器，對(duì)升壓電路進(jìn)行多次迭代，可改善某些系統(tǒng)性能參數(shù)，但并不能
2022-05-30 10:01:52
如圖片所示，為什么MOS管的開(kāi)關(guān)損耗（開(kāi)通和關(guān)斷過(guò)程中）的損耗是這樣算的，那個(gè)72pF應(yīng)該是MOS的輸入電容，2.5A是開(kāi)關(guān)電源限制的平均電流
2018-10-11 10:21:49
-請(qǐng)問(wèn)各位專家，我是個(gè)電源新手，剛開(kāi)始接觸MOS管。現(xiàn)在又些問(wèn)題，開(kāi)關(guān)損耗主要是導(dǎo)通和關(guān)斷這兩個(gè)過(guò)程，其它損耗可忽略嗎？
2019-06-27 09:10:01
本帖最后由 小小的大太陽(yáng) 于 2017-5-31 10:06 編輯
MOS管的導(dǎo)通損耗影響最大的就是Rds，而開(kāi)關(guān)損耗好像不僅僅和開(kāi)關(guān)的頻率有關(guān)，與MOS管的結(jié)電容，輸入電容，輸出電容都有關(guān)系吧？具體的關(guān)系是什么？有沒(méi)有具體計(jì)算開(kāi)關(guān)損耗的公式？
2017-05-31 10:04:51
`Nexperia 200V超快恢復(fù)整流器擁有高功率密度，同時(shí)最大限度地減少了反向恢復(fù)時(shí)間和損耗。這些器件是大功率密度、超快恢復(fù)整流器，采用高效平面技術(shù)，采用小型扁平引線SOD123W或SOD128
2020-02-13 14:30:30
時(shí)間trr快（可高速開(kāi)關(guān)）?trr特性沒(méi)有溫度依賴性?低VF（第二代SBD）下面介紹這些特征在使用方面發(fā)揮的優(yōu)勢(shì)。大幅降低開(kāi)關(guān)損耗SiC-SBD與Si二極管相比，大幅改善了反向恢復(fù)時(shí)間trr。右側(cè)的圖表為
2019-03-27 06:20:11
濾波電感。有了電容濾波器，LLC轉(zhuǎn)換器還可以使用額定電壓較低的整流器，從而降低系統(tǒng)成本。此外，次級(jí)側(cè)整流器可實(shí)現(xiàn)零電流轉(zhuǎn)換，大大減少了反向恢復(fù)損耗。利用LLC拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的各項(xiàng)優(yōu)勢(shì)，可進(jìn)一步提高效率，降低輸出整流器的損耗。
2019-08-07 08:10:47
管的吸收電容在開(kāi)關(guān)狀態(tài)下引起的尖峰電流反射到原邊回路上，引起的開(kāi)關(guān)損耗。另外還有吸收電路上的電阻充放電引起的損耗。當(dāng)然還有整流管上的開(kāi)關(guān)損耗、導(dǎo)通損耗和反向恢復(fù)損耗，這應(yīng)該在允許的情況下盡量選擇導(dǎo)通壓降低
2019-10-09 08:00:00
上，引起的開(kāi)關(guān)損耗。另外還有吸收電路上的電阻充放電引起的損耗。改善方法：在其他指標(biāo)允許的前提下盡量降低吸收電容的容值，降低吸收電阻的阻值。當(dāng)然還有整流管上的開(kāi)關(guān)損耗、導(dǎo)通損耗和反向恢復(fù)損耗，這應(yīng)該在允許的情況下盡量選擇導(dǎo)通壓降低和反向恢復(fù)時(shí)間短的二極管。10、輸出反饋電路的損耗
2021-04-09 14:18:40
和三角形面積，利用式(3)可以計(jì)算出這個(gè)損耗。分析輸出整流器的開(kāi)關(guān)損耗則要復(fù)雜得多。整流器自身固有的特性在局部電路內(nèi)會(huì)引發(fā)很多問(wèn)題。開(kāi)通期間，過(guò)渡過(guò)程是由整流管的正向恢復(fù)特性決定的。正向恢復(fù)
2019-09-02 08:00:00
（典型值）的低開(kāi)關(guān)損耗（關(guān)斷損耗），與東芝當(dāng)前產(chǎn)品GT50JR22相比降低了大約42% 。此外，新款IGBT還包含一個(gè)內(nèi)置的二極管，其正向電壓為1.2V（典型值） ，比GT50JR22降低了大約43
2023-03-09 16:39:58
是基于技術(shù)規(guī)格書(shū)中的規(guī)格值的比較，Eon為開(kāi)關(guān)導(dǎo)通損耗，Eoff為開(kāi)關(guān)關(guān)斷損耗、Err為恢復(fù)損耗。全SiC功率模塊的Eon和Eoff都顯著低于IGBT，至于Err，由于幾乎沒(méi)有Irr而極其微小。結(jié)論是開(kāi)關(guān)損耗
2018-11-27 16:37:30
：RGWxx65C系列的亮點(diǎn)＞使用SiC SBD作為續(xù)流二極管的Hybrid IGBT650V耐壓，IC(100℃) 30A/40A/50A有3種可選通過(guò)使用SiC SBD，顯著降低了導(dǎo)通時(shí)的開(kāi)關(guān)損耗用于xEV車(chē)載
2022-07-27 10:27:04
，使用下面公式計(jì)算： 五、開(kāi)關(guān)損耗分析插件高端示波器通常亦集成了開(kāi)關(guān)損耗分析插件，由于導(dǎo)通狀態(tài)電壓測(cè)量不準(zhǔn)確，所以導(dǎo)通狀態(tài)的計(jì)算公式是可以修改的，主要有三種：●UI，U和I均為測(cè)量值●I2R，I為測(cè)量
2021-11-18 07:00:00
開(kāi)關(guān)條件得以改善，降低硬開(kāi)關(guān)的開(kāi)關(guān)損耗和開(kāi)關(guān)噪聲，從而 提高了電路的效率?！ D1 理想狀態(tài)下軟開(kāi)關(guān)和硬開(kāi)關(guān)波形比較圖軟開(kāi)關(guān)包括軟開(kāi)通和軟關(guān)斷兩個(gè)過(guò)程： 理想的軟開(kāi)通過(guò)程是：開(kāi)關(guān)器件兩端的電壓先下
2019-08-27 07:00:00
的影響更明顯。（3）降低米勒電壓，也就是降低閾值開(kāi)啟電壓同時(shí)提高跨導(dǎo)，也可以提高開(kāi)關(guān)速度，降低開(kāi)關(guān)損耗。但過(guò)低的閾值電壓會(huì)使MOSFET容易受到干擾誤導(dǎo)通，而跨導(dǎo)和工藝有關(guān)。
2017-03-06 15:19:01
完全開(kāi)通，只有導(dǎo)通電阻產(chǎn)生的導(dǎo)通損耗，沒(méi)有開(kāi)關(guān)損耗。t1-t2、t2-t3二個(gè)階段，電流和電壓產(chǎn)生重疊交越區(qū)，因此產(chǎn)生開(kāi)關(guān)損耗。同時(shí)，t1-t2和t2-t3二個(gè)階段工作于線性區(qū)，因此功率MOSFET
2017-02-24 15:05:54
的優(yōu)勢(shì)。大幅降低開(kāi)關(guān)損耗SiC-SBD與Si二極管相比，大幅改善了反向恢復(fù)時(shí)間trr。右側(cè)的圖表為SiC-SBD與Si-FRD（快速恢復(fù)二極管）的trr比較。恢復(fù)的時(shí)間trr很短，二極管關(guān)斷時(shí)的反向電流
2018-12-04 10:26:52
如何更加深入理解MOSFET開(kāi)關(guān)損耗？Coss產(chǎn)生開(kāi)關(guān)損耗與對(duì)開(kāi)關(guān)過(guò)程有什么影響？
2021-04-07 06:01:07
求一個(gè)五電平整流器
2021-10-04 09:42:29
就要降低。芯片選型的時(shí)候，選擇芯片工作在輕載和空載情況下會(huì)跳頻（即降低空載和輕載的工作頻率），MOS管要選用低柵荷的，從而降低損耗?！ ?b class="flag-6" style="color: red">整流管D1損耗包括開(kāi)關(guān)損耗，反向恢復(fù)損耗，導(dǎo)通損耗。整流管選型
2023-03-20 16:59:01
求一種使可控硅整流器導(dǎo)通的方法。既然可控硅整流器的特點(diǎn)：是“一觸即發(fā)”。那么，又用什么方法才能使導(dǎo)通的晶閘管關(guān)斷呢？
2021-04-09 06:27:26
和三角形面積，利用式(3)可以計(jì)算出這個(gè)損耗。 分析輸出整流器的開(kāi)關(guān)損耗則要復(fù)雜得多。整流器自身固有的特性在局部電路內(nèi)會(huì)引發(fā)很多問(wèn)題。 開(kāi)通期間，過(guò)渡過(guò)程是由整流管的正向恢復(fù)特性決定的。正向恢復(fù)
2020-08-07 08:06:08
矩形和三角形面積，利用式(3)可以計(jì)算出這個(gè)損耗。分析輸出整流器的開(kāi)關(guān)損耗則要復(fù)雜得多。整流器自身固有的特性在局部電路內(nèi)會(huì)引發(fā)很多問(wèn)題。開(kāi)通期間，過(guò)渡過(guò)程是由整流管的正向恢復(fù)特性決定的。正向恢復(fù)
2020-08-04 08:00:00
電鍍整流器可分為可控硅電源（俗稱硅整流）和高頻開(kāi)關(guān)整流器（亦稱開(kāi)關(guān)電源）兩種。
2019-09-18 09:10:26
歡迎回到直流/直流轉(zhuǎn)換器數(shù)據(jù)表系列。鑒于在上一篇文章中我介紹了系統(tǒng)效率方面的內(nèi)容，在本文中，我將討論直流/直流穩(wěn)壓器部件的開(kāi)關(guān)損耗，從第1部分中的圖3（此處為圖1）開(kāi)始：VDS和ID曲線隨時(shí)間變化
2018-08-30 15:47:38
的阻值。當(dāng)然還有整流管上的開(kāi)關(guān)損耗、導(dǎo)通損耗和反向恢復(fù)損耗，這應(yīng)該在允許的情況下盡量選擇導(dǎo)通壓降低和反向恢復(fù)時(shí)間短的二極管。輸出反饋電路的損耗
2021-05-18 06:00:00
穩(wěn)壓器進(jìn)入非連續(xù)導(dǎo)通模式。在此模式下，該設(shè)備仍保持開(kāi)關(guān)頻率。在每一個(gè)周期，功率仍在集成電路（IC）內(nèi)部消散。因此，即使導(dǎo)通損耗在輕負(fù)載時(shí)并非一個(gè)因素，但由于一直存在開(kāi)關(guān)損耗，設(shè)備的效率會(huì)受到影響。并且
2018-06-05 09:39:43
請(qǐng)您介紹一下驅(qū)動(dòng)器源極引腳是如何降低開(kāi)關(guān)損耗的。首先，能否請(qǐng)您對(duì)使用了驅(qū)動(dòng)器源極引腳的電路及其工作進(jìn)行說(shuō)明？Figure 4是具有驅(qū)動(dòng)器源極引腳的MOSFET的驅(qū)動(dòng)電路示例。它與以往驅(qū)動(dòng)電路
2020-07-01 13:52:06
匯佳第五代25-29寸彩色電視機(jī)電路圖，匯佳第五代25-29寸彩電圖紙，匯佳第五代25-29寸原理圖。
2009-05-25 11:46:05
234 iPod nano(第五代)功能指南手冊(cè)
2009-12-10 15:37:08110 IGBT/FWD功率損耗模擬系統(tǒng) （英文，含第五代U系列IGBT）
2010-07-20 09:10:20113 Vishay推出新款高速PIN光敏二極管
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出VBPW34x和VBP104x系列高速SMD PIN光敏二極管，新器件采用鷗翼和倒鷗翼型封裝
2009-11-13 09:21:28745 Vishay推出PowerBridge封裝單列直插橋式整流器
Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）今天宣布，推出新系列增強(qiáng)型高電流密度PowerBridgeTM整流器。整流器的額定電
2009-12-29 09:24:04817 Vishay推出新系列增強(qiáng)型高電流密度PowerBridgeTM整流器
Vishay Intertechnology日前宣布，推出新系列增強(qiáng)型高電流密度PowerBridgeTM整流器。整流器的額定電流高達(dá)30～45A，最大峰
2010-01-06 10:45:07742 
Vishay推出新款薄膜貼片電阻
日前，VishayIntertechnology,Inc.（NYSE股市代號(hào)：VSH）宣布，推出為鉆井和航空等極端高溫環(huán)境優(yōu)化的新系列打線式、裸芯片貼片式
2010-04-17 16:12:54676 Vishay推出6款用于消費(fèi)電子應(yīng)用的FRED Pt超快恢復(fù)整流器。新的600V、8A器件在額定電流下具有1V的超低典型壓降，在硬開(kāi)關(guān)條件下的快速恢復(fù)時(shí)間只有16ns，在125℃下的典型泄漏電流低
2010-05-31 14:57:481425 Vishay 宣布對(duì)其使用Trench MOS勢(shì)壘肖特基技術(shù)的TMBS?整流器產(chǎn)品組合進(jìn)行大幅擴(kuò)充。Vishay今天共發(fā)布采用4種封裝類型、電流等級(jí)從10A至60A的20款45V器件
2011-03-21 11:09:171029 8S2TH06I-M是Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）推出的600V FRED PtTM Hyperfast串級(jí)整流器。
2011-04-01 09:36:43783 Vishay Intertechnology, Inc.推出采用GSIB-5S封裝的新款單相直排橋式整流器--- LVB1560和LVB2560。
2011-04-13 10:52:351400 Vishay Intertechnology宣布，發(fā)布34款采用6種功率封裝的新型600 V FRED Pt? Hyperfast和Ultrafast整流器
2011-07-01 09:07:121028 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出18款采用TO-252AA (D-PAK)功率塑料SMD封裝、正向電流為4A～15A的200V和600V的FRED Pt Hyperfast和Ultrafast整流器
2011-09-09 09:13:333410 FRED Pt?超快恢復(fù)整流器。這些整流器具有超快和軟恢復(fù)特性、低泄漏電流和低正向壓降，通過(guò)AEC-Q101認(rèn)證，在汽車(chē)和電信應(yīng)用里可減少開(kāi)關(guān)損耗和功耗。
2014-04-28 14:29:291068 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出4個(gè)采用的小尺寸、低外形SMF （DO-219AB） eSMP?系列封裝的新型1A FRED Pt?超快恢復(fù)整流器。
2014-08-18 16:36:271718 
2015 年 1 月8 日 — 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出六款采用小尺寸、超薄、表面貼裝SMF（DO-219AB） eSMP? 封裝的新款整流器。
2015-01-09 11:48:17817 ，電壓100V至600V的新款標(biāo)準(zhǔn)整流器---SE10DxHM3/1、SE12DxHM3/1和SE20DxHM3/1。
2015-02-11 11:59:291083 這些Vishay Semiconductors整流器具有極快和軟恢復(fù)熱性、低漏電流和低正向壓降，在汽車(chē)、照明和通信應(yīng)用里可減少開(kāi)關(guān)損耗和過(guò)熱情況，同時(shí)為T(mén)O-263（D2PAK）封裝提供了低高度的替代產(chǎn)品。
2015-04-29 17:09:57526 FRED Pt? Gen 4 Ultrafast快恢復(fù)二極管，這些器件適用于電源模塊、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、UPS、太陽(yáng)能逆變器、焊機(jī)逆變器里的高頻轉(zhuǎn)換器。
2015-06-02 15:10:531010 第五代增強(qiáng)型STC自動(dòng)燒錄器資料包。
2016-03-22 14:31:048 這些200V器件有汽車(chē)級(jí)和商用/工業(yè)版本，高度小于1mm，可實(shí)現(xiàn)最高8A的單陰極結(jié)構(gòu) 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新的200V FRED Pt
2018-04-06 11:15:004106 來(lái)源：新華網(wǎng) 9月15日，第五代途勝全球首發(fā)亮相，全球網(wǎng)友通過(guò)云直播、借助CG（特效動(dòng)畫(huà)）、AR（增強(qiáng)現(xiàn)實(shí)）等新技術(shù)全方位地了解這款全新車(chē)型。 目前，途勝系列車(chē)型全球累計(jì)銷量超過(guò)700萬(wàn)輛，在中國(guó)
2020-09-17 16:02:381640 年全新推出的第五代、車(chē)載顯示系列新品已經(jīng)跟大家見(jiàn)過(guò)面了，并在上一篇推文中，觸想小編已經(jīng)詳細(xì)解析過(guò)五代新品的由來(lái)。 今天，小編就繼續(xù)跟大家聊一聊，關(guān)于第五代新品，你們關(guān)心的一個(gè)核心問(wèn)題： 第五代新品有哪些最為顯著的優(yōu)勢(shì)？ 與前幾代產(chǎn)
2020-11-24 15:51:451494 多方消息指出，蘋(píng)果最快3月發(fā)布第五代iPad Pro。
2021-01-12 17:23:243196 新型 30 V n 溝道 TrenchFET?第五代功率 MOSFET，提升隔離和非隔離拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)功率密度和能效。 Vishay Siliconix?SiSS52DN?采用熱增強(qiáng)型 3.3 mm
2021-05-28 17:25:572155 一、開(kāi)關(guān)損耗包括開(kāi)通損耗和關(guān)斷損耗兩種。開(kāi)通損耗是指功率管從截止到導(dǎo)通時(shí)所產(chǎn)生的功率損耗；關(guān)斷損耗是指功率管從導(dǎo)通到截止時(shí)所產(chǎn)生的功率損耗。二、開(kāi)關(guān)損耗原理分析：(1)、非理想的開(kāi)關(guān)管在開(kāi)通時(shí)，開(kāi)關(guān)
2021-10-22 10:51:0611 推出 10 款符合 AEC-Q101 標(biāo)準(zhǔn)，適用于汽車(chē)應(yīng)用的新型 FRED Pt 600 V 第五代 Hyperfast 和 Ultrafast 整流器。Vishay Semiconductors
2021-11-05 15:35:361798 
wifi技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)第四代是第四代移動(dòng)通信技術(shù)的意思，第五代就是第五代移動(dòng)通信技術(shù)，那么這兩代之間有什么區(qū)別呢？
2022-01-01 16:43:0032519 Vishay 推出四款新型 TO-244 封裝第 5 代 FRED Pt 600V Ultrafast 整流器。 Vishay Semiconductors 整流器新款 240A、300A、480A 和 600A 具有出色導(dǎo)通和開(kāi)關(guān)損耗特性，能有效提高中頻功率轉(zhuǎn)換器以及軟硬開(kāi)關(guān)或諧振電路的效率。
2022-08-25 17:33:11945 Vishay 推出 15 款采用 SOT-227 小型封裝的新型 FRED Pt 第五代 600V 和 1200V Hyperfast 和 Ultrafast 恢復(fù)整流器。
2022-09-16 10:52:20737 Vishay 推出四款采用 TO-220 FullPAK 2L 全隔離封裝的新型 FRED Pt 第五代 600V Hyperfast 恢復(fù)整流器。
2022-10-14 16:11:241101 Vishay ?FRED Pt Hyperfast 恢復(fù)整流器? 1 A 整流器適用于工業(yè)和汽車(chē)應(yīng)用 Q rr 低至 150 nC VF 為 1.10 V 同時(shí)降低寄生電容并提高 E rec
2023-01-19 17:20:05735 
全SiC功率模塊與現(xiàn)有的IGBT模塊相比，具有1）可大大降低開(kāi)關(guān)損耗、2）開(kāi)關(guān)頻率越高總體損耗降低程度越顯著 這兩大優(yōu)勢(shì)。
2023-02-08 13:43:22676 
上一篇文章中探討了同步整流降壓轉(zhuǎn)換器的功率開(kāi)關(guān)--輸出端MOSFET的傳導(dǎo)損耗。本文將探討開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)產(chǎn)生的開(kāi)關(guān)損耗。開(kāi)關(guān)損耗：見(jiàn)文識(shí)意，開(kāi)關(guān)損耗就是開(kāi)關(guān)工作相關(guān)的損耗。在這里使用PSWH這個(gè)符號(hào)來(lái)表示。
2023-02-23 10:40:49624 
Vishay 推出四款新系列200 V FRED Pt 超快恢復(fù)整流器，這些器件采用薄型易于吸附焊錫的側(cè)邊焊盤(pán) DFN3820A封裝。1 A VS-1EAH02xM3
2023-06-21 17:25:00525 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《同步整流器可降低LLC諧振電源的傳導(dǎo)損耗.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-07-26 10:40:300 使用SiC MOSFET時(shí)如何盡量降低電磁干擾和開(kāi)關(guān)損耗
2023-11-23 09:08:34333 
超快恢復(fù)整流二極管（Ultrafast Recovery Diode）是一種具有更快恢復(fù)時(shí)間的特殊二極管。它的作用在于降低開(kāi)關(guān)電源、電流整流以及頻率較高的電路中的功耗和損耗。
2024-02-01 18:25:39915 據(jù)悉，第五代超級(jí)電池既繼承前四代智能電池的優(yōu)勢(shì)，又在重要技術(shù)升級(jí)中取得突破，包括能量密度和放電倍率等指標(biāo)。相較于第四代智能電池，第五代超級(jí)電池能量密度顯著提升 20%。
2024-02-22 14:14:25220 Vishay 推出多功能新型 30 V N 溝道 TrenchFET 第五代功率 MOSFET，進(jìn)一步提高工業(yè)、計(jì)算機(jī)、消費(fèi)電子和通信應(yīng)用的功率密度，增強(qiáng)熱性能。
2024-02-22 17:11:08356 
全球知名半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商Vishay日前宣布推出其最新型的多功能30V N溝道TrenchFET?第五代功率MOSFET——Vishay Siliconix SiSD5300DN。這款新型功率
2024-03-12 10:38:14106
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