半壁江山。在射頻器件領域，目前LDMOS（橫向擴散金屬氧化物半導體）、GaAs（砷化鎵）、GaN（氮化鎵）三者占比相差不大，但據Yole development預測，至2025年，砷化鎵市場份額基本維持不變
2019-05-06 10:04:10
化合物半導體在通訊射頻領域主要用于功率放大器、射頻開關、濾波器等器件中。砷化鎵（GaAs）、氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）半導體分別作為第二代和第三代半導體的代表，相比第一代半導體高頻性能、高溫性能優異很多，制造成本更為高昂，可謂是半導體中的新貴。
2019-09-11 11:51:19
波濾波器全部采用CMOS單片器件。此RFeIC設計用于802.11b/g/n/ac應用程序工作頻率2.4GHz。性能優越，靈敏度高而且效率高，噪音低，體積小，成本低RFX2402E是單天線應用的理想
2019-11-08 17:07:27
CMOS器件空閑管腳怎么處理？
2021-11-05 08:40:06
CMOS射頻電路的發展趨勢如何？
2021-05-31 06:05:08
手機上還不現實，但業界還是要關 注射頻氮化鎵技術的發展。“與砷化鎵（GaAs）和磷化銦（InP）等高頻工藝相比，氮化鎵器件輸出的功率更大；與LDCMOS和碳化硅（SiC）等功率工藝相比，氮化鎵的頻率特性
2016-08-30 16:39:28
組件策略轉向砷化鎵制程，將使得宏捷科、穩懋等代工廠有機會受益，至于對臺積電的影響則有待觀察。
高通CEO Steve Mollenkopf回應時表示，與TDK合作推出的“gallium arsenide
2019-05-27 09:17:13
文章主要介紹了當前射頻集成電路研究中的半導體技術和CAD技術，并比較和討論了硅器件和砷化鎵器件、射頻集成電路CAD和傳統電路CAD的各自特點。近年來，無線通信市場的蓬勃發展，特別是移動電話、無線
2019-07-05 06:53:04
SiC器件的50%至70%。可用性 –砷化鎵作為一種材料已經在射頻應用中廣泛使用，是世界上第二大最常用的半導體材料。由于其廣泛使用，它可以從多個來源獲得，其制造工藝類似于硅。這些因素都支持該技術的低成本
2023-02-22 17:13:39
砷化鎵銦微光顯微鏡(InGaAs)與微光顯微鏡(EMMI)其偵測原理相同，都是用來偵測故障點定位，尋找亮點、熱點(Hot Spot)的工具，其原理都是偵測電子-電洞結合與熱載子所激發出的光子。差別
2018-10-24 11:20:30
CMOS單芯片/單硅片射頻前端集成電路的性能優于基于砷化鎵/鍺硅的射頻前端解決方案RFaxis開始為智能手機和平板電腦用雙模Wi-Fi/藍牙、WLAN 11a/n/ac、無線音頻、ZigBee和智能能源
2018-07-09 15:16:33
` 本帖最后由 射頻技術 于 2021-4-8 09:16 編輯
Wolfspeed的CG2H80015D是氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）。GaN具有比硅或砷化鎵更高的性能，包括
2021-04-07 14:31:00
CGHV96050F1是款碳化硅(SiC)基材上的氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。與其它同類產品相比，這些GaN內部搭配CGHV96050F1具有卓越的功率附帶效率。與硅或砷化鎵
2024-01-19 09:27:13
`Cree的CGHV96100F2是氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）在碳化硅（SiC）基板上。 該GaN內部匹配（IM）FET與其他技術相比，具有出色的功率附加效率。 氮化鎵與硅或砷化
2020-12-03 11:49:15
Cree的CMPA801B025是氮化鎵（GaN）高電子遷移率基于晶體管（HEMT）的單片微波集成電路（MMIC）。 氮化鎵與硅或砷化鎵相比具有更好的性能，包括更高的擊穿電壓，更高的飽和電子漂移速度
2020-12-03 11:46:10
鎵技術的這類二極管。產品型號：DU2840S產品名稱：射頻晶體管DU2840S產品特性N溝道增強型器件比雙極器件低的噪聲系數高飽和輸出功率寬帶操作的低電容DMOS結構?DU2840S產品詳情
2018-08-09 10:16:17
公司提供采用硅、砷化鎵或砷化鋁鎵技術的這類二極管。產品型號：DU2880V產品名稱：射頻晶體管DU2880V產品特性N溝道增強型器件比雙極器件低的噪聲系數高飽和輸出功率寬帶操作的低電容DMOS結構
2018-08-08 11:48:47
°C常規芯片FHC30LG砷化鎵晶體管FHC40LG砷化鎵晶體管FHX04LG砷化鎵晶體管FHX04X砷化鎵晶體管FHX06X砷化鎵晶體管FHX13LG砷化鎵晶體管FHX13X砷化鎵晶體管
2021-03-30 11:21:24
` 本帖最后由 330538935 于 2018-5-25 17:14 編輯
FHX45X 砷化鎵功率管產品介紹FHX45X詢價熱FHX45X現貨王先生 深圳市首質誠科技有限FHX45X是超高
2018-05-25 17:03:59
?無外部匹配?針對每個頻段進行了優化筆記Tc（op）= + 25°CELM5964-16F砷化鎵場效應管FLM5964-18F砷化鎵場效應管FLM5964-25F砷化鎵場效應管FLM5964-35F砷化
2021-03-30 12:35:14
寬禁帶半導體材料氮化鎵（GaN）以其良好的物理化學和電學性能成為繼第一代元素半導體硅（Si）和第二代化合物半導體砷化鎵（GaAs）、磷化鎵（GaP）、磷化銦（InP）等之后迅速發展起來的第三代半導體
2019-06-25 07:41:00
的HG106A砷化鎵線性霍爾效應IC采用電子遷移率比硅大5～6倍的砷化鎵作為器件的半導體材料，而砷化鎵被譽為“半導體材料中的貴族”，原因就是砷化鎵制成的半導體器件相對于傳統的硅半導體具有高頻、高溫
2013-11-13 10:56:14
關鍵詞：AKM，旭化成，砷化鎵線性霍爾效應IC，響拇指電子，Sumzi提要：AKM的HG106C砷化鎵線性霍爾效應IC采用電子遷移率比硅大5～6倍的砷化鎵作為器件的半導體材料，而砷化鎵被譽為“半導體
2013-11-13 10:54:57
Sumzi官網AKE的HG166A砷化鎵線性霍爾效應IC采用電子遷移率比硅大5～6倍的砷化鎵作為器件的半導體材料，而砷化鎵被譽為“半導體材料中的貴族”，原因就是砷化鎵制成的半導體器件相對于傳統的硅半導體具有
2013-11-13 10:53:33
教授，AIXTRON SE 全球副總裁Michael HEUKEN帶來了寬禁帶器件在汽車應用中的加速采用的報告，分享了目前的發展現狀及AIXTRON的策略。近年來，垂直氮化鎵器件，尤其是硅襯底上，因其低成本
2018-11-05 09:51:35
耗盡型半導體技術為碳化硅基氮化鎵（GaN on SiC）、硅基氮化鎵（GaN on Si）、砷化鎵（GaAs）射頻功率晶體管或模塊提供準確的柵極電壓和脈沖漏極電壓。射頻功率 - 硅雙極單元和模塊
2017-08-14 14:41:32
Higham表示：“一旦高功率射頻半導體產品攻破0.04美元/瓦難關，射頻能量市場將會迎來大量機會。在商用微波爐、汽車照明和點火、等離子照明燈等設備市場，射頻能量器件出貨量可能在數億規模，銷售額可達
2018-02-12 15:11:38
硬件和軟件套件有助加快并簡化固態射頻系統開發經優化后可供烹飪、照明、工業加熱/烘干、醫療/制藥和汽車點火系統的商業制造商使用系統設計人員能夠以LDMOS的價格充分利用硅基氮化鎵性能的優勢在IMS現場
2017-08-03 10:11:14
副總裁關于MACOMMACOM是一家新生代半導體器件公司，集高速增長、多元化和高盈利能力等特性于一身。公司通過為光學、無線和衛星網絡提供突破性半導體技術來滿足社會對信息的無止境需求，從而實現全面連通且
2017-06-06 14:37:19
`作為一家具有60多年歷史的公司，MACOM在射頻微波領域經驗豐富，該公司的首款產品就是用于微波雷達的磁控管，后來從真空管、晶體管發展到特殊工藝的射頻及功率器件（例如砷化鎵GaAs）。進入2000年
2017-09-04 15:02:41
的射頻器件越來越多，即便集成化仍然很難控制智能手機的成本。這跟功能機時代不同，我們可以將成本做到很低，在全球市場都能夠保證低價。但如果到了5G時代，需要的器件越來越多，價格越來越高。半導體材料硅基氮化鎵
2017-07-18 16:38:20
。MACOM公司提供采用硅、砷化鎵或砷化鋁鎵技術的這類二極管。產品型號：NPT25100P產品名稱：射頻晶體管NPT25100P產品特性連續波、脈沖、WiMAX、W-CDMA、LTE的優化和其他應用從2100至
2018-09-26 08:54:30
。MACOM公司提供采用硅、砷化鎵或砷化鋁鎵技術的這類二極管。產品型號：NPTB00004D產品名稱：射頻晶體管NPTB00004D產品特性連續波、脈沖、WiMAX、W-CDMA、LTE的優化從DC到
2018-09-26 09:31:14
。MACOM公司提供采用硅、砷化鎵或砷化鋁鎵技術的這類二極管。產品型號：NPTB00004D產品名稱：射頻晶體管NPTB00004D產品特性連續波、脈沖、WiMAX、W-CDMA、LTE的優化從DC到
2018-09-26 09:31:14
2.4G無線話筒模塊 激光筆系列。RFX2401C產品性能.RFaxis第二代純CMOS單芯片/單硅片射頻前端集成電路的性能優于基于砷化鎵/鍺硅的射頻前端解決方案RFaxis開始為智能手機和平板電腦用雙模
2020-03-27 11:31:29
大批量生產并交付其他七種RFeIC。這將使RFaxis的供貨范圍拓展到更廣的無線/射頻領域。RFaxis第二代純CMOS單芯片/單硅片射頻前端集成電路的性能優于基于砷化鎵/鍺硅的射頻前端解決方案
2020-06-04 17:20:31
`SGC1112-100A-R砷化鎵晶體管產品介紹SGC1112-100A-R報價SGC1112-100A-R代理SGC1112-100A-R咨詢熱線SGC1112-100A-R現貨, 深圳市首質誠
2018-06-11 14:52:17
SGC8598-100A-R砷化鎵晶體管產品介紹SGC8598-100A-R報價SGC8598-100A-R代理SGC8598-100A-R咨詢熱SGC8598-100A-R現貨, 深圳市首質誠
2018-08-13 10:20:49
SGK1011-25A砷化鎵晶體管產品介紹SGK1011-25A報價SGK1011-25A代理SGK1011-25A咨詢熱SGK1011-25A現貨, 深圳市首質誠科技有限SGK1011-25A
2018-08-06 11:41:49
SGK1314-25A砷化鎵晶體管產品介紹SGK1314-25A報價SGK1314-25A代理SGK1314-25A咨詢熱SGK1314-25A現貨, 深圳市首質誠科技有限SGK1314-25A
2018-08-06 11:45:41
SGK1314-30A砷化鎵晶體管產品介紹SGK1314-30A報價SGK1314-30A代理SGK1314-30A咨詢熱SGK1314-30A現貨, 深圳市首質誠科技有限SGK1314-30A
2018-08-06 11:48:15
SGK5254-120A-R砷化鎵晶體管產品介紹SGK5254-120A-R報價SGK5254-120A-R代理SGK5254-120A-R咨詢熱SGK5254-120A-R現貨, 深圳市首質誠
2018-08-13 10:23:05
）5.4Rth Typ。（°C / W）1.3操作模式連續作業筆記Tc（op）= + 25°CELM5964-4PS砷化鎵場效應管ELM5964-7PS砷化鎵場效應管ELM6472-4PS砷化鎵場效應管
2021-03-30 12:17:43
）= + 25°CSGC7172-30A砷化鎵晶體管SGC7172-120A砷化鎵晶體管SGC8598-50A-R砷化鎵晶體管SGC8598-100A-R砷化鎵晶體管SGC8598-200A-R砷化鎵晶體管
2021-03-30 12:28:02
SGM6901VU砷化鎵晶體管產品介紹SGM6901VU報價SGM6901VU代理SGM6901VU咨詢熱SGM6901VU現貨, 深圳市首質誠科技有限SGM6901VU是一種高功率GaN HEMT
2018-06-11 14:29:01
°CSGN19H181M1H砷化鎵晶體管SGN19H240M1H砷化鎵晶體管SGN21H180M1H砷化鎵晶體管SGN21H121M1H砷化鎵晶體管SGN21H181M1H砷化鎵晶體管SGN26H080M1H砷化鎵
2021-03-30 11:37:49
）= + 25°CSGN19H181M1H砷化鎵晶體管SGN19H240M1H砷化鎵晶體管SGN21H180M1H砷化鎵晶體管SGN21H121M1H砷化鎵晶體管SGN21H181M1H砷化鎵晶體管
2021-03-30 11:32:19
TGF2040砷化鎵晶體管產品介紹TGF2040報價TGF2040代理TGF2040咨詢熱線TGF2040現貨,王先生 深圳市首質誠科技有限公司, TGF2040是離散的400微米pHEMT由DC至
2018-07-18 12:00:19
TGF2160砷化鎵晶體管產品介紹TGF2160報價TGF2160代理TGF2160咨詢熱線TGF2160現貨,王先生 深圳市首質誠科技有限公司. TGF2160離散的1600微米pHEMT由DC至
2018-07-19 10:35:47
氮化鎵(GaN)這種寬帶隙材料將引領射頻功率器件新發展并將砷化鎵(GaAs)和LDMOS(橫向擴散金屬氧化物半導體)器件變成昨日黃花？看到一些媒體文章、研究論文、分析報告和企業宣傳文檔后你當然會這樣
2019-07-31 07:54:41
度為1.1 eV，而氮化鎵的禁帶寬度為3.4 eV。由于寬禁帶材料具備高電場強度，耗盡區窄短，從而可以開發出載流子濃度非常高的器件結構。例如，一個典型的650V橫向氮化鎵晶體管，可以支持超過800V
2023-06-15 15:53:16
哪種半導體工藝最適合某一指定應用？對此，業界存在著廣泛的爭論。雖然某種特殊工藝技術能更好地服務一些應用，但其它工藝技術也有很大的應用空間。像CMOS、BiCMOS、砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP
2019-08-02 08:23:59
1、GaAs半導體材料可以分為元素半導體和化合物半導體兩大類，元素半導體指硅、鍺單一元素形成的半導體，化合物指砷化鎵、磷化銦等化合物形成的半導體。砷化鎵的電子遷移速率比硅高5.7 倍，非常適合
2019-07-29 07:16:49
制造商正在從傳統的全硅工藝轉向用于LNA 的砷化鎵(GaAs) 和用于PA 的氮化鎵(GaN)。本文將介紹什么是LNA和PA？有哪些基本原理？典型的GaAs 和GaN 器件以及在利用這些器件進行設計時應牢記哪些事項？
2019-08-01 07:44:46
氮化鎵南征北戰縱橫半導體市場多年，無論是吊打碳化硅，還是PK砷化鎵。氮化鎵憑借其禁帶寬度大、擊穿電壓高、熱導率大、電子飽和漂移速度高、抗輻射能力強和良好的化學穩定性等優越性質，確立了其在制備寬波譜
2019-07-31 06:53:03
的 3 倍多，所以說氮化鎵擁有寬禁帶特性（WBG）。
禁帶寬度決定了一種材料所能承受的電場。氮化鎵比傳統硅材料更大的禁帶寬度，使它具有非常細窄的耗盡區，從而可以開發出載流子濃度非常高的器件結構。由于氮化
2023-06-15 15:41:16
流，但隨著5G的到來，砷化鎵器件將無法滿足在如此高的頻率下保持高集成度。[color=rgb(51, 51, 51) !important]于是，GaN成為下一個熱點。氮化鎵作為一種寬禁帶半導體，可承受更高
2019-07-08 04:20:32
5G時代手機內的PA或多達16顆之多。就工藝材料來說，目前砷化鎵PA是主流，CMOS PA由于參數性能的影響，只用于低端市場。4G特別是例如高通等LTE cat16，4x20MHZ的載波聚合技術
2020-12-14 15:03:10
業界對哪種半導體工藝最適合某一給定應用存在著廣泛的爭論。雖然某種特殊工藝技術能更好地服務一些應用，但其它工藝技術也有很大的應用空間。像CMOS、BiCMOS、砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP
2019-08-20 08:01:20
我的霍爾傳感器是砷化鎵，也是一種測量磁場的傳感器，兩個輸入端，兩個輸出端。我把十二個砷化鎵串聯使用，三個一組，輸入電流保持在1毫安。每一組測試的時候，所有的單個砷化鎵都對磁場有響應，但是把四組串聯
2016-04-23 16:13:19
砷化鎵功率二極管是寬帶隙半導體器件，其性能僅為碳化硅（SiC）的70%左右。本文對10kW LLC轉換器中GaAs、SiC和超快硅二極管的性能進行基準測試，該轉換器也常用于高效電動汽車充電
2023-02-21 16:27:41
砷化鎵的功率管資料上都給出了三階交調，可以根據資料選擇器件，但是氮化鎵功率管都沒給出三階的曲線，我先問一下大家一般經驗值是什么樣的曲線？
2020-09-27 09:51:14
本文設計了一種低插入損耗、高隔離度的全集成超寬帶CMOS射頻收發開關芯片。
2021-05-24 06:58:23
簡介 AKE（旭化成）的HG106A砷化鎵線性霍爾效應IC采用電子遷移率比硅大5～6倍的砷化鎵作為器件的半導體材料，而砷化鎵被譽為“半導體材料中的貴族”，原因就是砷化鎵制成的半導體器件相對于傳統的硅
2013-08-22 16:11:17
特性：1. 超高穩定性砷化鎵霍爾器件2. 極佳的高頻性能，抗干擾能力強3. 650Ω-850Ω的極低的輸出阻抗，驅動能力強4. 小型化SOT-343封裝，四平腳伸展易安裝5. 器件盤裝，4,000
2013-06-19 17:00:47
特性：1. 超高穩定性砷化鎵霍爾器件2. 極佳的高頻性能，抗干擾能力強3. 1800Ω-3000Ω的較低的輸出阻抗，驅動能力強4. 小型化SOT-343封裝，四平腳伸展易安裝5. 器件盤裝
2013-06-17 17:05:35
特性：1. 超高穩定性砷化鎵霍爾器件2. 極佳的高頻性能，抗干擾能力強3. 1000Ω-2000Ω的較低的輸出阻抗，驅動能力強4. 小型化SOT-343封裝，四平腳伸展易安裝5. 器件盤裝
2013-05-20 11:41:47
特性：1. 超高穩定性砷化鎵霍爾器件2. 極佳的高頻性能，抗干擾能力強3. 650Ω-850Ω的極低的輸出阻抗，驅動能力強4. 小型化SOT-343封裝，四平腳伸展易安裝5. 器件盤裝，4,000
2013-05-21 14:45:25
`砷化鎵GaAs半導體材料可以分為元素半導體和化合物半導體兩大類，元素半導體指硅、鍺單一元素形成的半導體，化合物指砷化鎵、磷化銦等化合物形成的半導體。砷化鎵的電子遷移速率比硅高5.7倍，非常適合
2016-09-15 11:28:41
趨勢應用及其如何應用于您的日常生活的更多信息，并核實創建用于簡化射頻能量應用設計過程的MACOM工具包。 關于MACOMMACOM是一家新生代半導體器件公司，集高速增長、多元化和高盈利能力等特性于一身
2018-01-18 10:56:28
，以及分享GaN FET和集成電路目前在功率轉換領域替代硅器件的步伐。
誤解1：氮化鎵技術很新且還沒有經過驗證
氮化鎵器件是一種非常堅硬、具高機械穩定性的寬帶隙半導體，于1990年代初首次用于生產高
2023-06-25 14:17:47
是什么氮化鎵（GaN）是氮和鎵化合物，具體半導體特性，早期應用于發光二極管中，它與常用的硅屬于同一元素周期族，硬度高熔點高穩定性強。氮化鎵材料是研制微電子器件的重要半導體材料，具有寬帶隙、高熱導率等特點，應用在充電器方面，主要是集成氮化鎵MOS管，可適配小型變壓器和高功率器件，充電效率高。二、氮化
2021-09-14 08:35:58
。氮化鎵的性能優勢曾經一度因高成本而被抵消。最近，氮化鎵憑借在硅基氮化鎵技術、供應鏈優化、器件封裝技術以及制造效率方面的突出進步成功脫穎而出，成為大多數射頻應用中可替代砷化鎵和 LDMOS 的最具成本
2017-08-15 17:47:34
和意法半導體今天聯合宣布將硅基氮化鎵技術引入主流射頻市場和應用領域的計劃，這標志著氮化鎵供應鏈生態系統的重要轉折點，未來會將MACOM的射頻半導體技術實力與ST在硅晶圓制造方面的規模化和出色運營完美結合
2018-08-17 09:49:42
和相同電阻值的砷化鋁鎵PIN二極管和砷化鎵PIN二極管，砷化鋁鎵PIN二極管具有更小的結面積和更低的結電容，從而可提高電路性能。關于MACOMMACOM是一家新生代半導體器件公司，集高速增長、多元化和高
2018-03-22 10:59:54
candence中的Spice模型可以修改器件最基本的物理方程嗎？然后提取參數想基于candence model editor進行氮化鎵器件的建模，有可能實現嗎？求教ICCAP軟件呢？
2019-11-29 16:04:02
請問一下VGA應用中硅器件注定要改變砷化鎵一統的局面？
2021-05-21 07:05:36
了類似高電子遷移率晶體管（HEMT）的氧化鎵。這類器件通常由砷化鎵（GaAs）或氮化鎵制成，是手機和衛星電視接收器的重要射頻支柱。這類器件不是通過體半導體的摻雜溝道導電，而是通過在兩個帶隙不同的半導體
2023-02-27 15:46:36
，元素半導體指硅、鍺單一元素形成的半導體，化合物指砷化鎵、磷化銦等化合物形成的半導體。隨著無線通信的發展，高頻電路應用越來越廣，今天我們來介紹適合用于射頻、微波等高頻電路的半導體材料及工藝情況。
2019-06-27 06:18:41
各位大神，目前國內賣銦鎵砷紅外探測器的有不少，知道銦鎵砷等III-V族化合物外延片都是哪些公司生產的嗎，坐等答案
2013-06-04 17:22:07
用于化合物半導體襯底：GaN氮化鎵 、GaAs砷化鎵 、GaP磷化鎵外延: MBE, LPE ,VPE
2022-01-17 13:46:39
XU1006-QB砷化鎵變送器MACOM 的 36.0-42.0 GHz GaAs 發射器在整個頻段具有 +17.0 dBm 輸出三階截距。該器件是一個平衡的電阻式 pHEMT 混頻器，后跟一個
2022-12-28 15:31:26
高線性度與優異溫度特性的砷化鎵霍爾元件-JM8630 替代HG-166A 產品描述：JM8630是一款高線性度與優異溫度特性的砷化鎵霍爾元件，可替代旭化成HG-166A。砷化鎵（GaAs
2023-03-09 17:42:14
SW-209-PIN砷化鎵匹配 GaAs SPST 開關 DC - 3.0 GHz MACOM 的 SW-209-PIN 是一款射頻開關
2023-04-18 15:19:22
GaAs的靈敏度比Si材料高1個數量級、溫漂小1個數量級，是優異的線性磁傳感霍爾材料。芯片特征：● 砷化鎵+ Si混合可編程線性霍爾效應IC● 單電源：VDD 3
2023-05-31 10:02:47
FLK017XP型號簡介Sumitomo的FLK017XP芯片是一種功率砷化鎵場效應管，設計用于Ku頻段的通用應用提供卓越的功率、增益和效率。Eudyna嚴格的質量保證計劃確保可靠性和一致的性能
2023-12-19 12:00:45
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