后來采取了一系列防ESD措施，并將普通塑料盒改用導電塑料盒，這一失效現象就立即消失了。b.在電子設備的調試過程中，發現雙極集成電路中的單穩電路和振蕩電路常出現失效，失效現象是單穩電路已調整好了的單穩時間常發生漂移；振蕩器已調好的振蕩頻率也常發生漂移。經解剖分析，發現失效是由ESD損傷或電瞬變損傷引起。解剖后，用金相和掃描電鏡檢查芯片表面，在外接R.C的一端，管子eb結有很輕度的電損傷痕跡（有的樣品還無明顯損傷痕跡）。測試該端eb結反向特性已變壞，有較大反向漏電。由于它們是雙極型集成電路，所以在調試過程中并未采取防ESD損傷措施。但這兩種電路有一個共同特點，就是外接R、C的端子是晶體管的基極，并且該管的發射極又是直接接地的，無任何限流電阻。在機器調試時，要反復更換電容或電阻，將單穩寬度和振蕩頻率調整到滿足機器所需值。調機時機器是接地的，當更換R、C元件時，烙鐵和人體都要接觸該集成電路外接R、C的端子，如果人體帶靜電就會通過電路對地放電，并且放電回路只有一個發射極二極管，因此它們對ESD比較敏感。此外，如果烙鐵的接地不良或不當。例如，烙鐵接的是交流地與機器不是同一地，兩個地線之間的電位差引起的放電也會損壞電路。所以，雙極電路中的單穩和振蕩器也應采取防ESD損傷措施，并且要特別注意烙鐵的接地狀況。c.航天產品上應用的一種進口的“隔離放大器”，在測試和機器調試中常有失效，由于這種放大器是雙極型二次集成電路，說明書上只有功能方塊圖，無具體線路圖，所以使用者未采取任何防靜電的措施。失效模式為輸出端對地呈現低電阻或短路，經解剖分析，發現每只電路內部都有3只MOS電容器，其中有一只就是直接跨接在解調器的輸出與地之間。因此，該輸出端很怕靜電放電。由于使用者并不了解這一特殊情況，所以未采取防靜電措施，結果ESD損傷失效常有發生，經濟損失很大。后來采取防靜電措施后，輸出對地短路的失效現象就消？d.某航天電子產品用肖特基TTL電路54LS10，在部件進行老練和測試后失效，失效模式為輸入端漏電流增大。經分析表明，失效由ESD或電浪涌損傷引起。解剖分析后發現芯片表面無任何電損傷痕跡，也無任何工藝缺陷，經過各項試驗證實，輸入漏電不是氧化層內的鈉離子沾污，也不是芯片表面的潮氣和可動電荷沾污所引起。經現場調查，失效的輸入端恰好是該部件的輸入端子，在測試和老練過程中該端子常與人體或設備的機殼相碰，且操作現場并未采取防ESD措施，所以判斷失效由ESD

　　損傷引起。此外，輸入端碰上有漏電的機殼也會引起類似失效。e.某星上用進口的軍用CCD（電荷耦合器件），在使用過程中不知不覺就失效，這不僅造成了重大經濟損失，而且嚴重地影響了工作進行。經調查與分析，判斷失效由ESD損傷引起。因為該CCD是超大規模集成電路，又屬于MOS型器件，它對ESD特別敏感。根據靜電敏感度，完全屬于靜電放電最敏感的器件之一，只要100伏的靜電壓，就可能損壞（與MOS單管相差不多，甚至還要敏感）。經現場調查，工作間地板電阻率為1013~1014Ω/cm，它已不屬于防靜電地板（防靜電地板應為106~108），工作人員采取了防ESD措施，仍然有靜電荷積累。全面地采取了防靜電措施，這一失效就得到了有效的控制。f.雙極運算放大器LF253在入廠檢收和二次篩選中均發現失效，失效比例大約5％。經解剖分析發現，補償端的鋁條上有一小區域內有“變色”現象，這種變色點是由瞬變電過應力引起的局部高溫造成，它可能是ESD損傷引起的，因為LF253是雙極型電路，使用者并未采取必要的防ESD損傷措施，所以ESD操作的可能性很大。利用“靜電模擬器”進行模擬試驗，發現補償端與正電源之間的損傷電壓僅有6KV而其他端可達5.0KV，可見，運算放大器也要采取必要的防靜電措施。

　　g.彩電高頻頭內的MOS場效應管常有失效發生。經過解剖分析，發現芯片表面有很小的“絲狀”擊穿通路。這種失效是由ESD引起的，因為彩電熒光屏上有40～50KV的靜電電壓，如果不慎將這樣高的靜電壓通過天線引入高頻頭，就很容易引起MOS管失效。h.某廠生產的高頻晶體管3DG142在入廠檢驗和二次篩選中常有失效發生，失效模式是eb結漏電或短路。經解剖分析，發現eb結有輕微的燒毀痕跡。由于這種管子是雙極器件，使用者未采取防靜電措施。但這種高頻晶體管是淺結器件，易受靜電放電損傷。例如，當測試人員剛走進工作室在測試臺前坐下來時，人體上的靜電壓可能是比較高的，此時去拿晶體管進行測試就很可能引起ESD損傷。由于eb結的面積很小，并且是淺結，所以損傷部位一般都是eb結（bc結不會損傷）。可見，對于高頻，特別是超高頻的小功率管，在使用過程中也應適當采取防靜電損傷措施。