均為個人理解，或許與傳統(tǒng)資料教材有差異，請自己斟酌。EMC產(chǎn)生以及測試時測得的結(jié)果如何去理解：簡單來說就是如何對癥下藥，很多情況拿到第一輪測試結(jié)果，怎么將結(jié)果和電源去對照分析；主題思路如下：?

1、針對傳導(dǎo)，測試范圍標(biāo)準(zhǔn)15K-30M，常見的EN55022是150K起。傳導(dǎo)的源頭是怎么產(chǎn)生的呢？針對低頻，主要是開關(guān)頻率以及其倍頻（后續(xù)有圖解），這種從源頭是無法解決的，開關(guān)頻率是無法消除的，當(dāng)然你可以改變開關(guān)頻率，那也只是將測試結(jié)果移動了，并沒有真正意義上消除。只能通過濾波器來解決，一般來說對于低頻采用R10K這種高磁通材質(zhì)有很好的效果，磁環(huán)大小跟你功率有關(guān)系，一般達(dá)到10MH感量，甚至更大到20MH，配合Y電容一般能很好解決，低頻不是難點(diǎn)；真正的難點(diǎn)是高頻，個人認(rèn)為，高頻的起因就復(fù)雜多了，有開關(guān)導(dǎo)致，有變壓器可能，也有電感的可能，也就就是一切存在開關(guān)狀態(tài)的地方都可能存在(怎么判斷具體位置，后續(xù)講解），這里需要一番摸索；找到源頭未必源頭能解決，可能有改善，還是的配合濾波器。針對高頻，采用低磁通材質(zhì)，如鎳鋅環(huán)，感量一般都是UH級別的，配合合適Y電容（比較復(fù)雜的電源，建議布板時多留幾個Y電容位置，方便整改）；?

? ? ? ?2、一些配合手段，很多教材都提到增大X電容判斷差模還是共模，有一定意義可能現(xiàn)實(shí)幫助不大，設(shè)計(jì)時一般我們X電容都會放到合適的值。并且增大X電容就能解決差模問題，也是瞎扯，所以很多教材都是提供一定意義指導(dǎo)，個人覺得沒什么用。我覺得比較好的手段有幾個：1.對照接地和不解地總結(jié)差異，不接地可能更差，原因是系統(tǒng)構(gòu)造的傳導(dǎo)途徑少了；也可能有改善，說明是通過地回路傳導(dǎo)到端口。具體解決措施，針對電路接地的點(diǎn)Y電容進(jìn)行調(diào)節(jié)以及加磁珠。2.在輸入端口套磁環(huán)，若套低U環(huán)有改善，調(diào)節(jié)第一級濾波電感。3復(fù)雜的系統(tǒng)注意EMI電路的屏蔽措施。若措施都沒什么效果，反省PCB設(shè)計(jì)，這方面在PCB設(shè)計(jì)中會涉及。?

? ? ? ?3、針對輻射：必須找出源頭去解決，觀測第一次測試結(jié)果，若是30M附近超出，跟接地相關(guān)，系統(tǒng)上找接地，并且要判斷測試時是否接地良好，有時候輸入線都有影響。2.40M-100M以內(nèi)，一般是MOS管開通關(guān)斷引起，有時后為了現(xiàn)場不好直接判斷是開通還是關(guān)斷，可針對性整改觀測結(jié)果去驗(yàn)證(當(dāng)然這都得花錢，后續(xù)會講解如何用示波器去判斷，這可是密招）。3 100M以上多為二極管引起，整改二極管吸收電容，大功率的有的可能是同步整流，更改MOS管吸收環(huán)路，記住有時候調(diào)整C時還得配合R整改。?
要說的太多，后續(xù)針對具體實(shí)例去補(bǔ)充吧，先手打這么多，反正我打的夠辛苦，能引起共鳴很難，畢竟每個人的整改經(jīng)歷差很多，就當(dāng)給新人朋友一些啟示吧，后續(xù)會舉例說明！