0.13μm非易失性FRAM產品的增強的耐久性能
2021-02-04 07:15:14
電阻。MAX5128具有超小尺寸、2mm x 2mm μDFN封裝，待機電流低至0.5μA (典型值)，非常適合便攜式設備。MAX5128工作在+2.7V至+5.25V電源電壓，內置非易失存儲器可保存
2021-05-17 07:50:42
概述:FM1808是RAMTRON公司生產的一款256K位并行存儲芯片。該FM1808是256千比特的非易失性存儲器采用先進的鐵電工藝。鐵電隨機存取記憶體或FRAM是非易失性的，但在其他方面工作的RAM。
2021-04-21 07:52:40
32抽頭非易失I2C線性數字電位器MAX5432資料下載內容主要介紹了：MAX5432引腳功能MAX5432功能和特性MAX5432應用范圍MAX5432內部方框圖MAX5432極限參數MAX5432典型應用電路
2021-04-02 06:37:34
FRAM器件消耗的工作電流大約是EEPROM的1/3，而FRAM的待機/睡眠電流規格與EEPROM的待機/睡眠電流規格差不多。有功電流中的差異對功耗產生巨大影響，特別是當應用程（如:智能電子式電表
2020-10-09 14:27:35
FRAM存儲器提供即時寫入功能，無限的耐用性和接近零的軟錯誤率，以支持對功能安全標準的遵守。引起人們對用于汽車EDR的FRAM非易失性存儲技術的興趣，因為其使用解決了這些缺點。這些吸引人的特性是鋯鈦
2020-08-12 17:41:09
FRAM器件提供非易失性存儲，用10年的數據保存時間，在與熟悉的閃存和EEPROM替代所需的功率的一小部分。利用現有的基于FRAM存儲器和MCU器件，工程師們可以放心地在他們盡管間歇性的斷電操作
2021-12-09 08:28:44
以及改進整個系統。而這正是我們采用 FRAM 的微控制器超越業界其他解決方案的優勢所在。 FRAM 是一種非易失性 RAM，相較于其他非易失性存儲器技術，可實現更快速的數據存儲和幾乎無限的壽命。 這
2018-09-10 11:57:26
開發人員了解專門針對物聯網開發而優化的EFM和EFR系列MCU平臺，我們將針對亞洲地區于2023年12月12日上午10點（北京時間）在線舉辦全新MCU專題的Tech Talk技術講座－“EFM和EFR
2023-11-23 13:45:47
的連網性能、豐富的接口、更多的集成必不可少，性能、功耗、安全性的提升同樣不容忽視。物聯網到底需要什么樣的MCU？
2019-07-17 06:10:50
MCU 是怎么為物聯網端點設備提高安全性的？
2023-10-17 08:53:03
存取速度分類)：1、隨機存取存儲器：SRAM、DRAM、FRAM；2、非隨機存取存儲器：掩膜ROM、PROM、EPROM、EEPROM、Flash Memory。差強人意的分類為(按易失性分類)：1、易
2012-01-06 22:58:43
1. 存儲器理解存儲器是計算機結構的重要組成部分，存儲器是用來存儲程序代碼和數據的部件，有了存儲器計算機才具有記憶功能。按照存儲介質的特性，可以分“易失性存儲器”和“非易失性存儲器”兩類，易失和非易
2021-07-16 07:55:26
所謂的寄存器、內存等用于存儲信息的復雜結構。存儲器的分類存儲器分為易失性存儲器和非易失性存儲器；所謂易失性存儲器是指設備掉電，存儲的信息自動清除，而非易失性存儲器具有存儲時間長的功能。易失性存儲器主要指
2021-12-10 06:54:11
作者：Michael (DLP) Walker，德州儀器（TI） 物聯網(IoT) 正以前所未有的速度實現人、設備和云數據存儲服務之間的互聯。一些分析人員預測，到2020年，將會有500億臺數字設備
2019-03-13 06:45:09
的操作系統一樣，物聯網的RTOS也管理著MCU的基礎資源和應用程序的運行。RTOS沒有PC操作系統那么通用性好，由于MCU架構不同，各個廠家的MCU產品也存在著差異，RTOS需要針對不同MCU做適配。為了讓物
2019-09-18 09:05:06
的小型節點、收集與記錄資料的傳感器集線器，主要都基于MCU平臺，”Hackenberg表 示。“最慎重的MCU供應商正密切關注數十億臺聯網設備的最新發展;然而，由于物聯網是一種概念性趨勢，而不是一種
2016-06-29 11:45:30
在物聯網應用發展中，MCU的應用生態也發生了一些改變，呈現出了新的應用生態。目前，物聯網應用基本都是將傳感終端連接到云端，基本遵循云－管－端的架構。MCU的應用一般是在“管”和“端”，管指的是連接通信的管道，端是設備終端或傳感終端。下圖是MCU在物聯網中應用生態的示意圖：物聯網應用中MCU應用生態示意圖
2019-07-15 06:43:05
沒有安全保障的物聯網就不能算是物聯網！這已經成為當今物聯網時代大家基本的共識。有數據顯示，到2020年，全球將有500億臺設備接入物聯網，再考慮到多樣性的互聯通信鏈路以及云端部署，維護這樣一個龐大
2019-07-17 06:37:28
軟件開發的直觀性和易用性。微控制器（MCU）作為物聯網產品的核心，選擇合適的 MCU 是滿足客戶當前和未來需求的關鍵。本文將探討當今不斷增強的嵌入式 MCU 的豐富功能，MCU 在加速設計的同時還可實現
2019-07-24 06:27:55
，非易失性存儲器還需確保足夠的讀寫次數來記錄至少 20 年數據。此外，為了達到汽車級認證和資格，所有子系統應采用符合 AEC-Q100 標準的存儲器組件。同時，功能性安全性能符合ISO 26262標準是另外一
2018-05-21 15:53:37
隨機存取存儲器）和OUM(Ovshinsky電統一隨機存取存儲器)，三者科技內涵各有所長,市場預測尚難預料。本篇文章Everspin MRAM代理商宇芯電子要介紹的是關于非易失性MRAM的單元結構
2020-10-20 14:34:03
MRAM是一種非易失性的磁性隨機存儲器。它擁有靜態隨機存儲器(SRAM)的高速讀取寫入能力;以及動態隨機存儲器(DRAM)的高集成度，而且基本上可以無限次地重復寫入。
2020-12-16 07:21:39
MRAM是一種非易失性的磁性隨機存儲器。它擁有靜態隨機存儲器(SRAM)的高速讀取寫入能力;以及動態隨機存儲器(DRAM)的高集成度，而且基本上可以無限次地重復寫入。
2020-12-10 07:20:20
高密度MRAM具有非常低的功率，高的讀取速度，非常高的數據保留能力和耐久性，適用于廣泛的應用。單元面積僅為0.0456平方微米，讀取速度為10ns，讀取功率為0.8mA/MHz/b，在低功耗待機模式
2020-07-02 16:33:58
宇芯電子本篇文章提供智能電表或智能電子式電表的概述，并且說明在智能電子式電表的設計中用非易失性串行FRAM而不是使用EEPROM的優勢。圖1顯示的是智能電子式電表的簡化框圖。非易失性存儲器是一個電表
2021-07-12 07:26:45
我們正在構建一個設備來測量消耗。電路 ACS712 讀取那一刻的消耗量，所以，我需要做一個每秒累加的方法。問題：非易失性內存有寫入限制，所以我需要使用易失性內存。寫入易失性存儲器是否有一些限制？我們的想法是每秒讀取一次 ACS712 并寫入易失性存儲器，每 10 分鐘寫入一次非易失性存儲器。
2023-05-30 08:48:06
非易失可重復編程FPGA的應用有哪些？
2021-05-08 08:17:26
bq4011是一個非易失性262144位靜態RAM，按8位組織為32768字。集成控制電路和鋰能源提供可靠的非易失性，與標準SRAM的無限寫入周期相結合。控制電路持續監測單個5V電源是否超出公差條件。當
2020-09-16 17:15:13
SRAM的非易失性單元基于SONOS技術。他們利用Fowler-Nordheim隧穿（FN隧穿）的優勢通過將電荷捕獲在夾層氮化物層中來存儲數據。FN隧道技術的主要優勢在于，它可以大大提高NV耐久性，并大大
2020-04-08 14:58:44
一樣周期性刷新。由于鐵電效應是鐵電晶體所固有的一種偏振極化特性，與電磁作用無關，所以FRAM存儲器的內容不會受到外界條件（諸如磁場因素）的影響，能夠同普通ROM存儲器一樣使用，具有非易失性的存儲特性
2014-04-25 13:46:28
描述Dallas DS1230 - FM18W08 非易失性 SRAM FRAM 適配器來自達拉斯的流行的電池支持 SRAM 在 10 到 15 年后往往會忘記其寶貴的數據。通過這種引腳兼容的鐵電 RAM 升級，您可以放心，因為在室溫下，它的數據保留時間為 150 年，無需任何電池供電。
2022-07-14 07:51:06
。”高云半導體全球市場副總裁兼中國區銷售總監黃俊先生表示，“GW1N系列器件可滿足消費類電子、視頻、安防、工業物聯網、有線/無線通信等不同市場的智能連接、接口擴展等需求。通過GW1N系列產品，高云半導體可以向用戶提供高安全性、單芯片、低成本、小薄封裝等優勢的最優化非易失性FPGA解決方案。”
2017-08-30 10:18:00
我目前正在使用 YOCTO sumo linux 內核 L4.14.98-2.3.1 和 imx6ul。在我的應用程序中，我們需要將安全數據（例如密鑰）存儲在安全非易失性存儲 (SNVS) 區域
2023-04-14 07:38:45
據保留?無限的讀/寫耐力?無磨損?有競爭力的定價?穩定的制造業供應鏈?小尺寸BGA封裝圖1 引腳普通針MR3A16ACMA35是一個8Mb非易失性RAM，組織為512kx16，采用3.3V標稱電源供電
2023-04-07 16:26:28
航空航天專用Everspin非易失性MRAM存儲器
2020-12-31 07:15:20
什么是物聯網？物聯網的特征是什么？有哪些分類？物聯網的關鍵技術有哪些？物聯網技術在智慧城市中的應用有哪些？
2021-06-15 08:04:37
器件提供非易失性存儲10年的數據保留時間在一部分功率需要熟悉FLASH和EEPROM的替代品。利用現有的FRAM存儲器和MCU器件，工程師可以自信地建立這些強大的設備進入低功耗能量收集應用程序，操作數年并保持長期的數據（盡管間歇性電源損耗）。`
2016-02-25 16:25:49
器件為市場上的許多8位MCU提供了編譯器友好的替代方案。對了解FRAM來說，這些新型低成本MSP430 MCU器件是一個很好的切入點。FRAM為程序員提供了極大的靈活性，還具有作為非易失性程序和非易失
2019-07-25 04:45:11
，比較是否一致，一致則計數”。然后重復測N次得到非易失性的有效讀寫次數。但是又不能直接拿STM32的引腳來驅動FRAM芯片的VCC，又不能老是手動斷電上電這么來測，這下有點找不準方向了。想知道論壇里面各位大神有沒有什么好的測試方案木有。。。
2013-09-03 10:52:35
元素的某些金屬（硫族化合物）的晶態和非晶態的穩定性非常好。特別是GeSbTe合金最被看好，因為它遵守一個偽二元構成方式（在GeTe和 Sb2Te3之間），以下簡稱GST。
2019-06-26 07:11:05
固件在物聯網設備中是怎么存儲的？物聯網設備固件的獲取方法有哪些？如何利用主控器內部的bootloader進而得到主控器內部的flash區域的代碼呢？
2022-02-10 07:42:13
互連器件間的通信是可能的。例如，一個電燈開關不但能與燈泡通信，還能與煙霧探測器、窗戶百葉窗控制和任何其它聯網器件通信。在這種類型的通信中，數據安全性和可靠性是十分關鍵的。芯片上嵌入的具有非易失性FRAM
2018-09-03 15:01:15
低功耗應用提高安全性。此外，它們還采用非易失性 FRAM 替代 EEPROM 或閃存提供穩健統一的存儲器架構，從而可簡化安全系統設計。
2019-07-08 06:03:16
：TI MSP430FR59xx MCU建立在超低功耗“Wolverine”技術平臺基礎之上，采用非易失性FRAM替代EEPROM或閃存提供高穩健統一存儲器架構，可簡化安全系統設計目前已經出現了大量強制
2014-09-01 17:44:09
功耗要求。”在類似如上所述的系統中，FRAM 可帶來多種優勢。 結合我們 FRAM MCU 的非易失性、寫入速度和低功耗以及與 AES 模塊及存儲器保護單元的集成，使得諸如 MSP430FR5969
2018-09-10 11:57:29
MIKROE-2768，FRAM 2 CLICK Board帶有CY15B104Q 4 Mbit（512K x 8）串行F-RAM。鐵電隨機存取存儲器或F-RAM是非易失性的，并且執行類似于SRAM
2020-07-22 10:30:31
電隨機訪問存儲器或FRAM微控制器（MCU）系列。FRAM技術將SRAM存儲器的很多優勢結合在一起，而同時又具有FLASH存儲器的非易失性。一個關鍵優勢就是超低功耗非易失性FRAM的寫入，與FLASH
2018-08-29 15:36:21
我應該用什么API來存儲非易失性數據？我使用CYW43907，手冊上說它支持外部閃存。我想知道我是否應該使用WiDeDssFlash寫來存儲數據，或者我是否可以使用WiDeEddCTyWrand保存
2018-11-13 15:19:09
親愛;我有Spartan?-3AN非易失性FPGA入門套件，我編寫了VHDL程序，用于地址分配到與FPGA芯片接口的兩個外部ROM。程序有（16位輸入端口）和（16位輸出端口），問題是：如何使用該套件在FPGA芯片上下載程序？如何確定哪個輸入引腳和哪個是輸出引腳？最好的祝福
2019-08-22 10:31:44
本文就如何充分利用mcu的非易失性存儲提供了一些想法。一定有工程師經常需要8位微控制器提供的16、32、甚至64 KB的程序內存的很大一部分。那么如何充分利用MCU的非易失性存儲呢？本文將會介紹
2021-12-20 06:42:35
的重要性毋庸置疑！那么該如何保障物聯網設備安全呢？加密芯片就是保障物聯網設備安全最簡單而有效的方式：賦予信息終端唯一可信身份，確保其內部運行程序合法性，確立互聯網中終端節點可信；從根本上保障信息終端內部硬件
2018-09-07 10:36:55
保護您的嵌入式軟件免受內存損壞本文的目的是提供一種軟件方法，解釋如何處理存儲在非易失性設備（如小型 EEPROM 或閃存）中的內存數據集損壞。在微型嵌入式系統中看到這些數據集是很常見的，這些系統存儲
2021-12-24 07:27:45
如何支持物聯網安全性和低功耗要求設計
2018-12-27 04:24:50
在2019全球閃存峰會上，Everspin作為全球MRAM存儲芯片龍頭分享如何用MRAM這類非易失性存儲和NVMe SSD構建未來的云存儲的解決方案。
2021-01-11 06:44:23
預編程設備的引導加載，我們有一個困難，顯然制造商沒有對NVLS編程，因此引導加載程序拒絕重新編程閃存。有一個問題出現（對于PSoC 3和PSoC 5LP，我們使用在其他板上）：如何讀取PSoC處理器的非易失性鎖存器？安德烈亞斯
2019-08-15 06:46:55
非易失性寫入性能優于EEPROM。 EEPROM支持不同的頁面大小，在這種情況下的EEPROM中的較低頁面大小需要更多頁面寫操作和更多寫周期時間。因此造成額外的寫延遲。因為FRAM不是分頁的存儲
2020-09-28 14:42:50
`MSP430FR5969 LaunchPad不僅支持最新發布的、采用集成型非易失性 FRAM 存儲器技術的 MSP430FR5969MCU, 而且具有業界最低功耗！我們即將舉辦一場相關超低
2014-07-16 12:35:33
隨機存取存儲器（FRAM）是一種非易失性的獨立型存儲技術，本文將論述FRAM的主要技術屬性，同時探討可充分展現FRAM優勢的具體用例。
2019-08-22 06:16:14
一定空間用于存儲應用代碼、非易失性數據和配置信息。EEPROM往往是開發人員最先、最常考慮用于嵌入式系統的存儲器件。在嵌入式應用中，這類非易失性存儲器通常用于存儲系統配置參數。例如，連接至CAN總線網
2021-12-22 07:33:16
工業物聯網和物聯網的區別是什么？MQTT到底是什么？
2021-05-18 06:41:28
電場的影響。 9. FRAM 受輻射或軟錯誤的影響嗎？ 易失性存儲器 DRAM 和 SRAM 使用電容器來存儲電荷或使用簡單的鎖存器來存儲狀態。 這些單元容易受到 α 粒子、宇宙射線、重離子、伽馬射線
2018-08-20 09:11:18
我想用非易失性密鑰獲取CMAC值（僅驗證甚至可以）。我正在使用修改后的“csec_boot_protection_s32k148”項目。初始化 CSEc 模塊后，我使用給定的指令加載密鑰 ROM
2023-04-10 06:34:32
消費物聯網與工業物聯網的差異是什么？
2021-05-17 06:31:42
電池物聯網應用MCU都用哪些型號的
2023-09-20 07:57:10
超低功耗M24C16-WMN6TP FRAM微控制器（MCU）系列包含幾款器件，采用嵌入式非易失性FRAM和不同的外設集，面向各種感應和測量應用。該架構、FRAM和外設，結合大量低功耗模式，可以延長
2021-11-03 07:28:04
KB 的非易失性 FRAM 存儲器。主要特色? CR-2032 紐扣電池的電池壽命大于 5 年? CR-2032 紐扣電池的電池壽命大于 5 年? 符合 RF430 NFC 動態標簽類型 4B
2018-09-10 09:20:29
采用FRAM的MCU為何就能具有諸多優勢呢?舉例說明:TI做了一個實驗，如果要寫13Kbps的數據到DRAM里需要花1秒時間，大約要用2200uA的功耗去做寫的功能，但如果用FRAM來做只要10ms
2021-11-24 07:19:40
上。此設計工作在低功耗模式下，并可減少 CPU 工作量，進而有助于降低總體功耗。主要特色磁脈沖測量2.9uA 待機電流非易失性片上 FRAM 實時存儲支持 NFC 和低于 1GHz BoosterPack電池電壓監視器此終端設備設計已經過測試，并包含硬件、固件、GUI、演示和用戶指南
2018-08-23 12:08:52
器和閃存）結合起來。鐵電存儲器是一種特殊工藝的非易失性的存儲器，是采用人工合成的鉛鋯鈦(PZT) 材料形成存儲器結晶體。 FRAM的結構FRAM記憶元件使用了鐵電膜（Ferroelectric film
2020-05-07 15:56:37
半導體公司推出的一種與SRAM相似但卻具有非易失性的隨機存儲器，它沒有BSRAM模組系統的設計復雜性和相關的數據可靠性問題，而且能在掉電的情況下保存數據。FRAM不但克服了EEPROM和FLASH寫入時間長、擦寫次數低的缺點,同時其成本也比相同容量的鋰電池+SRAM方案低很多。
2021-04-15 07:14:23
，擦寫次數低,寫數據功耗大等缺點。 鑒于以上情況，越來越多的設計者將目光投向了新型的非易失性鐵電存儲器(FRAM)。鐵電存儲器具有以下幾個突出的優點： i. 讀寫速度快。串口FRAM的時鐘速度可達
2014-04-25 11:05:59
鐵電存儲器(FRAM)能兼容RAM的一切功能，并且和ROM技術一樣，是一種非易失性的存儲器。鐵電存儲器在這兩類存儲類型間搭起了一座跨越溝壑的橋梁——一種非易失性的RAM。相對于其它類型的半導體技術
2011-11-19 11:53:09
鐵電存儲器(FRAM)能兼容RAM的一切功能，并且和ROM技術一樣，是一種非易失性的存儲器。鐵電存儲器在這兩類存儲類型間搭起了一座跨越溝壑的橋梁——一種非易失性的RAM。相對于其它類型的半導體技術
2011-11-21 10:49:57
時就會產生極化。（鋯/鈦離子在晶體中向上或向下移動）即使在不加置電場的情況下，也能保持電極。兩個穩定的狀態以“0”或“1”的形式存儲。存儲器分類中的FRAM* 非易失性：即使沒有上電，也可以保存所存儲
2014-06-19 15:49:33
的寫入次數、并為開發人員提供了一個全新的靈活度（允許其通過軟件變更來完成數據內存與程序內存的分區)。鐵電存儲器相比SRAM、FLASH和EEPROM優點多多:非易失性，寫入速度快，無限次寫入,最關鍵是
2021-11-10 08:28:08
可用于斷電（NMI）中斷或其他目的的通用比較器。該器件的工作電壓為2.7V至3.6V。FM33256B-G提供256Kb的非易失性FRAM存儲器容量。快速的寫入速度和無限的耐用性使該存儲器可以用作額外
2023-04-07 16:23:11
EPM1270F256C4N，ALTERA/阿爾特拉，即時開啟非易失性CPLD,處理器EPM1270F256C4N，ALTERA/阿爾特拉，即時開啟非易失性CPLD,處理器
2023-10-24 15:38:16
鐵電存儲器FRAM詳解:
鐵電存儲器（FRAM）產品將ROM的非易失性數據存儲特性和RAM的無限次讀寫、高速讀寫
2008-01-30 09:13:50
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