描述dcreg12v3a mj2955 lm78122955 MJ晶體管的作用是作為電流放大器，使輸出電流達到安培單位，通常如果沒有晶體管這個電路只能達到毫安單位。出于電源的目的，晶體管必須不斷地
2022-09-05 06:18:39
控制流過發(fā)射極-集電極電路的電流。 硅模型 像8050這樣的硅晶體管通常在基極電壓比發(fā)射極高0.65伏時接通。發(fā)射極基極電路通常設(shè)置為提供接近觸發(fā)點的預(yù)設(shè)電壓。這稱為偏差。當晶體管導(dǎo)通時，輸出遵循
2023-02-16 18:22:30
關(guān)于晶體管ON時的逆向電流在NPN晶體管中，基極 (B) 被偏置為正，集電極 (C) 被偏置為負，由發(fā)射極 (E) 流向C的是逆電流。1. 不用擔心劣化和損壞，在使用上是沒有問題的2. NPN-Tr
2019-04-09 21:27:24
晶體管并聯(lián)時，當需要非常大的電流時，可以將幾個晶體管并聯(lián)使用。因為存在VBE擴散現(xiàn)象，有必要在每一個晶體管的發(fā)射極上串聯(lián)一個小電阻。電阻R用以保證流過每個晶體管的電流近似相同。電阻值R的選擇依據(jù)
2024-01-26 23:07:21
晶體管之間的差異性：就三極管，mos管和可控硅之間的差別和相同點的相關(guān)概念有點模糊，請各位大俠指點！！！
2016-06-07 23:27:44
晶體管分類 按半導(dǎo)體材料和極性分類 按晶體管使用的半導(dǎo)體材料可分為硅材料晶體管和鍺材料晶體管。按晶體管的極性可分為鍺NPN型晶體管、鍺PNP晶體管、硅NPN型晶體管和硅PNP型晶體管。 按結(jié)構(gòu)
2010-08-12 13:59:33
晶體管參數(shù)
2012-04-19 06:47:38
通。晶體管導(dǎo)通時，開關(guān)就導(dǎo)通，并且允許電流通過該管。晶體管開關(guān)工作方式的電路通常采用集電極開路的連接方式晶體管作為電子開關(guān)使用時，能夠?qū)Ρ豢貙ο筮M行控制，諸如LED、電動機、繼電器線圈等。應(yīng)為此時晶體管
2017-03-28 15:54:24
晶體管圖示儀器是用來測量晶體管輸入、輸出特性曲線的儀器。在實驗、教學(xué)和工程中通過使用圖示儀，可以獲得晶體管的實際特性，能更好的發(fā)揮晶體管的作用。
2021-05-07 07:43:17
管的E極接A點，C極接B點；NPN管的E有接B點，C極接A點）后，調(diào)節(jié)電源電壓，當發(fā)光二極管LED點亮?xí)r，A、B兩端之間的電壓值即是晶體管的反向擊穿電壓。(本文由Cogo商城-IC元器件在線采購平臺
2012-04-26 17:06:32
在PROTUES中如何改變晶體管的放大倍數(shù)？有的器件有放大倍數(shù)改變的參數(shù)。另外，不同的仿真模型參數(shù)不同如何改變？
2014-02-28 08:42:03
供應(yīng)晶圓芯片，型號有： 可控硅， 中、大功率晶體管，13000系列晶體管，達林頓晶體管，高頻小信號晶體管，開關(guān)二極管，肖特基二極管，穩(wěn)壓二極管等。有意都請聯(lián)系：沈女士***
2020-02-17 16:24:13
晶體管測量模塊的基本特性有哪些？晶體管測量模塊的基本功能有哪些？
2021-09-24 07:37:23
`非常不錯的晶體管電路設(shè)計書籍！`
2016-11-08 14:12:33
2．1．1 5倍的放大 2．1．2 基極偏置電壓 2．1．3 基極-發(fā)射極間電壓為0．6V 2．1．4 兩種類型的晶體管 [hide]晶體管電路設(shè)計.pdf[/hide]
2009-11-20 09:41:18
，故穩(wěn)定性較好。由于硅管ICEO很小，故一般已不作為主要參數(shù)。(6) 集電極反向電流ICBOICBO是指晶體管發(fā)射極開路時的集電極反向電流。晶體管的ICEO約為ICBO的β倍，故ICEO要明顯大于ICBO。(7) 特征頻率FT FT越高，晶體管的高頻性能越好，也就是可工作的頻率越高。
2018-06-13 09:12:21
晶體管的主要參數(shù)有哪些？晶體管的開關(guān)電路是怎樣的？
2021-06-07 06:25:09
晶體管的代表形狀晶體管分類圖：按照該分類，掌握其種類1. 按結(jié)構(gòu)分類根據(jù)工作原理不同分類，分為雙極晶體管和單極晶體管。雙極晶體管雙是指Bi（2個）、極是指Polar（極性）。雙極晶體管，即流經(jīng)構(gòu)成
2019-04-10 06:20:24
不同分類角度，有幾種不同的分類方法。在這里，從結(jié)構(gòu)和工藝方面粗略地分類如下。其中，本篇的主題“功率類”加粗/涂色表示。雙極晶體管和MOSFET中，分功率型和小信號型，IGBT原本是為處理大功率而開發(fā)
2018-11-28 14:29:28
和小信號型，IGBT原本是為處理大功率而開發(fā)的晶體管，因此基本上僅有功率型。 順便提一下，MOSFET為Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor
2020-06-09 07:34:33
即是內(nèi)置了電阻的晶體管。數(shù)字晶體管有諸多優(yōu)點如：1. 安裝面積減少 2. 安裝時間減 3. 部件數(shù)量減少 等等。數(shù)字晶體管是ROHM的專利。內(nèi)置電阻的晶體管是由ROHM最早開發(fā)并取得專利的。5. 基極
2019-07-23 00:07:18
控制大功率現(xiàn)在的功率晶體管能控制數(shù)百千瓦的功率，使用功率晶體管作為開關(guān)有很多優(yōu)點，主要是；(1)容易關(guān)斷，所需要的輔助元器件少，(2)開關(guān)迅速，能在很高的頻率下工作，(3)可得到的器件耐壓范圍從
2018-10-25 16:01:51
即是內(nèi)置了電阻的晶體管。數(shù)字晶體管有諸多優(yōu)點如：1. 安裝面積減少 2. 安裝時間減 3. 部件數(shù)量減少 等等。數(shù)字晶體管是ROHM的專利。內(nèi)置電阻的晶體管是由ROHM最早開發(fā)并取得專利的。5. 基極
2019-05-05 00:52:40
1．晶體管的結(jié)構(gòu)晶體管內(nèi)部由兩PN結(jié)構(gòu)成，其三個電極分別為集電極（用字母C或c表示），基極（用字母B或b表示）和發(fā)射極（用字母E或e表示）。如圖5-4所示，晶體管的兩個PN結(jié)分別稱為集電結(jié)（C、B極
2013-08-17 14:24:32
晶體管的品種繁多，不同的電子設(shè)備與不同的電子電路，對晶體管各項性能指標的要求是不同的。所以，應(yīng)根據(jù)應(yīng)用電路的具體要求來選擇不同用途，不同類型的晶體管。 1．一般高頻晶體管的選用一般小信號處理（例如
2012-01-28 11:27:38
強弱。控制能力強，則放大大。但如果要從晶體管內(nèi)部的電子、空穴在PN結(jié)內(nèi)電場的作用下，電子、空穴是如何運動的、晶體管的內(nèi)電場對電子、空穴是如何控制的等一些物理過程來看，就比較復(fù)雜了。對這個問題，許多
2012-02-13 01:14:04
分為硅管和鍺管兩類。 晶體管內(nèi)部結(jié)構(gòu)的特點是發(fā)射區(qū)的摻雜濃度遠遠高于基區(qū)摻雜濃度，并且基區(qū)很薄，集電結(jié)的面積比發(fā)射結(jié)面積大。這是晶體管具有放大能力的內(nèi)部條件。 2. 電流分配與放大作用 體管具有放大能力
2021-05-13 06:43:22
關(guān)于晶體管ON時的逆向電流在NPN晶體管中，基極 (B) 被偏置為正，集電極 (C) 被偏置為負，由發(fā)射極 (E) 流向C的是逆電流。1. 不用擔心劣化和損壞，在使用上是沒有問題的2. NPN-Tr
2019-05-09 23:12:18
一臺晶體管測試儀，能測到5千伏就行。但是這兩種東西網(wǎng)上搜了一下成品的安捷倫吉時利太貴了，其他的好像都需要定制。所以想來問一下有沒有用過類似的，或者國內(nèi)有哪家比較靠譜的。
2022-04-02 14:39:37
晶體管 &
2010-08-12 13:57:39
AM81214-030晶體管產(chǎn)品介紹AM81214-030報價AM81214-030代理AM81214-030咨詢熱線AM81214-030現(xiàn)貨,王先生深圳市首質(zhì)誠科技有限公司ASI為UHF，航空
2018-07-17 15:08:03
求大神相助，Multisim里面雪崩晶體管的過壓擊穿怎么放著那，當我設(shè)的電壓已經(jīng)大于了Vcbo滯后還是不見晶體管導(dǎo)通。
2014-08-08 10:42:58
變化的β倍， 也就是說，電流變化放大了β倍，所以我們稱之為β晶體管的放大倍率（β一般遠大于1）。如果我們在基極和發(fā)射極之間增加一個變化的小信號，它會導(dǎo)致基極電流Ib的變化。Ib的變化被放大后，會導(dǎo)致
2023-02-08 15:19:23
NPT2020射頻晶體管產(chǎn)品介紹NPT2020報價NPT2020代理NPT2020咨詢熱線NPT2020現(xiàn)貨,王先生*** 深圳市首質(zhì)誠科技有限公司, MACOM公司的開關(guān)和衰減器專用PIN二極管
2018-09-26 09:04:23
發(fā)射極始終偏置為負，因此基極和發(fā)射極（VBE）之間的電壓現(xiàn)在在基極為負，在發(fā)射極為正。此外，發(fā)射極電源電壓相對于集電極（VCE）為正。因此，要使PNP晶體管導(dǎo)通，發(fā)射極必須始終比基極和集電極更正。如圖所示
2023-02-03 09:44:48
）= + 25°CSGN19H181M1H砷化鎵晶體管SGN19H240M1H砷化鎵晶體管SGN21H180M1H砷化鎵晶體管SGN21H121M1H砷化鎵晶體管SGN21H181M1H砷化鎵晶體管
2021-03-30 11:32:19
晶體管（transistor）是一種固體半導(dǎo)體器件，可以用于檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號調(diào)制和許多其它功能
2010-08-13 11:36:51
multisim仿真中高頻晶體管BFG35能用哪個晶體管來代替，MFR151管子能用哪個來代替？或是誰有這兩個高頻管子的原件庫？求大神指教
2016-10-26 11:51:18
最高的晶體管密度。超微縮指的是英特爾在14納米和10納米制程節(jié)點上提升2.7倍晶體管密度的技術(shù)。在此次“英特爾精尖制造日”活動上，英特爾“Cannon Lake”10納米晶圓全球首次公開亮相。馬博還演示
2017-09-22 11:08:53
`內(nèi)容簡介：《晶體管電路設(shè)計》(上)是“實用電子電路設(shè)計叢書”之一，共分上下二冊。《晶體管電路設(shè)計》(上)作為上冊主要內(nèi)容有晶體管工作原理，放大電路的性能、設(shè)計與應(yīng)用，射極跟隨器的性能與應(yīng)用電
2017-07-25 15:29:55
輸出;還可以把基極電流lb放大β倍，然后在集電極以Ic形式輸出。（2）場效應(yīng)晶體管含義：原件要比晶體管小得多晶體管就是一個小硅片 但是場效應(yīng)晶體管的結(jié)構(gòu)要比晶體管的要復(fù)雜場效應(yīng)管的溝道一般是幾個納米
2019-04-09 11:37:36
Nano-Proprietary旗下的Applied Nanotech公司與Funai Electric先進應(yīng)用技術(shù)研究所日前宣布，雙方將針對一個研究項目進行合作，共同開發(fā)基于酶涂層碳納米管
2018-11-19 15:20:44
互補晶體管的匹配
2019-10-30 09:02:03
的晶體管。隨著半導(dǎo)體刻蝕技術(shù)的發(fā)展，大規(guī)模集成電路的集成度越來越高。以動態(tài)隨機存取存儲器（DRAM）為例，其集成度正以每兩年近四倍的速度增長，預(yù)計單電子晶體管將是最終目標。目前，平均存儲器包含
2023-02-03 09:36:05
晶體管通道完全閉合；二維過渡金屬二硫化物受損于其比透明導(dǎo)電氧化物還低的載流子遷移率。 在新加坡-麻省理工學(xué)院研究與技術(shù)聯(lián)盟，正在先行研發(fā)一種有前景的替代材料：GaN。從光學(xué)角度看，GaN的帶隙為
2020-11-27 16:30:52
摻雜水平的p型半導(dǎo)體材料制成。發(fā)射器摻雜的供體雜質(zhì)比收集器高得多，而收集物的摻雜水平遠低于發(fā)射器。NPN晶體管的偏置排列與PNP晶體管的偏置排列相反。電壓已反轉(zhuǎn)。電子具有比空穴更高的遷移率，是NPN類型
2023-02-03 09:50:59
，這種產(chǎn)品能夠承受相當于65.0:1的電壓駐波比(VSWR)的負載失配。但這些晶體管真的無懈可擊嗎？這種耐用性適用于哪些類型的應(yīng)用？
2019-08-22 08:14:59
功率設(shè)計通常與集成電路 （IC） 邏輯一起使用，以驅(qū)動螺線管、發(fā)光二極管 （LED） 顯示器和其他小負載。 與使用標準單晶體管相比，達林頓晶體管設(shè)計具有多個優(yōu)勢。該對中每個晶體管的增益相乘，從而產(chǎn)生
2023-02-16 18:19:11
FinFET成為它們的替代品。鰭式場效應(yīng)晶體管比平面 MOSFET 更好地阻斷短通道效應(yīng)，從而實現(xiàn)晶體管縮放。 平面設(shè)計不會超出 30 nm 的柵極長度。柵極氧化物停止密封源頭上的柵極控制，漏極較弱
2023-02-24 15:25:29
PNP晶體管在哪里使用？放大電路采用PNP晶體管。達林頓對電路采用PNP晶體管。機器人應(yīng)用利用了PNP晶體管。PNP 晶體管用于控制大功率應(yīng)用中的電流。如何控制PNP晶體管？首先，為了接通PNP
2023-02-03 09:45:56
請教：單結(jié)晶體管在什么位置，有人說是UJT，但好象用不了呀？
2013-09-26 16:55:49
做了一個單結(jié)晶體管仿真（電力電子技術(shù)的初學(xué)者）。有個問題請教于各位高手。1：開關(guān)初始時刻是閉合的時候，點擊仿真，發(fā)光二極管不亮 。:2：初始時刻，開關(guān)打開，點擊仿真后，點擊開關(guān)閉合，二極管開始閃爍。按照道理來說。情境1與情境2不應(yīng)該是一樣的嗎，為什么會有差別啊。
2017-03-07 21:07:45
各位高手，小弟正在學(xué)習(xí)單結(jié)晶體管，按照網(wǎng)上的電路圖做的關(guān)于單結(jié)晶體管的仿真，大多數(shù)都不成功，請問誰有成功的單結(jié)晶體管的仿真仿真啊，可以分享下嗎。
2016-03-04 09:15:06
NPN型雙極性晶體管可以視為共用陽極的兩個二極管接合在一起。在雙極性晶體管的正常工作狀態(tài)下，基極-發(fā)射極結(jié)（稱這個PN結(jié)為“發(fā)射結(jié)”）處于正向偏置狀態(tài)，而基極-集電極（稱這個PN結(jié)為“集電結(jié)”）則處于反向偏置狀態(tài)。
2019-09-26 09:00:23
。場效應(yīng)晶體管有時被稱為單極性晶體管，以它的單載流子型作用對比雙極性晶體管（bipolar juncTIon transistors，縮寫：BJT）。盡管由于半導(dǎo)體材料的限制，以及曾經(jīng)雙極性晶體管比
2019-05-08 09:26:37
、漏極電流等參數(shù)。選用音頻功率放大器推挽輸出用VMOS大功率場效應(yīng)晶體管時，要求兩管的各項參數(shù)要一致（配對），要有一定的功率余量。所選大功率管的最大耗散功率應(yīng)為放大器輸出功率的0.5~1倍,漏源擊穿電壓應(yīng)為功放工作電壓的2倍以上。
2021-05-13 07:10:20
載流子導(dǎo)電，所以稱之為單極型器件，而晶體管是即有多數(shù)載流子，也利用少數(shù)載流子導(dǎo)電。被稱之為雙極型器件。（3）有些場效應(yīng)管的源極和漏極可以互換使用，柵壓也可正可負，靈活性比晶體管好。（4）場效應(yīng)管能在很小
2021-05-13 07:09:34
。（2）場效應(yīng)管是利用多數(shù)載流子導(dǎo)電，所以稱之為單極型器件，而晶體管是即有多數(shù)載流子，也利用少數(shù)載流子導(dǎo)電。被稱之為雙極型器件。（3）有些場效應(yīng)管的源極和漏極可以互換使用，柵壓也可正可負，靈活性比晶體管
2017-05-06 15:56:51
）場效應(yīng)管是利用多數(shù)載流子導(dǎo)電，所以稱之為單極型器件，而晶體管是即有多數(shù)載流子，也利用少數(shù)載流子導(dǎo)電。被稱之為雙極型器件。（3）有些場效應(yīng)管的源極和漏極可以互換使用，柵壓也可正可負，靈活性比晶體管
2009-04-25 15:43:51
晶體管開關(guān)對電子產(chǎn)品至關(guān)重要。了解晶體管開關(guān)，從其工作區(qū)域到更高級的特性和配置。 晶體管開關(guān)對于低直流開/關(guān)開關(guān)的電子設(shè)備至關(guān)重要，其中晶體管在其截止或飽和狀態(tài)下工作。一些電子設(shè)備（如 LED
2023-02-20 16:35:09
們測量NPN管時，正極測試引線連接到發(fā)射極，負極測試引線連接到集電極。測得的電阻一般應(yīng)超過幾千歐姆。 然后在基極和集電極之間串聯(lián)一個100kΩ電阻。此時，萬用表測量的電阻值應(yīng)顯著降低。變化越大，晶體管
2023-02-14 18:04:16
什么是微波功率晶體管？如何提高微波功率晶體管可靠性？
2021-04-06 09:46:57
為了改善晶體管的開關(guān)特性，減小晶體管的損耗，在晶體管基極驅(qū)動電路的設(shè)計上會采取一些加速措施。如下： 加速電路一 在加速電路一中，并聯(lián)在RB兩端的電容CB稱為加速電容，數(shù)值一般在1nf
2020-11-26 17:28:49
來至網(wǎng)友的提問：如何選擇分立晶體管？
2023-11-24 08:16:54
，這種產(chǎn)品能夠承受相當于65.0:1的電壓駐波比(VSWR)的負載失配。但這些晶體管真的無懈可擊嗎？這種耐用性適用于哪些類型的應(yīng)用？
2019-08-22 06:13:27
晶體管依照用途大致分為高頻與低頻，它們在型號上的大致區(qū)別是什么？例如《晶體管電路設(shè)計》中列舉的：高頻（2SA****，2SC*****）、低頻（2SB****，2SD****）。現(xiàn)在產(chǎn)品設(shè)計中最常用的型號是哪些？
2017-10-11 23:53:40
bandgap中晶體管的熱噪聲比較大，通過什么手段能解決？
2021-06-24 07:29:25
發(fā)光二極管(OLED)的有機層比液晶顯示器(lcd)和發(fā)光二極管(led)中使用的晶體層更薄，也更輕。目前，oled 的厚度小于2毫米，而 LCD 的厚度為4-6毫米。有機發(fā)光二極管的厚度可能會進一步下降
2022-04-04 10:31:10
CN5711是一款電流調(diào)制集成電路，恒定輸出電流可達1.5A，可以用來驅(qū)動包括白色發(fā)光二極管在內(nèi)的各類發(fā)光二極管。CN5711的LED端電流通過一個外部的電阻設(shè)置，電流范圍為30mA到1.5A。芯片
2015-05-06 17:16:52
% R2的最小值-20% VBE的最大值0.75V這一組最差數(shù)值代入式子②計算。根據(jù)下面的式子選擇數(shù)字晶體管的電阻R1、R2，使數(shù)字晶體管的IC比使用設(shè)備上的最大輸出電流Iomax大。∴ Iomax
2019-04-22 05:39:52
的基礎(chǔ)上計算將R1的最大值+30% R2的最小值-20% VBE的最大值0.75V這一組最差數(shù)值代入式子②計算。根據(jù)下面的式子選擇數(shù)字晶體管的電阻R1、R2，使數(shù)字晶體管的IC比使用設(shè)備上的最大輸出電流
2019-04-09 21:49:36
急需一種流動性更強的新材料來替代硅。三五族材料砷化銦鎵就是候選半導(dǎo)體之一，普渡大學(xué)通過這種材料做出了全球首款3D環(huán)繞閘極(gate-all-around)晶體管。此外，三五族合金納米管將把閘極長度
2011-12-08 00:01:44
晶體管的代表形狀晶體管分類圖：按照該分類，掌握其種類1. 按結(jié)構(gòu)分類根據(jù)工作原理不同分類，分為雙極晶體管和單極晶體管。雙極晶體管雙是指Bi（2個）、極是指Polar（極性）。雙極晶體管，即流經(jīng)構(gòu)成
2019-05-05 01:31:57
，LLC初級側(cè)電流ILr由次級側(cè)電流除以變壓器匝數(shù)比n和磁化電流ILm的疊加組成。磁化電流不會傳遞到輸出端，而是需要對晶體管的寄生輸出電容以及變壓器繞組內(nèi)和繞組間電容的組合放電，從而實現(xiàn)晶體管導(dǎo)通的零
2023-02-27 09:37:29
求大佬分享一款適用于激光及MRI的寬帶LDMOS晶體管
2021-06-08 06:29:42
如何用晶體管搭建一個放大電路，要求輸入為1V，輸出至少放大一倍，這么大的輸入怎么做到不失真呢？
2016-06-11 16:17:59
用IBM43RF0100EV評估板評估IBM43RF0100 SiGe晶體管性能
2009-05-12 11:46:34
Ib放大β倍，然后在集電極以Ic形式輸出。二、場效應(yīng)晶體管：原件要比晶體管小得多.晶體管就是一個小硅片.但是場效應(yīng)晶體管的結(jié)構(gòu)要比晶體管的要復(fù)雜.場效應(yīng)管的溝道一般是幾個納米,也就是說場效應(yīng)晶體管
2019-03-27 11:36:30
CoolGaN?晶體管特性設(shè)計的柵極驅(qū)動電路如圖1所示。為確保柵極驅(qū)動正常，驅(qū)動電壓VS的峰值需要超過VF的兩倍（通常使用8V～10V），通過Ron提供了一條瞬態(tài)低阻抗高速AC路徑來為Con和CGS充電，然后
2021-01-19 16:48:15
碳納米管/ TiO2 電極光電催化測定耐蘭方法探討摘要:自合成二氧化鈦2碳納米管( TiO22CN T) 復(fù)合催化劑,用Nafion 溶液把CN T2TiO2 固定到玻碳電極上制成CN T2TiO2
2009-08-08 09:44:34
碳納米管針尖
2019-10-18 09:36:45
并采用CST進行仿真，結(jié)果表明納米管束比單根納米管的天線效率提高了30-40dB，文中把納米管束作為電導(dǎo)率與納米管根數(shù)成正比的單根天線來研究，在理論上不夠準確，而且鑒于納米管束的尺寸，采用中點饋電
2019-05-28 07:58:57
用LED做某種顯示時，要在一批發(fā)光二極管，經(jīng)過篩選找出其亮度接近的使用。用最簡單的方法，搭一檢測電路，完成發(fā)光二極管亮度篩選。 提示：指針式萬用表、光電二極管等。。。。。。。
2017-12-01 22:22:43
用。（2）橫向PNP管： 這種結(jié)構(gòu)管子的載流子是沿著晶體管斷面的水平方向運動的，故稱為橫向PNP管。由于受工藝限制，基區(qū)寬度不可能很小，所以它的值相對較低，一般為十幾倍到二、三十倍。橫向PNP管的優(yōu)點
2019-04-30 06:00:00
見證者，肖克萊在這本筆記上鄭重地簽了名。1948年，肖克萊發(fā)明了“結(jié)型晶體管 ”。1948年7月1日，美國《紐約時報》只用了8個句子的篇幅，簡短地公開了貝爾實驗室發(fā)明晶體管的消息。“一石激起千層浪”，它就像顆重磅***，在全世界電子行業(yè)“引爆”出強烈的沖擊波。電子計算機終于就要大步跨進第二代的門檻！
2012-08-02 23:55:11
來至網(wǎng)友的提問：如何選擇分立晶體管？
2018-12-12 09:07:55
這個達林頓晶體管廠家是哪家
2022-05-30 16:36:56
來自IBM、蘇黎世理工學(xué)院和美國普渡大學(xué)的工程師近日表示，他們構(gòu)建出了首個10納米以下的碳納米管(CNT)晶體管
2012-02-04 09:45:29
843 FinFET的芯片。在2月份舉行的這次Common Platform 2013技術(shù)論壇上，IBM除了展示FinFET這種3D晶體管技術(shù)外，還展示了諸如硅光子晶體管，碳納米管等前沿技術(shù)。
2013-02-20 23:04:307798 米特拉表示，“如果利用碳納米管晶體管取代硅晶體管，效能比可提高1000倍。”
2016-08-22 14:03:54986 但是，這并不代表著對碳納米管半導(dǎo)體技術(shù)的研發(fā)會一帆風(fēng)順。1998年首個碳納米管晶體管研發(fā)至今，碳納米管半導(dǎo)體技術(shù)一直遭遇材料上的瓶頸。長期以來，最小碳納米管CMOS器件的柵長停滯在20nm（2014年 IBM）。
2020-08-31 15:00:503526 新的制造工藝，該工藝可以更好地控制碳納米管晶體管。這種控制對于確保在邏輯電路中充當晶體管的晶體管完全關(guān)閉時至關(guān)重要。
2020-12-15 15:22:131610 碳納米管具有高穩(wěn)定性和卓越的電子特性，已成為替代晶體管中硅的主要候選材料。在11 月 17 日發(fā)表于《科學(xué)》雜志的一篇評論文章中，西北大學(xué)的Mark Hersam及其合作者概述了碳納米管在高性能 IC 以及適用于物聯(lián)網(wǎng)的低成本/低性能電子產(chǎn)品中的機遇和剩余挑戰(zhàn)
2022-11-25 10:03:361104
電子發(fā)燒友App
工商網(wǎng)監(jiān)
評論