一、mos管簡介

　　mos管是金屬（metal）—氧化物（oxide）—半導體（semiconductor）場效應晶體管，或者稱是金屬—絕緣體（insulator）—半導體。MOS管的source和drain是可以對調的，他們都是在P型backgate中形成的N型區。在多數情況下，這個兩個區是一樣的，即使兩端對調也不會影響器件的性能。這樣的器件被認為是對稱的。

　　Mos管的結構特點：

　　MOS管的內部結構如下圖所示;其導通時只有一種極性的載流子（多子）參與導電，是單極型晶體管。導電機理與小功率MOS管相同，但結構上有較大區別，小功率MOS管是橫向導電器件，功率MOSFET大都采用垂直導電結構，又稱為VMOSFET，大大提高了MOSFET器件的耐壓和耐電流能力。

　　其主要特點是在金屬柵極與溝道之間有一層二氧化硅絕緣層，因此具有很高的輸入電阻，該管導通時在兩個高濃度n擴散區間形成n型導電溝道。n溝道增強型MOS管必須在柵極上施加正向偏壓，且只有柵源電壓大于閾值電壓時才有導電溝道產生的n溝道MOS管。n溝道耗盡型MOS管是指在不加柵壓（柵源電壓為零）時，就有導電溝道產生的n溝道MOS管。

　　MOS管工作原理：

　　MOS管的工作原理（以N溝道增強型MOS場效應管）它是利用VGS來控制“感應電荷”的多少，以改變由這些“感應電荷”形成的導電溝道的狀況，然后達到控制漏極電流的目的。在制造管子時，通過工藝使絕緣層中出現大量正離子，故在交界面的另一側能感應出較多的負電荷，這些負電荷把高滲雜質的N區接通，形成了導電溝道，即使在VGS=0時也有較大的漏極電流ID。當柵極電壓改變時，溝道內被感應的電荷量也改變，導電溝道的寬窄也隨之而變，因而漏極電流ID隨著柵極電壓的變化而變化。

　　MOS管應用：

　　MOS管最顯著的特性是開關特性好，所以被廣泛應用在需要電子開關的電路中，常見的如開關電源和馬達驅動，也有照明調光。而且由MOS管構成的CMOS傳感器為相機提供了越來越高的畫質，成就了更多的“攝影家”。

　　二、PMOS管簡介

　　PMOS是指n型襯底、p溝道，靠空穴的流動運送電流的MOS管

　　PMOS管工作原理：

　　PMOS的工作原理與NMOS相類似。因為PMOS是N型硅襯底，其中的多數載流子是空穴，少數載流子是電子，源漏區的摻雜類型是P型，所以，PMOS的工作條件是在柵上相對于源極施加負電壓，亦即在PMOS的柵上施加的是負電荷電子，而在襯底感應的是可運動的正電荷空穴和帶固定正電荷的耗盡層，不考慮二氧化硅中存在的電荷的影響，襯底中感應的正電荷數量就等于PMOS柵上的負電荷的數量。當達到強反型時，在相對于源端為負的漏源電壓的作用下，源端的正電荷空穴經過導通的P型溝道到達漏端，形成從源到漏的源漏電流。同樣地，VGS越負（絕對值越大），溝道的導通電阻越小，電流的數值越大。

　　與NMOS一樣，導通的PMOS的工作區域也分為非飽和區，臨界飽和點和飽和區。當然，不論NMOS還是PMOS，當未形成反型溝道時，都處于截止區，其電壓條件是

　　VGS《VTN（NMOS），

　　VGS》VTP（PMOS），

　　值得注意的是，PMOS的VGS和VTP都是負值。

　　PMOS集成電路是一種適合在低速、低頻領域內應用的器件。PMOS集成電路采用-24V電壓供電。CMOS-PMOS接口電路采用兩種電源供電。采用直接接口方式，一般CMOS的電源電壓選擇在10～12V就能滿足PMOS對輸入電平的要求。MOS場效應晶體管具有很高的輸入阻抗，在電路中便于直接耦合，容易制成規模大的集成電路。

　　三、如何判斷NMOS管和PMOS管

　　第一種判斷方法：

　　1、可以根據電流的方向來判斷，如下圖說是，電流流出的為NMOS管

　　2、下圖為PMOS管，電流流入的為PMOS管。

　　第二種判斷方法：

　　1、根據襯底PN結的方向，PN結指向內的為NMOS管，如下圖所示

　　2、PN結指向外的為PMOS管，如下圖所示