mos管是金屬（metal）—氧化物（oxide）—半導(dǎo)體（semiconductor）場效應(yīng)晶體管，或者稱是金屬—絕緣體（insulator）—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對調(diào)的，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。在多數(shù)情況下，這個(gè)兩個(gè)區(qū)是一樣的，即使兩端對調(diào)也不會(huì)影響器件的性能。這樣的器件被認(rèn)為是對稱的。

　　和晶體管不一樣，MOS管的參數(shù)中沒有直接給出管壓降，而是給出導(dǎo)通電阻Rds（on），SI2301的導(dǎo)通電阻在Dd=3.6A時(shí)是85mΩ，在Id=2A時(shí)是115mΩ，這樣可算出它的管壓降在3.6A和2A時(shí)分別為0.306V和0.23V。

　　我昨天有幸拜讀了xueflyer寫的MOS管的那點(diǎn)事兒（點(diǎn)這里），這篇教程制作得非常好，讓人一目了然，加深了對MOS管的理解。但該教程中關(guān)于MOS管的導(dǎo)通電壓方面還講得不夠清楚，教程中講到用于信號(hào)控制的MOS管的導(dǎo)通電壓為5v左右，只要導(dǎo)通就行，不需要完全導(dǎo)通時(shí)沒講清楚。相信不少新手都還會(huì)有疑問，為什么這里導(dǎo)通電壓Vgs只要5v左右，為什么不需要完全導(dǎo)通？在這里我借花獻(xiàn)佛，根據(jù)MOS管資料來為大家圖文解析一下，先看一個(gè)用于信號(hào)控制的小功率N溝道MOS管2N7000，如下圖

　　大家看到了吧，Rds（on）是MOS管導(dǎo)通時(shí)，D極和S極之間的內(nèi)生電阻，它的存在會(huì)產(chǎn)生壓降，所以越小越好。D極與S極間電流Id最大時(shí)完全導(dǎo)通。在圖中可以看到Vgs=10v完全導(dǎo)通，電阻Rds=5歐左右，電流Id=500mA（最大，完全導(dǎo)通），產(chǎn)生壓降Vds=2.5v。而Vgs=4.5v時(shí)，Id=75mA（不是最大，沒完全導(dǎo)通），Rds=5.3歐左右，雖然沒完全導(dǎo)通，但產(chǎn)生的壓降Vds=0.4v最小，比Vgs=10v產(chǎn)生的壓降小得多。對于信號(hào)控制（控制DS極導(dǎo)通接地實(shí)現(xiàn)高低平）來說只要電壓，不需要電流（為什么？這里是信號(hào)和電源的區(qū)別，基礎(chǔ)很重要，這里不做解釋，不懂的請先惡補(bǔ)一下基礎(chǔ)），所以只要求MOS管導(dǎo)通時(shí)產(chǎn)生的壓降越小越好，可以使D極的電壓直接被拉為接近0v，因此首選Vgs=4.5v左右，而不選10v。有些用于信號(hào)控制的MOS管如2N7002K，Vgs為10V和4.5V時(shí)產(chǎn)生的壓降差不多，可以根據(jù)情況選擇10v或者4.5v左右的導(dǎo)通電壓。因此對信號(hào)控制來說，原則上是選擇導(dǎo)通時(shí)產(chǎn)生的壓降越小越好。

　　那么對于使用在電源控制方面，既需要電壓也需要電流的大功率MOS管來說，就需要完全導(dǎo)通，那么導(dǎo)通電壓是多少呢？我們再來看一個(gè)大功率N溝道MOS管AO1428A，如下圖

　　從圖中可以看出Vgs為10v和4.5v時(shí)，Id為12.4A，都達(dá)到最大，都可完全導(dǎo)通。但10v比4.5v的導(dǎo)通電阻小，產(chǎn)生壓降小（大約差0.7v），并且10v的開關(guān)速度快，損失的能量少，開關(guān)效率高，所以首選10v。

　　至于P溝道MOS管，跟N溝道的差不多，這時(shí)不做解析了，它用在信號(hào)控制方面的很少，主要是用在電源控制如AO4425，G極電壓必須低于S極10V以上，也就是Vgs《-10v，才能完全導(dǎo)通（Rds= 9 mΩ左右）。如下圖

　　總結(jié)：信號(hào)控制使用的MOS管，只要電壓，不需要電流，要求導(dǎo)通時(shí)產(chǎn)生的壓降Vds最小，首選Vgs=4.5v左右，對信號(hào)控制來說，原則上是選擇導(dǎo)通時(shí)產(chǎn)生的壓降越小越好。電源控制使用的MOS管，既要電壓也要電流，要求完全導(dǎo)通，要求Id最大，產(chǎn)生的壓降Vds最小，首選Vgs=10v左右。

　　如何把Mos管導(dǎo)通時(shí)電壓降控制在最小

　　在用FDS6890A型號(hào)N-mos，用作開關(guān)，漏極加10伏電壓，柵極加0到5伏方波控制導(dǎo)通閉合，但是測量源極電壓時(shí)候只有0到8伏的方波輸出。

　　怎么提高M(jìn)os管效率，或者是用一些高級(jí)點(diǎn)的電路？

　　首先要了解MOS管的工作原理。MOS管與一般晶體三極管是不同的。它是電壓控制元件，它是柵極電壓控制的是S-D極間的體電阻。在柵極施加不同的電壓，源-漏極之間就會(huì)有電阻的變化，這就是MOS管的工作原理。柵極電壓對應(yīng)在器件S-D極的電阻變化曲線可以查器件手冊。根據(jù)MOS管的這個(gè)特性，既可以選擇將MOS管作放大器工作，也可以選擇作為開關(guān)工作。

　　根據(jù)以上原理分析，在你的問題中，如果要使MOS管作在開關(guān)狀態(tài)，就要對柵極施加足夠的電壓，它才能充分起到開關(guān)作用。你在柵極施加的電壓只有5V（對于單管而言我認(rèn)為柵極電壓低了，一般應(yīng)該在12V左右比較好），這個(gè)電壓下MOS管的夾斷電阻依然比較大，所以輸出只有8V。