IR2110是美國國際整流器公司（International Rectifier Company ）利用自身獨有的高壓集成電路及無門鎖CMOS 技術，于1990 年前后開發并投放市場的大功率MOSFET和IGBT專用柵極驅動集成電路，已在電源變換、馬達調速等功率驅動領域中獲得了廣泛的應用。該電路芯片體積小（DIP-14、SOIC-16），集成度高（可驅動同一橋臂兩路），響應快（ ton /tof = 120/94 n s ），偏值電壓高（《 600 V ），驅動能力強，內設欠壓封鎖，而且其成本低，易于調試，并設有外部保護封鎖端口。

　　尤其是上管驅動采用外部自舉電容上電，使得驅動電源路數目較其他IC驅動大大減小。對于發射機的4 管構成的全橋電路，采用2片IR2110驅動2個橋臂，僅需要一路10一20V電源，從而大大減小了控制變壓器的體積和電源數目， 降低了產品成本， 提高了系統的可靠性。

　?。?）R 2110的典型應用連接見圖。通常，它的輸出級的工作電源是一懸浮電源，這是通過一種自舉技術由固定的電源得來的。充電二極管VD的耐壓能力必須大于高壓母線的峰值電壓，為了減小功耗，推薦采用一個快恢復的二極管。自舉電容C的值依賴于開關頻率，占空比和功率MOSFET或IGBT柵極的充電需要，應注意的是電容兩端耐壓不允許低于欠電壓封鎖臨界值，否則將產生保護性關斷。對于5kHz以上的開關應用，通常采用。．1f/F的電容是合適的。

　?。?）為了向需開關的容性負載提供瞬態電流，應用中應在vcc和COM間、VDD和y鵝間連接兩個旁路電容，這兩個電容及VB和Vs間的儲能電容都要與器件就近連接。建議Vcc上的旁路電容用一個n 1VF的陶瓷電容和一個iFeF的鉭電容并聯，而邏輯電源V∞上有一個o_ ipiF的陶瓷電容就足夠了。

　　（3）大電流的MOSFET或IGBT相對需要較大的柵極驅動能力，IR 2110的輸出即使對這些器件也可進行快速的驅動。為了盡量減小柵極驅動電路中的電感，每個MOSFET應分別連接到JR 2110的2腳和5腳作為柵極驅動信號的反饋。對于較小功率的MOSFET或IGBT可在輸出處串一個柵極電阻，柵極電阻的值依賴于電磁兼容（EMI）的需要、開關損耗及最大允許dvldt值。