PMH系列MOSFET采用了DFN0606封裝，占位面積僅為0.62 x 0.62 mm，與前一代DFN1006器件相比，節(jié)省了超過36%的空間。
2020-04-23 11:05:58
799 概述OC5862 是一款內(nèi)置功率 MOSFET的單片降壓型開關(guān)模式轉(zhuǎn)換器。OC5862在 5.5-60V 寬輸入電源范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn) 0.8 A峰值輸出電流，并且具有出色的線電壓和負(fù)載調(diào)整率。OC5862
2023-03-28 17:12:54
想做一個(gè)0—60V的可調(diào)直流電路，一直找不到合適的解決方案。請(qǐng)教各位給出一個(gè)優(yōu)質(zhì)的解決方案
2015-11-28 15:44:47
惠海直銷30V 60V 100V mos管 3A5A10A15A 25A 30A 50A 貼片 mos管【惠海半導(dǎo)體直銷】惠海直銷30V 60V 100V mos管SOT23封裝 TO-252
2020-11-12 09:52:03
30V 60V 100V mos管3A 5A 10A 15A 25A 30A 50A貼片mos管【惠海半導(dǎo)體直銷】30V 60V 100V mos管SOT23封裝 TO-252 SOP-8 DFN3
2020-11-11 14:45:15
`30V 60V 100V mos管3A 5A 10A 15A 25A 30A 50A貼片mos管【惠海半導(dǎo)體直銷】30V 60V 100V mos管SOT23封裝 TO-252 SOP-8
2020-11-03 15:38:19
：±3%◆寬輸入電壓：5.5V~60V◆過溫保護(hù)◆低壓差工作時(shí)，可保持高穩(wěn)定性應(yīng)用領(lǐng)域◆建筑、工業(yè)、環(huán)境照明◆MR16 及LED 燈◆汽車照明電路圖
2022-03-02 14:49:29
(SOT)-23，漏源導(dǎo)通電阻RDS(ON)通常100mΩ左右。“在這些電路板上，你有空間受限的問題嗎？”我問。他承認(rèn)有，于是我讓他看TI新型CSD18541F5 60V FemtoFET MOSFET
2022-11-16 07:06:25
` 在純電阻電路里，導(dǎo)體中的電流跟導(dǎo)體兩端的電壓成正比，跟導(dǎo)體的電阻成反比,I=U/R由歐姆定律我們可以知道電壓、電阻越大電流越小，電壓、電阻越小電流越大。所以選型時(shí)要找60V Littelfuse
2017-08-22 10:36:50
的峰值輸出電流 0.9Ω 的內(nèi)部功率MOSFET 可采用大輸出電容啟動(dòng) 低ESR 陶瓷電容輸出穩(wěn)定 效率高達(dá) 90% 固定 500kHz 頻率 熱關(guān)斷 逐周期過流保護(hù) 寬輸入電壓范圍：5.5~60V 采用SOT23-6 封裝應(yīng)用 電表 分布式電源系統(tǒng) 電池充電器 線性穩(wěn)壓器的預(yù)調(diào)節(jié)器典型應(yīng)用電路圖
2022-08-23 10:44:12
60V轉(zhuǎn)5V穩(wěn)壓芯片，60V轉(zhuǎn)3.3V穩(wěn)壓芯片，60V轉(zhuǎn)3V穩(wěn)壓芯片，60V轉(zhuǎn)1.8V穩(wěn)壓芯片，60V轉(zhuǎn)5V降壓芯片，60V轉(zhuǎn)3.3V降壓芯片，60V轉(zhuǎn)3V降壓芯片，60V轉(zhuǎn)1.8V降壓芯片。1
2020-11-18 10:00:48
產(chǎn)品概述：ZCC2459是一款內(nèi)部集成有功率MOSFET管的降壓型開關(guān)穩(wěn)壓器。以電流模式控制方式達(dá)到快速環(huán)路響應(yīng)并提高環(huán)路的穩(wěn)定性。寬范圍輸入電壓（4.5 V至60V）提供0.5A電流的高效率輸出
2019-10-24 09:26:59
80V/550mΩ高側(cè)和一個(gè)80V/350mΩ低側(cè)MOSFET，可在4.5V至60V的寬輸入電壓范圍內(nèi)提供600mA的連續(xù)負(fù)載電流。 峰值電流模式控制可提供快速的瞬態(tài)響應(yīng)和逐周期的電流限制。產(chǎn)品特性
2022-08-18 15:21:12
概述SL3063是一款外部驅(qū)動(dòng)MOSFET的降壓型開關(guān)穩(wěn)壓器，工作在寬輸入電壓范圍具有優(yōu)良的負(fù)載和線性調(diào)整。寬范圍輸入電壓（6V至60V）可提供大電流高效率輸出。SL3063安全保護(hù)機(jī)制包括逐周期
2022-05-23 09:31:25
`本人有60V電源驅(qū)動(dòng)模塊可免費(fèi)提供，有需要的可聯(lián)系我Q576309861已出售2000多個(gè)，自己DIY的，電壓穩(wěn)定，質(zhì)量保障`
2014-08-20 13:59:32
60V轉(zhuǎn)24V降壓芯片，60V轉(zhuǎn)20V降壓芯片，60V轉(zhuǎn)15V降壓芯片，60V轉(zhuǎn)12V降壓芯片，60V轉(zhuǎn)9V降壓芯片60V轉(zhuǎn)24V穩(wěn)壓芯片，60V轉(zhuǎn)20V穩(wěn)壓芯片，60V轉(zhuǎn)15V穩(wěn)壓芯片 ，60V轉(zhuǎn)
2020-11-18 10:58:57
60V轉(zhuǎn)24V降壓芯片，60V轉(zhuǎn)20V降壓芯片，60V轉(zhuǎn)15V降壓芯片，60V轉(zhuǎn)12V降壓芯片，60V轉(zhuǎn)9V降壓芯片60V轉(zhuǎn)24V穩(wěn)壓芯片，60V轉(zhuǎn)20V穩(wěn)壓芯片，60V轉(zhuǎn)15V穩(wěn)壓芯片 ，60V轉(zhuǎn)
2020-11-18 10:53:17
60V轉(zhuǎn)24V，60V轉(zhuǎn)20V，60V轉(zhuǎn)15V ，60V轉(zhuǎn)12V，60V轉(zhuǎn)9V，60V轉(zhuǎn)5V，60V轉(zhuǎn)3.3V，60V轉(zhuǎn)3V，60V轉(zhuǎn)24V芯片，60V轉(zhuǎn)20V芯片，60V轉(zhuǎn)15V芯片 ，60V轉(zhuǎn)
2020-10-07 18:24:04
/0.6A穩(wěn)壓芯片
DCDC60V降壓12V/0.6A穩(wěn)壓芯片是一種常見的電源管理芯片，它可以將輸入的60V直流電壓降低到12V，并輸出0.6A的電流。這種芯片通常采用PWM控制技術(shù)，具有高效率
2023-11-21 15:30:37
概述SL3062是一款內(nèi)部集成功率MOSFET的降壓型開關(guān)穩(wěn)壓器，工作在寬輸入電壓范圍具有優(yōu)良的負(fù)載和線性調(diào)整。寬范圍輸入電壓（6V至60V）可提供最大1.5A電流高效率輸出。SL3062安全保護(hù)
2022-06-14 09:37:05
概述 SL3063是一款外部驅(qū)動(dòng)MOSFET的降壓型開關(guān)穩(wěn)壓器，工作在寬輸入電壓范圍具有優(yōu)良的負(fù)載和線性調(diào)整。寬范圍輸入電壓（6V至60V）可提供大電流高效率輸出。 SL3063安全保護(hù)機(jī)制包括逐
2022-06-14 15:34:34
60V FemtoFET MOSFET縮小工業(yè)設(shè)備體積。”TI推薦使用無鉛（SnAgCu）SAC焊錫膏如SAC305用于mtoFET面板安裝。你可以選用第三類焊膏，但體積更小的第四類焊錫膏則是更優(yōu)
2018-08-29 15:28:55
(SOT)-23，漏源導(dǎo)通電阻RDS(ON)通常100mΩ左右。“在這些電路板上，你有空間受限的問題嗎？”我問。他承認(rèn)有，于是我讓他看TI新型CSD18541F5 60V FemtoFET MOSFET
2018-08-29 16:09:11
+-60v量程多路AD電路怎樣設(shè)計(jì)？ADC是不是都自帶采保電路（S/H),如ad7738？AD7738到底有無PGA？指南和PDF文件不一致.模擬開關(guān)和多路復(fù)用器有什么不同？AD7738 的MUX是模擬開關(guān)，還是多路復(fù)用器？謝謝您
2018-11-22 09:03:32
的非常寬的結(jié)溫和存儲(chǔ)溫度范圍.特征：?溝槽型Power MV MOSFET技術(shù)-60V?低RDS(ON)?低 GATE CHARGE?針對(duì)快速切換應(yīng)用程序進(jìn)行優(yōu)化?VDS：-60V?ID (at VGS
2019-03-13 10:54:35
ESOP8 封裝。特點(diǎn)寬輸入電壓范圍：3.6V~60V高效率：可高達(dá) 95%最高工作頻率：350KHzCS 限流保護(hù)電壓：250mVFB 電流采樣電壓：250mV芯片供電欠壓保護(hù)：2.5V關(guān)斷時(shí)間可調(diào)
2019-04-22 11:33:50
ESOP8 封裝。特點(diǎn)寬輸入電壓范圍：3.6V~60V高效率：可高達(dá) 95%最高工作頻率：350KHzCS 限流保護(hù)電壓：250mVFB 電流采樣電壓：250mV芯片供電欠壓保護(hù)：2.5V關(guān)斷時(shí)間可調(diào)內(nèi)置 60V 功率 MOS管ESOP8 封裝應(yīng)用領(lǐng)域LED 燈杯平板顯示 LED 背光大功率 LED 照明
2019-07-23 09:04:56
ESOP8 封裝。特點(diǎn)寬輸入電壓范圍：3.6V~60V高效率：可高達(dá) 95%最高工作頻率：350KHzCS 限流保護(hù)電壓：250mVFB 電流采樣電壓：250mV芯片供電欠壓保護(hù)：2.5V關(guān)斷時(shí)間可調(diào)內(nèi)置 60V 功率 MOS管ESOP8 封裝應(yīng)用領(lǐng)域LED 燈杯平板顯示 LED 背光大功率 LED 照明
2019-09-07 10:00:41
ESOP8 封裝。特點(diǎn)寬輸入電壓范圍：3.6V~60V高效率：可高達(dá) 95%最高工作頻率：350KHzCS 限流保護(hù)電壓：250mVFB 電流采樣電壓：250mV芯片供電欠壓保護(hù)：2.5V關(guān)斷時(shí)間可調(diào)內(nèi)置 60V 功率 MOS管ESOP8 封裝應(yīng)用領(lǐng)域LED 燈杯平板顯示 LED 背光大功率 LED 照明
2019-11-25 08:48:01
穩(wěn)壓管，軟啟動(dòng)以及過溫保護(hù)電路，減少外圍元件并提高系統(tǒng)可靠性。SL8530B 采用ESOP8 封裝。散熱片內(nèi)置接SW 腳。特點(diǎn) 寬輸入電壓范圍：2.6V~60V 內(nèi)置60V 功率MOS 高效率：可高達(dá)
2022-11-16 10:16:04
國(guó)際整流器公司（International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR）近日推出一款新型60V DirectFET 功率 MOSFET－IRF6648。該器件的最大導(dǎo)通電阻為7.0 mΩ(VGS
2018-11-26 16:09:23
的電流采樣電阻，能控制高亮度LED燈的驅(qū)動(dòng)電流，使LED燈亮度達(dá)到預(yù)期恒定亮度。在EN端加PWM信號(hào)，還可以進(jìn)行LED燈調(diào)光。H6900采用ESOP8封裝。 特點(diǎn)寬輸入電壓范圍：3.6V~60V效率：可
2020-10-22 16:32:20
頻率進(jìn)行調(diào)節(jié)或在 200kHz 至 700kHz 的范圍內(nèi)實(shí)施同步。在降壓或升壓操作中，無需上管 MOSFET 刷新開關(guān)周期。憑借 60V 輸入、60V 輸出能力以及工作區(qū)之間的無縫轉(zhuǎn)換
2018-11-29 17:10:36
`深圳市三佛科技有限公司 供應(yīng) NCE60P04Y 新潔能 -4A -60V MOS管，原裝，庫(kù)存現(xiàn)貨熱銷NCE60P04Y :-60V -4A SOT23-3L P溝道MOS 場(chǎng)效應(yīng)管品牌：新潔能
2020-11-06 15:30:13
`深圳市三佛科技有限公司 NCE60P04Y 新潔能 -60V -4A SOT23-3L PMOS，原裝，庫(kù)存現(xiàn)貨熱銷NCE60P04Y :-60V -4A SOT23-3L P溝道MOS 場(chǎng)效應(yīng)管
2020-10-28 16:05:32
東芝新一代功率MOSFET產(chǎn)品幫助設(shè)計(jì)者降低各種電源管理電路的損耗及縮小板子的空間，包含直流-直流轉(zhuǎn)換器的high side 及l(fā)ow side開關(guān)，以及交流-直流設(shè)計(jì)中的二次側(cè)同步整流。此技術(shù)也適合馬達(dá)控制及鋰電池電子設(shè)備中的保護(hù)模組。
2019-08-02 08:07:22
。OC5822 采用 SOP8 封裝，且外圍元器件少。特點(diǎn)? 1.5A 的最大輸出電流? 60V/2A 的內(nèi)部功率 MOSFET? 效率高達(dá) 93%? 頻率可調(diào)? 熱關(guān)斷? 逐周期過流保護(hù)? 寬輸入電壓范圍：6
2022-01-12 09:43:12
輸出電流0.9Ω 的內(nèi)部功率MOSFET可采用大輸出電容啟動(dòng)低ESR 陶瓷電容輸出穩(wěn)定效率高達(dá) 90%固定 1 MHz 頻率熱關(guān)斷逐周期過流保護(hù)寬輸入電壓范圍：5.5~60V采用SOT23-6 封裝應(yīng)用 電表分布式電源系統(tǒng)電池充電器線性穩(wěn)壓器的預(yù)調(diào)節(jié)器
2020-05-09 14:50:06
、售前服務(wù)及服務(wù)，給用戶提供最優(yōu)質(zhì)最具競(jìng)爭(zhēng)力的產(chǎn)品以及最人性化最貼心的服務(wù)。一、概述OC5860 是一款內(nèi)置功率 MOSFET的單片降壓型開關(guān)模式轉(zhuǎn)換器。OC5860在 5.5-60V 寬輸入電源
2020-05-11 11:29:51
以及過溫保護(hù)電路，減少外圍元件并提高系統(tǒng)可靠性。OC6700B采用ESOP8封裝。散熱片內(nèi)置接SW腳。特點(diǎn)? 寬輸入電壓范圍：2.6V~60V? 內(nèi)置60V功率MOS? 高效率：可高達(dá)95%? 大工
2020-05-23 09:55:11
、MOS管、LED/LEC驅(qū)動(dòng)等等，廣泛應(yīng)用于臺(tái)燈、鐘表、LCD顯示模塊、數(shù)碼伴侶、玩具、車燈、扭扭車、等各類工業(yè)和民用電器產(chǎn)品上一、概述OC6700 是一款內(nèi)置 60V 功率 NMOS高效率、高精度
2020-05-12 11:35:15
以及過溫保護(hù)電路，減少外圍元件并提高系統(tǒng)可靠性。OC6700B采用ESOP8封裝。散熱片內(nèi)置接SW腳。特點(diǎn)? 寬輸入電壓范圍：2.6V~60V? 內(nèi)置60V功率MOS? 高效率：可高達(dá)95%? 最大
2020-05-22 09:55:05
以及過溫保護(hù)電路，減少外圍元件并提高系統(tǒng)可靠性。OC6700B采用ESOP8封裝。散熱片內(nèi)置接SW腳。特點(diǎn)? 寬輸入電壓范圍：2.6V~60V? 內(nèi)置60V功率MOS? 高效率：可高達(dá)95%? 大工
2020-05-23 09:57:20
PRD1193是基于ADP1613的30至60V輸入級(jí)聯(lián)SEPIC轉(zhuǎn)換器，可在0至150mA電流下產(chǎn)生3.3V輸出。 U1（ADP1613升壓調(diào)節(jié)器）用作控制器IC，Q1是級(jí)聯(lián)（源極驅(qū)動(dòng)）功率開關(guān)MOSFET
2019-07-18 07:35:48
）”，非常適用于FA等工業(yè)設(shè)備和基站（冷卻風(fēng)扇）的電機(jī)驅(qū)動(dòng)。近年來，為了支持工業(yè)設(shè)備和基站的電機(jī)所使用的24V輸入，MOSFET作為用于驅(qū)動(dòng)的器件，需要具備考慮到電壓穩(wěn)定裕度的、40V和60V的耐壓能力
2021-07-14 15:17:34
深圳市森利威爾電子有限公司鄭先生 *** QQ：2355368874SL3039 60V 0.8A 1MHZ 降壓型轉(zhuǎn)換器概述：SL3039 是一款內(nèi)置功率MOSFET的單片降壓型開關(guān)模式轉(zhuǎn)換器
2021-04-07 17:55:14
概述SL3039 是一款內(nèi)置功率MOSFET的單片降壓型開關(guān)模式轉(zhuǎn)換器。SL3039在5.5-60V 寬輸入電源范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn) 0.8 A峰值輸出電流，并且具有出色的線電壓和負(fù)載調(diào)整率。SL3039
2021-11-16 09:36:36
`Vishay SQ2361MOSFET 符合 AEC-Q101 標(biāo)準(zhǔn)并經(jīng) 100% Rg 和 UIS 測(cè)試。SQ2361 汽車用 P 溝道 60V 功率 MOSFET 的 ESD 保護(hù)典型值達(dá)
2019-07-09 17:30:39
之前xl6009芯片資料說能升到60V,然而實(shí)際做出來只能到38V,比較郁悶,問一下有其他芯片能升壓到60V或以上嗎?
2017-04-02 16:45:35
RS485收發(fā)器支持參考設(shè)計(jì)，具有60V故障，適用于半雙工RS485網(wǎng)絡(luò)操作60V DC，15kV ESD保護(hù)
2020-05-15 09:23:17
`目前，電源工程師面臨的一個(gè)主要難題是，隨著功能的日益增多，商用電子產(chǎn)品的尺寸不斷縮小，留給電源電路的空間越來越少。解決這個(gè)難題的辦法之一是充分利用在MOSFET技術(shù)和封裝上的進(jìn)步。通過在更小尺寸
2013-12-23 11:55:35
型”系統(tǒng)或后備電池充電器中必需的低電流來說，開關(guān)模式解決方案往往就是“殺雞用牛刀”了。此外，適合高達(dá) 60V 之汽車和工業(yè)應(yīng)用的解決方案實(shí)在少之又少。LTC?4079 是一款寬輸入范圍獨(dú)立型充電器，其
2018-10-30 11:53:11
=oxh_wx3、【周啟全老師】開關(guān)電源全集http://t.elecfans.com/topic/130.html?elecfans_trackid=oxh_wx 如何把輸入220v的開關(guān)電源 （手機(jī)充電器）改成60v輸入。很對(duì)不起！我沒有懸賞積分。只能表達(dá)我的謝意！
2019-05-18 10:35:39
怎么產(chǎn)生60V電壓并且是方波1KHZ~2KHZ,如果用5V怎么變成12V電壓？，并且控制輸出方波脈寬。
2017-07-12 17:52:19
輸入60V，輸出5V，元器件最好有參數(shù)，類似下圖
2020-09-21 17:08:43
求一個(gè)過放保護(hù)電路，電池60V，過放到54v的時(shí)候截止，電路越簡(jiǎn)單越好。謝謝
2023-03-17 10:28:57
測(cè)量高精度60V電量監(jiān)測(cè)計(jì)
2019-09-18 08:56:50
三相電機(jī)驅(qū)動(dòng)中的一相，電壓是60V，其中 C4B 和 R5B 是吸收尖峰電壓?jiǎn)? 要如何選擇型號(hào)呢 ？
2018-09-10 17:30:11
我這邊用示波器測(cè)的60V的電源，輸出紋波好大，不知道是測(cè)試問題還是電源的問題，示波器圖片如下：
2014-12-30 18:35:44
產(chǎn)品概述：ZCC2459是一款內(nèi)部集成有功率MOSFET管的降壓型開關(guān)穩(wěn)壓器。以電流模式控制方式達(dá)到快速環(huán)路響應(yīng)并提高環(huán)路的穩(wěn)定性。寬范圍輸入電壓（4.5 V至60V）提供0.5A電流的高效率輸出
2020-12-17 14:47:30
，高輸出功率下?lián)p耗的降低，會(huì)導(dǎo)致低負(fù)載范圍內(nèi)損耗的升高。 英飛凌通過推出阻斷電壓為40V和60V的新型MOSFET，為在整個(gè)負(fù)載范圍內(nèi)大幅降低各種損耗創(chuàng)造了條件。 通過對(duì)測(cè)量曲線進(jìn)行直接比對(duì)，結(jié)果顯示
2018-12-06 09:46:29
簡(jiǎn)化48V至60V直流饋電三相逆變的方法
2020-11-27 06:43:34
的一些功能也使其適用于給電池和超級(jí)電容器充電。LT3761 的4.5V至60V的輸入電壓范圍使該器件適用于多種應(yīng)用，包括汽車、工業(yè)和建筑照明。LT3761 采用一個(gè)外部 N 溝道 MOSFET，可用一個(gè)
2012-12-12 17:01:33
的亮度。產(chǎn)品特點(diǎn): 內(nèi)置溫度保護(hù) 輸出短路保護(hù) 關(guān)斷時(shí)間可調(diào) 內(nèi)置電流采樣前沿消隱電路 高效率：可高達(dá) 95% 最大工作頻率：300kHz 寬輸入電壓范圍：5V~60V峰值電流采樣電壓：250mV內(nèi)置
2018-07-26 10:11:50
MOSFET將封裝面積減半-Zetex新款無鉛型Zetex 新款無鉛型 MOSFET 將占位面積減半模擬信號(hào)處理及功率管理方案供應(yīng)商Zetex Semiconductors (捷特科)公司推出其
2008-03-22 14:46:02484 通過無線RF集成減少元件數(shù)量縮小線路板面積
如今的無線設(shè)備中，線路板上一半以上的元件都是模擬RF器件，因此要縮小線路板面積和功耗一個(gè)有效方法就是進(jìn)行更大規(guī)
2009-12-26 14:39:56394 
小信號(hào)應(yīng)用60V功率MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.推出采用SOT-923封裝的60V N溝道功率MOSFET --- SiM400。該器件為業(yè)界最小的60V功率MOSFET，比SC-70和SC-90等封裝能節(jié)約更多
2009-12-31 09:59:441421 Diodes公司 （Diodes Incorporated） 推出一對(duì)MOSFET H橋，DMHC4035LSD和DMHC3025LSD。產(chǎn)品通過減少元件數(shù)量及縮減50%的印刷電路板占位面積，簡(jiǎn)化電機(jī)驅(qū)動(dòng)和電感無線充電電路。
2015-03-03 10:43:401459 德州儀器（TI）近日推出新型60-V N通道功率FemtoFET功率晶體管，電阻實(shí)現(xiàn)業(yè)內(nèi)最低，比傳統(tǒng)60-V負(fù)載開關(guān)低90%，同時(shí)，使終端系統(tǒng)功耗得以降低。CSD18541F5內(nèi)置于微型1.53-mm x 0.77-mm硅基封裝，其負(fù)載開關(guān)的封裝體積比SOT-23中的減小80%。
2016-07-18 17:12:361476 在中國(guó)深圳，我最近遇到了一位在一家信息娛樂系統(tǒng)制造商任職的設(shè)計(jì)師。你碰巧在你的設(shè)計(jì)中用過60V的負(fù)載開關(guān)嗎？我問。他說用過，并告訴我他的電路板包含了大約10個(gè)30V-60V的小外形尺寸晶體管(SOT)-23，漏源導(dǎo)通電阻RDS(ON)通常100m左右。
2017-04-18 07:52:11784 
關(guān)鍵詞：MOSFET , FemtoFET 小信號(hào) MOSFET 晶體管為移動(dòng)設(shè)備節(jié)省電源，延長(zhǎng)電池使用壽命 德州儀器 (TI) 宣布面向智能手機(jī)與平板電腦等空間有限手持應(yīng)用推出業(yè)界最小型低導(dǎo)通電
2018-10-13 11:03:01308 60V轉(zhuǎn)5V，60V轉(zhuǎn)12V的降壓芯片規(guī)格書，0.1A-10A
2020-11-25 17:54:42
38 Vishay/Siliconix SiR186LDP N溝道60V （D-S） MOSFET采用TrenchFET? Gen IV功率MOSFET技術(shù)。
2021-04-21 17:50:211274 
60V零漂移
2021-05-14 21:27:110 60V電池煤氣表
2021-05-16 15:54:071 有，于是我讓他看TI新型CSD18541F5 60V FemtoFET MOSFET的技術(shù)信息，RDS(ON)不到60mΩ，占位面積5mm × 0.8mm (1.2mm2) （參見圖1），是專為諸如信息
2022-01-27 14:51:08684 NP50P06D6(60V P溝道增強(qiáng)模式MOSFET)
2022-07-13 10:49:341560 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《12V至60V輸入36W工業(yè)PoE隔離式反激參考設(shè)計(jì).zip》資料免費(fèi)下載
2022-09-06 16:53:352 借助新型60V FemtoFET MOSFET縮小您的元件占位面積
2022-11-02 08:16:250 60 V、N 溝道溝槽 MOSFET-2N7002H
2023-02-15 18:44:250 60 V、P 溝道溝槽 MOSFET-BUK6Y33-60P
2023-02-17 18:44:050 60 V、P 溝道溝槽 MOSFET-PSMP061-60YE
2023-02-17 18:45:550 60 V、P 溝道溝槽 MOSFET-PSMP033-60YE
2023-02-17 18:46:150 60 V、P 溝道溝槽 MOSFET-BUK6Y61-60P
2023-02-20 19:13:270 60 V、N 溝道溝槽 MOSFET-BUK7D36-60E
2023-02-20 19:14:442 60 V、N 溝道溝槽 MOSFET-BUK6D210-60E
2023-02-20 19:57:030 60 V、N 溝道溝槽 MOSFET-BUK6D125-60E
2023-02-20 19:57:430 60 V、N 溝道溝槽 MOSFET-BUK6D77-60E
2023-02-20 20:03:400 60 V、N 溝道溝槽 MOSFET-BUK6D56-60E
2023-02-20 20:04:170 60 V、P 溝道溝槽 MOSFET-BUK6D120-60P
2023-02-22 18:53:020 60 V、N 溝道溝槽 MOSFET-BUK6D43-60E
2023-02-23 19:05:270 60V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMV230ENEA
2023-03-03 19:34:480
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