Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，其E系列600V功率MOSFET新增采用8種封裝的17款新器件
2012-10-22 13:45:24
1159 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出采用小尺寸PowerPAK? 8x8封裝的600V E系列功率
2015-10-12 13:58:282340 與600V IGBT3一樣，新的650V IGBT4也是采用了溝槽的MOS-top-cell薄片技術和場截止的概念（如圖1 所示），但與600V IGBT3相比，芯片厚度增加了大約15%，并且MOS
2018-10-26 09:17:007600 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出新系列600V和650V n溝道功率MOSFET---E系列器件。新產品在10V下具有64mΩ～190mΩ的超低最大導通電阻，以及22A～47A的額定電流范圍
2011-10-13 09:09:311168 隨著新產品的發布，英飛凌完善了其600V/650V細分領域的硅基、碳化硅以及氮化鎵功率半導體產品組合
2020-02-26 08:26:001315 輸入電壓是 600V，因此減小了開關損耗，從而提高了效率。主要特色 寬輸入電壓容量（50 至 600V DC）占空比限制為 80%滿負載效率為 84%空載時功耗小于 70mW脈沖跳躍模式減小了開關損耗因采用 LM5021-1 而減少了組件數量（因為無需外部斜率補償）
2018-12-14 15:37:05
反饋/內置650V 功率MOSFET主動補償輸入電壓.電感感量改變,完成高精度多形式PSR 操控提高可靠性和功率面臨將來很多不知名的應戰，銀聯寶科技會不斷的去開展本身的商品，為咱們供給非常好更持久的效勞。你的每一次光臨，都是對咱們的一次必定。`
2017-07-31 14:10:19
和功率水平。這些快速恢復硅基功率MOSFET的器件適用于工業和汽車應用，提供廣泛的封裝選項，包括長引線TO-247、TO-LL，以及SOT223-2封裝。
2023-09-08 06:00:53
恢復二極管兩種：采用先進的擴鉑工藝生產的具有極低反向漏電、極短反向恢復時間和--的抗反向浪涌沖擊能力的高可靠性的全系列（200V-1200V）FRD芯片及成品器件；采用SiC材料設計和生產的具有
2019-10-24 14:25:15
40 A 650V IGBT，它與IGBT相同額定電流的二極管組合封裝到表面貼裝TO-263-3（亦稱D2PAK）封裝中。全新D2PAK封裝TRENCHSTOP 5 IGBT可滿足電源設備對功率密度
2018-10-23 16:21:49
Parameter Symbol Value Unit TO-220F TO-220 TO-247 Drain-Source Voltage (VGS = 0V) VDSS 650 V
2021-04-06 11:35:02
逆變器等中高功率領域，可顯著的減少電路的損耗，提高電路的工作頻率。 關斷波形圖（650V/10A產品） 650V/1200V碳化硅肖特基二極管選型
2020-09-24 16:22:14
0前言家用逆變焊機因其體較小，操作方便，市場接受度逐步提高。因市電220V輸入的特點，一般采用600V/650V規格的IGBT作為逆變主功率器件。IGBT (Insulated Gate
2014-08-13 09:25:59
`Vishay SQ2361MOSFET 符合 AEC-Q101 標準并經 100% Rg 和 UIS 測試。SQ2361 汽車用 P 溝道 60V 功率 MOSFET 的 ESD 保護典型值達
2019-07-09 17:30:39
率為一個平穩值，意味著產品進入了一個穩定的使用期。耗損失效期的失效率為遞增形式，即產品進入老年期，失效率呈遞增狀態，產品需要更新。提高可靠性的措施可以是：對元器件進行篩選;對元器件降額使用，使用容錯法
2015-08-04 11:04:27
5所示。在輸入電壓為110 Vac的滿負荷試驗條件下，相比于傳統的TO247封裝的試驗結果，最新推出的TO247 4引腳封裝MOSFET的效率提高了0.2%。在高電壓情況下，即當輸入電壓為220
2018-10-08 15:19:33
設計。設備在使用、運輸過程中會受到各種各樣振動、沖擊的影響，從而影響其可靠性，為此應提高設備的機械強度和剛度，并采取減振緩沖措施，以加強設備抗振動、沖擊的能力，提高設備的可靠性。 （11）采用故障指示
2018-09-21 14:49:10
可靠。 （10）抗振沖設計。設備在使用、運輸過程中會受到各種各樣振動、沖擊的影響，從而影響其可靠性，為此應提高設備的機械強度和剛度，并采取減振緩沖措施，以加強設備抗振動、沖擊的能力，提高設備的可靠性
2014-10-20 15:09:29
、干擾電磁場對設備的干擾，確保設備工作可靠。
（10）抗振沖設計。
設備在使用、運輸過程中會受到各種各樣振動、沖擊的影響，從而影響其可靠性，為此應提高設備的機械強度和剛度，并采取減振緩沖措施，以加強
2023-11-22 06:29:05
以防止噪聲、干擾電磁場對設備的干擾，確保設備工作可靠。 （１０）抗振沖設計。 設備在使用、運輸過程中會受到各種各樣振動、沖擊的影響，從而影響其可靠性，為此應提高設備的機械強度和剛度，并采取減振緩沖措施，以
2018-11-23 16:50:48
為提高單片機本身的可靠性。近年來單片機的制造商在單片機設計上采取了一系列措施以期提高可靠性。這些技術主要體現在以下幾方面： 1.降低外時鐘頻率 外時鐘是高頻的噪聲源，除能引起對本應用系統
2020-07-16 11:07:49
電源電壓，60降額時選用600V的開關管比較容易，而且不會出現單向偏磁飽和的問題，一般來說這三種拓撲在高壓輸入電路中得到廣泛的應用。 電源設備可靠性熱設計技術 專家指出除電應力之外，溫度是影響設備
2018-10-09 14:11:30
電子產品的質量是技術性和可靠性兩方面的綜合。電源作為一個電子系統中重要的部件，其可靠性決定了整個系統的可靠性，開關電源由于體積小，效率高而在各個領域得到廣泛應用，如何提高它的可靠性是電力電子技術
2018-10-09 14:37:18
CoolMOS CFD2系列，具有快速的體二極管，低Coss，高達650V的擊穿電壓，使LLC拓撲開關電源具有更高的效率和可靠性。 參考文獻：1. Gary Chang “Why choose
2018-12-05 09:56:02
的10% ~20%. ②安全，環保。大功率LED 的工作電壓為3 ~4 V 的直流電，因而沒有電磁干擾。LED 產生的廢棄物可回收，無污染，可以安全觸摸，屬于典型的綠色照明光源。 ③壽命長，可靠性
2019-06-01 15:47:32
OB3398PJP SOP7 600V 12.8W 16.9W OB3398TJP-H SOP7 650V 16.3W 21W OB3398NAP DIP8 600V 11W 18.5W
2020-04-08 11:25:29
家公司已經建立了SiC技術作為其功率器件生產的基礎。此外，幾家領先的功率模塊和功率逆變器制造商已為其未來基于SiC的產品的路線圖奠定了基礎。碳化硅（SiC）MOSFET即將取代硅功率開關;性能和可靠性
2019-07-30 15:15:17
問題。（※在SBD和MOSFET的第一象限工作中不會發生這類問題）ROHM通過開發不會擴大堆垛層錯的獨特工藝，成功地確保了體二極管通電的可靠性。在1200V 80Ω的第二代SiC MOSFET產品中，實施了
2018-11-30 11:30:41
；TSD5N60MTruesemi 其它相關產品請 點擊此處 了解特性：3.0A，650V，最大RDS（on）= 3.0Ω@ VGS = 10V低柵極電荷（典型值為16nC）快速切換經過100％雪崩測試改進的dv/dt功能主要參數：應用：高效開關模式電源，基于半橋拓撲的有源功率因數校正`
2020-04-30 15:13:55
分析與可靠性檢測均可按國際標準如:ISO/IEC EN/DIN ASTM/EPA 等以及中國國家標準進行。 我們的服務的兩個主要特征：一是提高了客戶對產品質量與可靠性的技術把握能力和研發技術水平；二是
2009-03-30 15:38:19
`疊層電感磁珠可靠性實驗項目有哪些？`
2011-10-16 19:34:50
工藝和可靠性。在傳感器的開發過程中，嚴格按汽車電子產品質量要求，對傳感器的封裝及組裝過程進行了系統的分析和測試，并通過工藝優化極大地提高了傳感器的可靠性能。
2019-07-16 08:00:59
高可靠性系統設計包括使用容錯設計方法和選擇適合的組件，以滿足預期環境條件并符合標準要求。本文專門探討實現高可靠性電源的半導體解決方案，這類電源提供冗余、電路保護和遠程系統管理。本文將突出顯示，半導體技術的改進和新的安全功能怎樣簡化了設計，并提高了組件的可靠性。
2019-07-25 07:28:32
操作時存儲陣列中單元之間的串擾，提高了可靠性。 圖1 脈沖產生電路波形圖 在sram芯片存儲陣列的設計中，經常會出現串擾問題發生，只需要利用行地址的變化來生成充電脈沖的電路。仿真結果表明，該電路功能
2020-05-20 15:24:34
`請問如何提高PCB設計焊接的可靠性？`
2020-04-08 16:34:11
射頻電路PCB設計的關鍵在于如何減少輻射能力以及如何提高抗干擾能力，合理的布局與布線是設計時頻電路PCB的保證。文中所述方法有利于提高射頻電路PCB設計的可靠性，解決好電磁干擾問題，進而達到電磁兼容的目的。
2021-04-25 06:16:26
什么是微波功率晶體管？如何提高微波功率晶體管可靠性？
2021-04-06 09:46:57
PMU的原理是什么？如何提高數據采集系統的實時性與可靠性？
2021-05-12 06:45:42
總裝工藝和與線纜的端接工藝等也都十分重要。以前鍍金接觸件大多都是采用手工鍍金，很容易出現個別插孔內壁局部沒有膜層，呈現氧化色，為了解決這一問題，采用了超聲波鍍金，提高了其接觸的可靠性。 三、生產工藝
2017-08-01 17:14:15
高可靠性系統設計包括使用容錯設計方法和選擇適合的組件，以滿足預期環境條件并符合標準要求。本文專門探討實現高可靠性電源的半導體解決方案，這類電源提供冗余、電路保護和遠程系統管理。本文將突出顯示，半導體技術的改進和新的安全功能怎樣簡化了設計，并提高了組件的可靠性。
2021-03-18 07:49:20
`請問如何通過PCB設計提高焊接的可靠性？`
2020-03-30 16:02:37
如何提高和保證該產品的固有可靠性和使用可靠性。隨著時間的推移、科技的不斷發展，經實踐的檢驗和經驗積累，設計理論、測量技術也在不斷更新完善，早期設計的缺陷和局限性也會逐漸暴露出來，因此，需要采用新概念
2019-07-10 08:04:30
。因此，硬件可靠性設計在保證元器件可靠性的基礎上，既要考慮單一控制單元的可靠性設計，更要考慮整個控制系統的可靠性設計。
2021-01-25 07:13:16
，只有當任一輸入變為低電平，輸出才會恢復至跟隨輸入的正常狀態。NSD1224的互鎖功能，有效避免了因輸入信號干擾造成的橋臂直通問題，提高了系統可靠性。
NSD1224互鎖功能測試波形
輸入耐負壓能力
2023-06-27 15:14:07
650V耐壓的buck電路夠不夠用
2023-08-01 14:38:42
各位大大，最近在做雙向逆變，想問一下用2變比的高頻變壓器，高壓側600V降壓到300v，升壓的時候可以從300V升壓超過600V嗎，有人說高頻變壓器可以升壓超過原來高壓側輸入的電壓，請問有懂這個的能說一下能實現升壓超過2變比的嗎
2018-03-17 15:26:54
用于AC/DC變換器應用的新型650V GaNFast半橋IC(氮化鎵)
2023-06-19 07:57:31
阻并提高可靠性。東芝實驗證實，與現有SiC MOSFET相比，這種設計結構在不影響可靠性的情況下[1]，可將導通電阻[2]（RonA）降低約20%。功率器件是管理各種電子設備電能，降低功耗以及實現碳中和
2023-04-11 15:29:18
，封裝也是影響產品可靠性的重要因素。基本半導體碳化硅分立器件采用AEC-Q101標準進行測試。目前碳化硅二級管產品已通過AEC-Q101測試，工業級1200V碳化硅MOSFET也在進行AEC-Q101
2023-02-28 16:59:26
，其U6773S IC特點：1.原邊反饋/內置650V 功率MOSFET2.自動補償輸入電壓.電感感量變化,實現高精度3.多模式PSR 控制提高可靠性和效率4.內置軟啟動，超低啟動電流，管腳浮空保護銀
2018-06-22 09:52:32
提高了50V，達到650V。圖1圖1 全新650V IGBT4的截面圖。相對于600V IGBT3的改進：芯片厚度增加 （y）、溝道寬度降低（z）、背部P射極能效提高。650V IGBT4動態特性
2018-12-07 10:16:11
的改進，新器件的可靠性也在不斷增強。例如，先進的封裝設備和材料與近期改進的塑封注入技術相結合，有助于降低器件的潮濕敏感度，并改善塑封對裸片的連接，這是采用無鉛焊接材料增加峰值焊接溫度所要考慮的重要因素
2018-08-31 11:23:15
，AH8696還具有多重保護功能，如過壓保護、欠壓保護、過流保護、短路保護等，能夠及時切斷電源，確保設備和電源的安全。這些保護功能有效提高了設備的穩定性和可靠性，延長了設備的使用壽命。
芯片參數：
?集成
2024-03-12 14:25:14
摘要新一代CoolMOS? 650V CFD2技術為具備高性能體二極管的高壓功率MOSFET樹立了行業新桿標。該晶體管將650V的擊穿電壓、超低通態電阻、低容性損耗特性與改進反向恢復過程中的體二極管
2018-12-03 13:43:55
（800V）【低噪聲SJ MOSFET：EN系列】R60xxENx系列（600V）R65xxENx系列（650V）*開發中【高速SJ MOSFET：KN系列】R60xxKN系列（600V）R65xxKNx
2018-12-03 14:27:05
600V MOSFET繼續擴展Super Junction FET技術
日前，Vishay Intertechnology, Inc.推出4款新的600V MOSFET
2010-01-26 16:26:181090 Vishay推出4款MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出4款新的600V FET">MOSFET --- SiHP22N60S
2010-01-27 09:31:291277 英飛凌科技股份公司近日推出全新的650V CoolMOS C6/E6高性能功率MOSFET系列。該產品系列將現代超級結（SJ）器件的優勢（如低導通電阻和低容性開關損耗）與輕松控制的開關行為、及
2010-07-05 08:48:261672 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款600V、47A N溝道功率MOSFET --- SiHG47N60S，該MOSFET在10V柵極驅動下具有0.07Ω的
2010-11-09 08:59:571559 8S2TH06I-M是Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）推出的600V FRED PtTM Hyperfast串級整流器。
2011-04-01 09:36:43782 里首款MOSFET--- SiHx25N50E，該器件具有與該公司600V和650V E系列器件相同的低導通電阻和低開關損耗優點。
2014-10-09 12:59:191468 
賓夕法尼亞、MALVERN — 2016 年 5 月12 日 — 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出新的650V EF系列器件
2016-05-12 14:01:14746 MOSFET的首顆器件---SiHP065N60E。Vishay Siliconix N溝道SiHP065N60E的導通電阻比前一代600V E系列MOSFET低30%，為通信、工業和企業級電源提供
2017-02-10 15:10:111667 作的新系列HI-TMP? 鉭殼密封液鉭電容器---T34。T34系列軸向引線通孔器件具有更高的可靠性，提高了耐機械沖擊和耐振動的能力，使用壽命更長，可用于工業和石油勘探應用。
2018-01-12 22:32:01670 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出新系列繞線噪聲抑制電阻--- NSR-HP。該電阻提高了電壓性能和可靠性，可用于往復式發動機中的汽車點火系統。
2018-01-25 10:04:078513 英飛凌宣布推出650V SiC MOSFET，標志著公司進一步增強了在低壓SiC領域的布局，650V CoolSiC MOSFET系列。
2020-05-09 15:07:504267 在高溫下，溫度系數會顯著改變擊穿電壓。例如，一些600V電壓等級的N溝道MOSFET的溫度系數是正的，在接近最高結溫時，溫度系數會讓這些MOSFET變得象650V MOSFET。
2021-03-11 09:50:583725 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（東芝）宣布，在其TOLL（TO-無引線）封裝的DTMOSVI系列中推出650V超級結功率MOSFET-
2021-03-15 15:44:231117 
高精度(±1°C)溫度傳感器提高了系統性能和可靠性
2021-05-27 09:56:09
2 Vishay 推出四款新型 TO-244 封裝第 5 代 FRED Pt 600V Ultrafast 整流器。 Vishay Semiconductors 整流器新款 240A、300A、480A 和 600A 具有出色導通和開關損耗特性，能有效提高中頻功率轉換器以及軟硬開關或諧振電路的效率。
2022-08-25 17:33:11944 Vishay Siliconix n 溝道 SiHK045N60EF 導通電阻比前代器件降低 29 %，為通信、工業和計算應用提供高效、高功率密度解決方案，同時柵極電荷下降 60 %，從而使器件導通電阻與柵極電荷乘積，即功率轉換應用中 600V MOSFET 的重要優值系數（FOM）創業界新低。
2022-10-14 16:16:12817 Wolfspeed 新款車規級 E-系列（E3M）650V、60 mΩ MOSFET 系列幫助設計人員滿足 EV 車載充電機應用。采用 Wolfspeed 第三代 SiC MOSFET 技術
2022-11-07 09:59:21917 帶抽頭電感的離線降壓轉換器提高了性能
2022-11-14 21:08:211 650V 快速恢復 SuperFET? II MOSFET 在諧振拓撲中實現高系統效率和可靠性
2022-11-14 21:08:360 Vishay 新型第三代 650V?SiC 二極管 器件采用 MPS 結構設計 額定電流 4 A~ 40 A 正向壓降、電容電荷和反向漏電流低 Vishay? 推出17款新型第三代 650V 碳化硅
2023-05-26 03:05:02358 
電子發燒友網站提供《600-650 V MDmesh DM9：快速恢復SJ功率MOSFET提高了效率和穩健性.pdf》資料免費下載
2023-08-01 16:09:541 電子發燒友網站提供《SLP8N65C美浦森高壓MOSFET 650V 7.5A.pdf》資料免費下載
2022-04-29 14:30:151 電子發燒友網站提供《SLP5N65C美浦森高壓MOSFET 650V 4.5A.pdf》資料免費下載
2022-04-29 14:33:490 MOS管在直流充電樁上的應用，推薦瑞森半導650V/1200V碳化硅MOS系列，600V/650V超結MOS系列
2023-12-08 11:50:15235 
近日，瞻芯電子采用TO263-7封裝的第二代SiC MOSFET中650V 40mΩ產品IV2Q06040D7Z通過了嚴苛的車規級可靠性認證，該產品采用TO263-7貼片封裝，具有體積較小，安裝簡便，損耗更低的特點。
2024-01-16 10:16:24770 
英飛凌科技股份公司近日發布了全新的650V軟特性發射極控制高速二極管EC7。這款二極管采用TO247-2封裝，具有2個引腳，不僅增加了安規距離，提高了可靠性，而且適用于多種應用場景。
2024-02-01 10:50:02365 3月8日，瞻芯電子開發的3款第二代650V SiC MOSFET產品通過了嚴格的車規級可靠性認證（AEC-Q101 Qualified）。
2024-03-11 09:24:38287 
近日，瞻芯電子宣布其研發的三款第二代650V SiC MOSFET產品成功通過了嚴格的AEC-Q101車規級可靠性認證，這一里程碑式的成就標志著瞻芯電子在功率電子領域的持續創新與技術突破。
2024-03-12 11:04:24260 瞻芯電子近日宣布成功推出三款第二代650V SiC MOSFET產品，這些產品不僅通過了嚴格的車規級可靠性認證（AEC-Q101 Qualified），還具備業界領先的低損耗水平。這些新型MOSFET的推出，標志著瞻芯電子在半導體技術領域的又一重要突破。
2024-03-13 09:24:13279
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