刻蝕不完全或未刻蝕的硅片在IR下表現為電池片邊緣發紅，如圖3所示。刻蝕不完全或未刻蝕的電池片在進行四周打磨后漏電流會減少到2A以下，如表1所示。

　　以上幾點可以判斷為刻蝕不完全或未刻蝕造成的。刻蝕不完全主要是由于硅片邊結由于設備原因或人為原因未去除干凈，導致漏電過大的異常現象主要有以下原因：1）刻蝕功率過小；2）刻蝕時間不足；3）刻蝕壓力波動導致刻蝕不均；4）刻蝕時機臺故障，以致刻蝕未進行完全；5）刻蝕時，硅片底部托盤未旋轉，導致刻蝕不均；6）人為原因，將未刻蝕硅片下傳；針對以上原因需要加強刻蝕機的監控，增加人員的責任意識。

　　2、點狀燒穿造成的漏電

　　點狀燒穿通常意義上指IR拍攝出呈現點狀發紅的漏電現象，具體表現如圖4所示，其主要由以下三種因素引起，1）隱裂引起的點狀燒穿；2）微隱裂引起的點狀燒穿；3）未知因素引起的點狀燒穿。

　　隱裂引起的點狀燒穿主要有兩種方式產生，1）擴散前隱裂即在擴散步磷源順著裂縫擴散，從而導致上下導通，產生點狀燒穿；2）印刷前隱裂即在印刷過程中，漿料恰巧印過裂縫，銀漿通過裂縫滲透到背面產生點狀燒穿。對于由隱裂而產生的點狀燒穿，我們必須規范生產現場操作，盡量避免產生隱裂片的可能。比如裝舟卸舟時輕拿輕放，保持印刷機臺干凈平整等等。

　　微隱裂引起的點狀燒穿主要是因為硅片本身晶體結構存在缺陷，在燒結過程中會破壞晶體結構，銀漿順著晶界滲透至基區，從而產生漏電。我們通常也稱此現象為微隱裂。判斷是硅片本身的缺陷還是晶體硅電池生產過程中導致的點狀燒穿，我們需要借助掃描電鏡進行分析。

　　由掃描電鏡即掃描電子顯微鏡（ScanningElectronMicroscope，簡稱SEM），主要用于觀察樣品的表面形貌、割裂面結構、管腔內表面的結構等，所獲得的圖像立體感強，可用來觀察樣品的各種形貌特征。

　　由SEM圖片可知：微隱裂正面與背面均存在凹槽缺陷，導致點狀燒穿，如圖5所示。對于此類由晶體缺陷引起的點狀燒穿，如果要降低其產生的可能性，則需要在進料時加一道檢測工序，測量每片原料片的少子壽命分布，剔除異常片。但該工序費時費力，可行性有待進一步商榷。

　　3、擦片或漏漿造成的漏電

　　擦片主要是指在印刷過程中出現的印刷不良片用酒精等將柵線擦拭干凈后重新印刷的電池片。這些電池片如果沒有處理好，可以看到如圖6所示的形貌。在顯微鏡下觀察可以看到還有部分漿料殘留在硅片表面，IR圖像顯示有大面積漏電，EL圖像顯示表面有大面積污染，

　　SEM圖像顯示可以看到密密麻麻的細點，這些細點即為銀漿，在擦片的過程中銀漿滲進電池片里；小顆粒銀漿是團狀銀漿在燒結過程中形成玻璃態造成的大面積漏電。

　　造成擦片漏電的原因主要為人為操作不規范導致的，1）人為的擦片破壞Si3N4膜面，使Si3N4鈍化效果失效；2）絨面凸起部分在人為摩擦過程中極易受損，使電池片p型裸露，印刷后直接與金屬電極導通發生短路；3）即使擦片后表觀看來已無漿料，但仍會有少量漿料殘留在絨面凹陷處，燒結后成為金屬復合中心，降低少子壽命，漏電明顯增大；4）擦片過程中難免使電池片四周沾到漿料，造成pn結導通，發生漏電。