日前，德州儀器 (TI) 宣布推出一款面向絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)與MOSFET的隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器，其速度比同等光學(xué)柵極驅(qū)動(dòng)器快40%。
2012-10-11 14:04:33
1610 Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào)：VSH)宣布，推出采用小尺寸SOP-4表面貼裝封裝的新型光隔離式MOSFET驅(qū)動(dòng)器--- VOM1271。
2012-11-13 09:41:202071 兩個(gè)主要類型的功率晶體管：MOSFET和IGBT非常流行，它們?cè)陔娫聪到y(tǒng)設(shè)計(jì)中已經(jīng)使用了多年，因此，很容易假定它們之間的差異一直保持不變。本文通過解釋最新一代MOSFET和IGBT的工作特性，使用戶能夠更好地了解最能滿足應(yīng)用需求的最合適的器件類型，并解釋了目前的功率晶體管選擇的灰色區(qū)域。
2016-11-04 20:43:071290 
中高壓逆變器應(yīng)用領(lǐng)域IGBT和MOSFET驅(qū)動(dòng)器技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)者Power Integrations（納斯達(dá)克股票代號(hào)：POWI）今日宣布可為其SCALE? IGBT和MOSFET驅(qū)動(dòng)器出廠提供
2018-05-02 14:18:275271 Vishay 推出新的2.5 A IGBT和MOSFET驅(qū)動(dòng)器---VOD3120A，擴(kuò)展其光電產(chǎn)品組合。Vishay Semiconductors VOD3120A采用DIP-8和SMD-8封裝，低壓降輸出電流損耗僅為3.5 mA，可用于提高逆變器級(jí)工作效率。
2019-02-17 09:17:001369 2KV、超高壓3KV-5KV）1206封裝貼片應(yīng)用領(lǐng)域：適用于通訊設(shè)備之LAN界面；電子安定器（BALLASTER)及背光板逆變器（INVERTER)之應(yīng)用電路。3、HVC-超高壓3KV-5KV1206
2017-08-11 11:57:51
IGBT高壓變頻調(diào)速電源設(shè)計(jì)提出用于高壓電動(dòng)機(jī)變頻調(diào)速電源需考慮的串聯(lián)、諧波和效率等幾個(gè)問題；介紹由全控型電力電子器件IGBT按多重化PWM控制技術(shù)構(gòu)成、目前已商品化的高壓變頻器，可用于中、高壓交流電動(dòng)機(jī)的直接變頻調(diào)速。[hide][/hide]
2009-12-11 09:32:30
IGBT、MOS驅(qū)動(dòng)器
2019-08-09 16:28:23
MOSFET 和 IGBT 柵極驅(qū)動(dòng)器電路的基本原理
2019-08-29 13:30:22
開關(guān)電源，鎮(zhèn)流器,高頻感應(yīng)加熱,高頻逆變焊機(jī)，通信電源等等高頻電源領(lǐng)域。IGBT集中應(yīng)用于焊機(jī)、逆變器,變頻器、電鍍電解電源、超音頻感應(yīng)加熱等領(lǐng)域 。開關(guān)電源 (Switch Mode Power
2018-08-27 20:50:45
功率晶體管組成，如雙極型晶體管、 MOSFET 或絕緣柵雙極型晶體管 （ Insulated Gate Bipolar Transistor， IGBT） 。在一些小型無刷直流電機(jī)或步進(jìn)電機(jī)應(yīng)用中， MOSFET驅(qū)動(dòng)器可用來直接驅(qū)動(dòng)電機(jī)。 不過，在本應(yīng)用筆記中，我們需要的電壓和功率較 MOSFET
2021-09-17 07:19:25
MOSFET和IGBT內(nèi)部結(jié)構(gòu)不同,于是也決定了其應(yīng)用領(lǐng)域的不同，今天就讓小編帶大家一起來了解一下MOSFET與IGBT的本質(zhì)區(qū)別吧~1、由于MOSFET的結(jié)構(gòu)，通常它可以做到電流很大，可以到上KA
2021-06-16 09:21:55
MOSFET驅(qū)動(dòng)器的主要用途有哪些？MOSFET或IGBT哪一種驅(qū)動(dòng)器最適合您的應(yīng)用呢？
2021-11-08 06:11:40
額定功率更高的IGBT，VO3120可用于驅(qū)動(dòng)離散功率級(jí)，以驅(qū)動(dòng)IGBT柵極。推薦產(chǎn)品：VO3120-X007T；VO3120Vishay其它相關(guān)產(chǎn)品請(qǐng) 點(diǎn)擊此處 了解特征：最小峰值輸出電流
2019-10-30 15:23:17
的老式設(shè)計(jì)，節(jié)約了大量空間。 MOSFET或IGBT作為變流器控制開關(guān)，使用隔離驅(qū)動(dòng)器驅(qū)動(dòng)MOSFET或IGBT可以將大電流隔離，還可以保護(hù)控制單元免受高壓大電流的沖擊和避免大功率
2010-09-08 15:49:48
AN1315，用于三相電機(jī)驅(qū)動(dòng)的L6386 MOSFET功率驅(qū)動(dòng)器評(píng)估板。 L6386，用于三相電機(jī)驅(qū)動(dòng)的MOSFET功率驅(qū)動(dòng)器。三相演示板是用于評(píng)估和設(shè)計(jì)高壓柵極驅(qū)動(dòng)器L6386的參考套件。用戶
2019-07-03 09:22:07
的效率密切相關(guān)。 對(duì)于門驅(qū)動(dòng)器或者逆變器應(yīng)用，通常需要選擇低輸入電容 (利于快速切換) 以及較高驅(qū)動(dòng)能力的MOSFET。 03 IGBT適合高壓大電流應(yīng)用 與MOSFET相比，IGBT開關(guān)速度較慢
2022-06-28 10:26:31
FAN7391MX是一款單片高側(cè)和低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng) IC，可驅(qū)動(dòng)工作在高達(dá) +600 V 電壓的高速 MOSFET 和 IGBT。它具有緩沖輸出級(jí)，所有 NMOS 晶體管設(shè)計(jì)用于實(shí)現(xiàn)高脈沖電流驅(qū)動(dòng)
2022-01-18 10:43:31
概述：IRS26302DJBPF美國國家半導(dǎo)體公司生產(chǎn)的一款高速功率MOSFET和IGBT驅(qū)動(dòng)器，它把功率MOSFET/IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器與三個(gè)高側(cè)及三個(gè)低側(cè)參考輸出通道集成在一起，在最高20V
2021-05-18 07:25:34
描述：NCP302045MNTWG在一個(gè)封裝中集成了 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器、高壓側(cè) MOSFET 和低壓側(cè) MOSFET。該驅(qū)動(dòng)器和 MOSFET 適用于高電流 DC?DC 降壓功率轉(zhuǎn)換器
2022-02-10 13:07:46
NCP5106BA36WGEVB，NCP5106,36 W鎮(zhèn)流器評(píng)估板。 NCP5106是一款高壓柵極驅(qū)動(dòng)器IC，提供兩路輸出，用于直接驅(qū)動(dòng)2個(gè)N溝道功率MOSFET或IGBT，采用半橋配置版本B或任何其他高端+低端配置版本A.它使用自舉技術(shù)，以確保正確驅(qū)動(dòng)高端電源開關(guān)。該驅(qū)動(dòng)程序使用2個(gè)獨(dú)立輸入
2019-10-12 10:31:24
本帖最后由 Sillumin驅(qū)動(dòng) 于 2021-11-23 14:05 編輯
NCP5106是一款高壓柵極驅(qū)動(dòng)IC，提供兩個(gè)輸出，用于直接驅(qū)動(dòng)2個(gè)N溝道功率MOSFET或IGBT，使用自舉技術(shù)
2021-11-23 13:57:47
NCP5181BAL36WEVB，NCP5181,36 W鎮(zhèn)流器評(píng)估板。 NCP5181是一款高壓功率MOSFET驅(qū)動(dòng)器，提供兩路輸出，用于直接驅(qū)動(dòng)2個(gè)N溝道功率MOSFET，這些功率MOSFET
2019-10-12 10:29:07
用于降壓配置的典型應(yīng)用模擬調(diào)光用于RT8462高壓大電流LED驅(qū)動(dòng)器控制器，用于降壓，升壓或降壓 - 升壓拓?fù)洹?RT8462是一款電流模式PWM控制器，設(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng)外部MOSFET，用于高電流LED應(yīng)用
2019-10-18 08:35:31
用于降壓，升壓或降壓 - 升壓拓?fù)涞腞T8462高壓大電流LED驅(qū)動(dòng)器控制器的降壓 - 升壓配置的典型應(yīng)用模擬調(diào)光。 RT8462是一款電流模式PWM控制器，設(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng)外部MOSFET，用于高電流LED應(yīng)用
2019-10-18 08:36:09
用于降壓和升壓或降壓 - 升壓拓?fù)涞腞T8475高壓大電流LED驅(qū)動(dòng)器控制器的升壓配置中的典型應(yīng)用模擬調(diào)光。 RT8475是一款電流模式PWM控制器，設(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng)外部MOSFET，用于高電流LED應(yīng)用
2019-10-18 08:38:44
典型應(yīng)用降壓 - 升壓配置中的模擬調(diào)光，用于RT8475高壓大電流LED驅(qū)動(dòng)器控制器，用于降壓和升壓或降壓 - 升壓拓?fù)洹?RT8475是一款電流模式PWM控制器，設(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng)外部MOSFET，用于高電流LED應(yīng)用
2019-10-16 08:39:41
用于降壓配置的典型應(yīng)用模擬調(diào)光用于RT8482高壓大電流LED驅(qū)動(dòng)器控制器，用于降壓 - 升壓或降壓 - 升壓拓?fù)洹?RT8482是一款電流模式PWM控制器，設(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng)外部MOSFET，用于高電流LED應(yīng)用。當(dāng)電流檢測放大器閾值為190mV時(shí)，LED電流可通過一個(gè)外部電流檢測電阻進(jìn)行編程
2019-10-17 07:34:07
典型應(yīng)用降壓配置中的模擬調(diào)光，當(dāng)VIN2超過150V時(shí)，用于RT8485高壓大電流LED驅(qū)動(dòng)器控制器，用于降壓，升壓或降壓 - 升壓拓?fù)洹?RT8485是一款電流模式PWM控制器，設(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng)外部MOSFET，用于高電流LED應(yīng)用
2019-10-21 08:35:26
具有高脈沖電流緩沖級(jí)的設(shè)計(jì)最小驅(qū)動(dòng)器交叉?zhèn)鲗?dǎo)。可用于驅(qū)動(dòng)N通道電源高壓側(cè)配置的MOSFET或IGBT工作電壓高達(dá)200伏。特性：·完全運(yùn)行至+200 V·柵極驅(qū)動(dòng)電源范圍為10 V至20 V·欠壓鎖定
2021-05-11 19:41:22
具有高脈沖電流緩沖級(jí)的設(shè)計(jì)最小驅(qū)動(dòng)器交叉?zhèn)鲗?dǎo)。漂浮的通道可用于驅(qū)動(dòng)N通道電源高壓側(cè)配置的MOSFET或IGBT工作電壓高達(dá)600V。特性：欠壓鎖定，電壓高達(dá)600V耐負(fù)瞬態(tài)電壓，dV/dt柵極驅(qū)動(dòng)電源
2021-05-11 19:40:19
驅(qū)動(dòng)器，用于IGBT、MOSFET和2.5A，源和2.5A匯峰值輸出電流和5kVRMS加強(qiáng)隔離等級(jí)。SLMi350罐驅(qū)動(dòng)低壓側(cè)和高壓側(cè)功率場效應(yīng)晶體管。鑰匙，特點(diǎn)和特點(diǎn)帶來顯著的，性能和可靠性升級(jí)超過
2021-03-30 18:09:09
本帖最后由 24不可說 于 2018-10-10 08:23 編輯
MOSFET和IGBT內(nèi)部結(jié)構(gòu)不同,決定了其應(yīng)用領(lǐng)域的不同. 1,由于MOSFET的結(jié)構(gòu),通常它可以做到電流很大,可以到上
2017-04-15 15:48:51
電機(jī)驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)中MOSFET驅(qū)動(dòng)器與MOSFET的匹配設(shè)計(jì)相關(guān)文章資料，大家可以看看，對(duì)大家很有幫助！
2021-03-29 16:18:09
本文通過故意損壞IGBT/MOSFET功率開關(guān)來研究柵極驅(qū)動(dòng)器隔離柵的耐受性能。在高度可靠、高性能的應(yīng)用中，如電動(dòng)/混合動(dòng)力汽車，隔離柵級(jí)驅(qū)動(dòng)器需要確保隔離柵在所有情況下完好無損。隨著
2021-01-22 06:45:02
描述TIDA-00195 參考設(shè)計(jì)包括一個(gè) 22kW 功率級(jí)以及 TI 全新的增強(qiáng)型隔離式 IGBT 柵極驅(qū)動(dòng)器 ISO5852S（適用于各種應(yīng)用中的電機(jī)控制）。此設(shè)計(jì)可對(duì)三相逆變器（其中整合了額定
2018-12-27 11:41:40
IGBT沒有體二極管或者IGBT內(nèi)部的續(xù)流二極管壞掉了。IGBT非常適合應(yīng)用于如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。IGBT的理想等效電路如下圖所示，IGBT實(shí)際就是MOSFET和晶體管
2021-03-02 13:47:10
什么是MOSFET驅(qū)動(dòng)器？MOSFET驅(qū)動(dòng)器功耗包括哪些部分？如何計(jì)算MOSFET的功耗？
2021-04-12 06:53:00
白光LED廣泛用于小型液晶顯示器(LCD)面板及鍵盤背光以及指示器應(yīng)用。高亮度LED則用于手機(jī)和數(shù)碼相機(jī)的閃光光源。這些應(yīng)用需要優(yōu)化的驅(qū)動(dòng)器解決方案，能夠延長電池使用時(shí)間、減小印制電路板(PCB)面積及高度。在這些應(yīng)用領(lǐng)域，常見的LED驅(qū)動(dòng)器方案涉及線性、電感型或電荷泵型不同拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，各有其特點(diǎn)。
2019-10-18 06:07:32
`最近我在做D類放大。要放大1Mhz正弦波信號(hào)，比較用的三角波為10Mhz。需要開關(guān)頻率能大于20Mhz的mosfet驅(qū)動(dòng)器。請(qǐng)問mosfet驅(qū)動(dòng)器的最高工作頻率是由什么參數(shù)決定的？有能達(dá)到20Mhz以上的mosfet驅(qū)動(dòng)器嗎？`
2018-04-11 23:31:46
極驅(qū)動(dòng)器的優(yōu)勢(shì)和期望，開發(fā)了一種測試板，其中測試了分立式IGBT和SiC-MOSFET。標(biāo)準(zhǔn)電壓源驅(qū)動(dòng)器也在另一塊板上實(shí)現(xiàn)，見圖3。 圖3.帶電壓源驅(qū)動(dòng)器（頂部）和電流源驅(qū)動(dòng)器（底部）的半橋
2023-02-21 16:36:47
IGBT 或 SiC MOSFET。具有可調(diào)消隱時(shí)間的過流保護(hù)。先進(jìn)的主動(dòng)箝位保護(hù)欠壓和過壓鎖定保護(hù)。兩個(gè) 1 安培脈沖變壓器驅(qū)動(dòng)器，用于故障信號(hào)通信。IX6611設(shè)計(jì)用于為高功率開關(guān)器件提供柵極驅(qū)動(dòng)
2023-02-27 09:52:17
求教大佬們?nèi)绾斡肈SP產(chǎn)生PWM波驅(qū)動(dòng)IGBT的驅(qū)動(dòng)器？代碼應(yīng)該怎么寫啊？
2019-01-08 09:15:35
IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和其它系統(tǒng)中的開關(guān)元件。柵極是每個(gè)器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極，而對(duì)于IGBT，它們被稱為集電極
2021-01-27 07:59:24
本文通過故意損壞IGBT/MOSFET功率開關(guān)來研究柵極驅(qū)動(dòng)器隔離柵的耐受性能。
2021-06-17 07:24:06
最近在逛PIC官網(wǎng)的時(shí)候，查找相關(guān)應(yīng)用手冊(cè)的時(shí)候挖到的一篇文章。根據(jù)電機(jī)控制應(yīng)用需求選擇合適的MOSFET 驅(qū)動(dòng)器.pdf (589.89 KB )
2019-05-30 22:17:43
FAN7382MX 是一款單片半橋門極驅(qū)動(dòng)器集成電路 FAN7382 可以驅(qū)動(dòng)最高在 +600V 下運(yùn)行的 MOSFET 和 IGBT。高電壓工藝和共模干擾抑制技術(shù)提供了高壓側(cè)驅(qū)動(dòng)器在高 dv/dt
2021-12-16 08:48:48
和 –4V 輸出電壓以及 1W(...)主要特色用于在半橋配置中驅(qū)動(dòng) SiC MOSFET 的緊湊型雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器解決方案4A 峰值拉電流和 6A 峰值灌電流驅(qū)動(dòng)能力，適用于驅(qū)動(dòng) SiC
2018-10-16 17:15:55
管子開關(guān)影響。 2）低傳輸延遲 通常情況下，硅IGBT的應(yīng)用開關(guān)頻率小于40kHZ，碳化硅MOSFET推薦應(yīng)用開關(guān)頻率大于100kHz，應(yīng)用頻率的提高使得碳化硅MOSFET要求驅(qū)動(dòng)器提供更低的信號(hào)
2023-02-27 16:03:36
，因此，選用IGBT模塊時(shí)額定電流應(yīng)大于負(fù)載電流，同時(shí)選用時(shí)應(yīng)該降額使用。額定工作電壓、電壓波動(dòng)的范圍、最大工作電壓決定了IGBT模塊的額定電壓；驅(qū)動(dòng)器的外殼結(jié)構(gòu)以及排布方式也是IGBT選型的重要考慮因素。原作者：漂流的青春 車載控制器開發(fā)及測試
2023-03-23 16:01:54
高壓發(fā)生器的方法，又具有功率晶體管GP通態(tài)電壓低、耐壓高和電流容量大的優(yōu)點(diǎn)，為電壓控制通斷的自關(guān)斷器件，其頻率特性介于MOSFET與功率晶體管之間，可正常工作于數(shù)十kHz頻率范圍內(nèi)，功率元件IGBT
2018-11-27 11:04:24
MOSFET/IGBT/SiC-FET，電流高達(dá) 100A，運(yùn)行頻率高達(dá) 500Khz在通電和斷電序列期間，防止 IGBT/FET 出現(xiàn)寄生導(dǎo)通和關(guān)斷4000 VPK 和 2500-VRMS 隔離層驅(qū)動(dòng)器
2018-09-30 09:23:41
IGBT和MOSFET器件的隔離驅(qū)動(dòng)技術(shù):介紹了絕緣柵大功率器件各種不同的驅(qū)動(dòng)技術(shù)以及當(dāng)前市場上的各類成品驅(qū)動(dòng)器的性能特點(diǎn)。關(guān)鍵詞院MOSFET IGBT 隔離驅(qū)動(dòng) 光電耦合器 脈沖變壓器
2009-06-20 08:37:46
56 lVO3120 IGBT/MOSFET驅(qū)動(dòng)器：這些2.5A和0.5A的驅(qū)動(dòng)器的供電電壓范圍為15V～32V，工作溫度范圍為+40℃～+110℃。
2010-07-02 17:18:43115 Vishay推出具有最高32V電源電壓的新款IGBT和MOSFET驅(qū)動(dòng)器
日前，Vishay Intertechnology, Inc. 宣布，推出兩款新型IGBT和MOSFET驅(qū)動(dòng)器，豐富了其已
2009-07-01 09:30:55556 單通道MOSFET或IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器集成電路IR2117
IR2117是美國IR公司專為驅(qū)動(dòng)單個(gè)MOSFET或IGBT而設(shè)計(jì)的柵極驅(qū)動(dòng)器集成電路。文中介紹了它的引腳排列、功能
2009-12-08 10:21:006016 
MAX15054 高邊MOSFET驅(qū)動(dòng)器，用于HB LED驅(qū)動(dòng)器和DC-DC應(yīng)用
概述
MAX15054是高邊、n溝道MOSFET驅(qū)動(dòng)器，高壓應(yīng)用中可工作在較高的開關(guān)頻率
2010-01-28 08:43:041653 
Maxim推出用于高壓系統(tǒng)的高邊MOSFET驅(qū)動(dòng)器MAX15054
Maxim不久前推出用于高壓系統(tǒng)的高邊MOSFET驅(qū)動(dòng)器MAX15054。該器件能夠?yàn)樾枰捎媒祲夯蛏祲和負(fù)浣Y(jié)構(gòu)、但不帶必需的高
2010-02-01 10:03:00637 高能應(yīng)用領(lǐng)域將廣泛采用Vishay液鉭電容器
2010-05-24 18:12:03705 高壓MOSFET驅(qū)動(dòng)器電路的LTC1154被用作電荷泵，從而來驅(qū)動(dòng)一個(gè)高壓側(cè)功率MOSFET的柵極。
2011-12-17 00:02:004947 
器件的高度為2.5 mm，具有高隔離電壓，可用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)、可替代能源和其他高壓應(yīng)用
2015-05-28 16:23:57798 Diodes公司 （Diodes Incorporated） 新推出的DGD21xx系列包括六款半橋柵極驅(qū)動(dòng)器及六款高/低側(cè)600V柵極驅(qū)動(dòng)器，可在半橋或全橋配置下輕易開關(guān)功率MOSFET與IGBT。
2016-03-14 18:13:231403 集成的LLC控制器、高壓功率MOSFET及驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)，感興趣的可以看看。
2016-05-11 18:00:0830 介紹目前高壓隔離驅(qū)動(dòng)器應(yīng)用領(lǐng)域及三種實(shí)現(xiàn)類型。
2016-06-08 16:28:143 的柵極驅(qū)動(dòng)要求等。與在這種設(shè)計(jì)中正式使用的雙極晶體管相比，IGBT在驅(qū)動(dòng)電路的尺寸和復(fù)雜度上都有相當(dāng)大的降低。最近在IGBT開關(guān)速度的改進(jìn)取得了設(shè)備適用于電源的應(yīng)用，因此IGBT將與某些高電壓MOSFET以及應(yīng)用。許多設(shè)計(jì)者因此轉(zhuǎn)向MOSFET驅(qū)動(dòng)器以滿足其
2017-07-04 10:51:0522 高壓MOSFET驅(qū)動(dòng)器電路的LTC1154被用作電荷泵，從而來驅(qū)動(dòng)一個(gè)高壓側(cè)功率MOSFET的柵極。高壓MOSFET驅(qū)動(dòng)器電路：
2017-10-19 16:02:3723 Power Integrations這家為中高壓變頻器應(yīng)用提供閘極驅(qū)動(dòng)器技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)廠商，宣布出廠保形涂層用于其SCALE IGBT和MOSFET驅(qū)動(dòng)器。保形涂層透過保護(hù)電子元件免于接觸污染物(例如
2018-05-07 08:28:011132 到3.3V邏輯。輸出驅(qū)動(dòng)器具有高脈沖電流緩沖器級(jí)，用于最小驅(qū)動(dòng)交叉導(dǎo)通。該浮動(dòng)通道可用于驅(qū)動(dòng)從10到600伏特的高側(cè)配置的N溝道功率MOSFET或IGBT。
2018-07-17 08:00:00175 熟練掌握高壓MOSFET/IGBT柵極驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)
2018-08-16 00:24:004344 IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和其它系統(tǒng)中的開關(guān)元件。
2019-01-16 09:24:549203 
。輸出驅(qū)動(dòng)器具有一個(gè)高脈沖電流緩沖級(jí)，設(shè)計(jì)用于最小驅(qū)動(dòng)器交叉?zhèn)鲗?dǎo)。浮動(dòng)通道可用于驅(qū)動(dòng)高側(cè)配置的N通道功率MOSFET或IGBT，其工作電壓高達(dá)600伏。
2019-03-28 08:00:0022 通過故意損壞IGBT/MOSFET功率開關(guān)來研究柵極驅(qū)動(dòng)器隔離柵的耐受性能。
2019-04-16 17:07:394941 
中高壓逆變器應(yīng)用領(lǐng)域門極驅(qū)動(dòng)器技術(shù)的創(chuàng)新者Power Integrations推出1SP0351 SCALE-2?單通道+15/-10V即插即用型門極驅(qū)動(dòng)器，新產(chǎn)品專為東芝、Westcode和ABB
2020-03-05 14:27:583783 兼容，低至3.3V邏輯。輸出驅(qū)動(dòng)器具有高脈沖電流緩沖級(jí)，設(shè)計(jì)用于最小驅(qū)動(dòng)器交叉?zhèn)鲗?dǎo)。浮動(dòng)通道可用于驅(qū)動(dòng)高側(cè)配置的n通道功率MOSFET或IGBT，其工作電壓為10到600伏。
2020-04-28 08:00:0049 CMOS或LSTTL輸出兼容，低至3.3V邏輯。輸出驅(qū)動(dòng)器具有一個(gè)高脈沖電流緩沖級(jí)，設(shè)計(jì)用于最小驅(qū)動(dòng)器交叉?zhèn)鲗?dǎo)。浮動(dòng)通道可用于驅(qū)動(dòng)高側(cè)配置的N溝道功率MOSFET或IGBT，其工作電壓高達(dá)600伏。
2020-07-21 08:00:0065 本應(yīng)用筆記涵蓋了計(jì)算柵極驅(qū)動(dòng)光耦合器 IC 的柵極驅(qū)動(dòng)器功率和熱耗散的主題。柵極驅(qū)動(dòng)光耦合器用于驅(qū)動(dòng)、導(dǎo)通和關(guān)斷、功率半導(dǎo)體開關(guān)、MOSFET/IGBT。柵極驅(qū)動(dòng)功率計(jì)算可分為三部分；驅(qū)動(dòng)器內(nèi)部電路
2021-06-14 03:51:003144 
本應(yīng)用筆記介紹了MOSFET / IGBT驅(qū)動(dòng)器理論及其應(yīng)用。該文檔介紹了MOSFET和IGBT技術(shù)，驅(qū)動(dòng)器的類型，隔離技術(shù)以及MOSFET / IGBT驅(qū)動(dòng)器的IXYS系列以及一些實(shí)際考慮因素
2021-05-26 17:04:022922 
摘要
IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和其它系統(tǒng)中的開關(guān)元件。柵極是每個(gè)器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極，而對(duì)于IGBT，它們被稱為
2021-01-28 08:13:3820 L6390是采用BCD“離線”技術(shù)制造的高壓設(shè)備。它是用于N溝道功率MOSFET或IGBT的單芯片半橋柵極驅(qū)動(dòng)器。
2021-03-12 10:05:152225 
150V 快速高壓側(cè)受保護(hù)的 N 溝道 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器提供 100% 占空比能力
2021-03-19 04:35:129 SLM7888是一種高壓、高速功率MOSFET和IGBT驅(qū)動(dòng)器，具有三個(gè)獨(dú)立的高低壓側(cè)參考輸出通道，用于三相應(yīng)用。
2021-03-26 10:33:0676 MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器電路的基本原理
2021-11-29 16:29:1763 意法半導(dǎo)體新推出的兩款雙通道電隔離IGBT和碳化硅（SiC） MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器在高壓電力變換和工業(yè)應(yīng)用中節(jié)省空間，簡化電路設(shè)計(jì)。
2022-02-15 14:23:261103 
LN4303 是一款基于懸浮襯底和 P_EPI 工藝的200V 高壓半橋驅(qū)動(dòng)器，具有高低邊輸出，用來驅(qū)動(dòng)半橋電路中的兩個(gè)高壓大功率 MOSFET 或 IGBT。
2022-07-13 16:42:036433 
MOSFET及
IGBT柵極驅(qū)動(dòng)電路的引腳排列內(nèi)部結(jié)構(gòu)、工作原理、主要技術(shù)參數(shù)和應(yīng)用
技術(shù)。書中不但給出多種以這些驅(qū)動(dòng)器集成電路為核心單元的典型電力電
子變流系統(tǒng)專用驅(qū)動(dòng)控制板的應(yīng)用實(shí)例而且對(duì)這些具
2022-08-13 09:21:390 （碳化硅）MOSFET等高壓功率器件。 柵極驅(qū)動(dòng)IC作為電動(dòng)汽車逆變器的重要組成部分，在逆變器控制MCU，及向逆變器供電的IGBT和SiC MOSFET間提供接口。它們?cè)诘蛪河蚪邮諄碜訫CU的控制信號(hào)，并將這些信號(hào)傳遞至高壓域，快速開啟和關(guān)閉功率器件。為適應(yīng)電動(dòng)車輛電池的更高電壓，RAJ29300
2023-02-02 11:10:02906 瑞薩電子推出一款全新柵極驅(qū)動(dòng)IC——RAJ2930004AGM，用于驅(qū)動(dòng)電動(dòng)汽車（EV）逆變器的IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）和SiC（碳化硅）MOSFET等高壓功率器件。
2023-02-03 14:59:11314 ID7S625高壓高低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)芯片是一款基于P襯底、P外延的高壓、高速功率的MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器，廣泛應(yīng)用于DCDC轉(zhuǎn)換器、功率MOSFET和IGBT驅(qū)動(dòng)、DC/AC轉(zhuǎn)換器等領(lǐng)域
2023-03-01 11:02:141 IGBT應(yīng)用領(lǐng)域和IGBT燒結(jié)銀工藝自20世紀(jì)80年代末開始工業(yè)化應(yīng)用以來，IGBT發(fā)展迅速，不僅在工業(yè)應(yīng)用中取代了MOS和GTR，還在消費(fèi)類電子應(yīng)用中逐步取代了BJT、MOS等功率器件的眾多
2022-04-13 15:33:13695 
為滿足汽車市場對(duì)產(chǎn)品可靠性和安全性的需求，數(shù)明半導(dǎo)體近期推出車規(guī)級(jí)高壓、高速MOSFET/IGBT驅(qū)動(dòng)芯片SiLM21814-AQ，該產(chǎn)品通過AEC-Q100認(rèn)證。600V,2.5A/3.5A的高低
2023-06-27 14:56:17510 在電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中，柵極驅(qū)動(dòng)器或“預(yù)驅(qū)動(dòng)器” IC常與N溝道功率MOSFET一起使用，以提供驅(qū)動(dòng)電機(jī)所需的大電流。在選擇驅(qū)動(dòng)器IC、MOSFET以及某些情況下用到的相關(guān)無源元件時(shí)，有很多需要考量的設(shè)計(jì)因素。如果對(duì)這個(gè)過程了解不透徹，將導(dǎo)致實(shí)現(xiàn)方式的差強(qiáng)人意。
2023-08-02 18:18:34808 
在現(xiàn)代工業(yè)領(lǐng)域，伺服驅(qū)動(dòng)器是一種關(guān)鍵的電氣裝置，它在機(jī)器控制和運(yùn)動(dòng)控制系統(tǒng)中發(fā)揮著至關(guān)重要的作用。無論是工業(yè)機(jī)器人、數(shù)控機(jī)床還是自動(dòng)化生產(chǎn)線，伺服驅(qū)動(dòng)器都是實(shí)現(xiàn)精準(zhǔn)位置控制和高效運(yùn)動(dòng)控制的關(guān)鍵組件。本文將介紹伺服驅(qū)動(dòng)器的工作原理、應(yīng)用領(lǐng)域以及在現(xiàn)代工業(yè)中的重要作用。
2023-08-21 17:34:022333 igbt的應(yīng)用領(lǐng)域有哪些? IGBT是一種檢測電壓的器件，它可以用于許多應(yīng)用領(lǐng)域。本文將介紹IGBT的應(yīng)用領(lǐng)域，并對(duì)每個(gè)領(lǐng)域進(jìn)行詳盡的探討。 1. 電力電子設(shè)備 IGBT被廣泛應(yīng)用于電力電子設(shè)備
2023-08-25 15:03:263060 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《600V三相MOSFET/IGBT驅(qū)動(dòng)器.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-09-25 11:27:500 MOSFET和IGBT內(nèi)部結(jié)構(gòu)不同，決定了其應(yīng)用領(lǐng)域的不同。
2023-11-03 14:53:42500 
意法半導(dǎo)體（下文為ST）的功率MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器旨在提供穩(wěn)健性、可靠性、系統(tǒng)集成性和靈活性的完美結(jié)合。
2024-02-27 09:05:36578 
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