高頻功率放大電路圖

單閘極MOS FET 前置放大器（１）ＶＨＦ高頻放大電路以往都是以雙極電晶體（Bipolar Transistor）為主流，但是現在大都以ＦＥＴ取代之。圖２－１便是其代表性電路，２ＳＫ２４１（東芝）系ＶＨＦ用的ＦＥＴ，功率增益可達２８ｄＢ（＠１００ＭＨｚ），是最適於ＶＨＦ接收器的高頻放大級使用的。由於閘極的動作點是零偏壓（Zero Bias），所以電路的結構相當簡單，電路的全部元件共有六個，配合表２－１所示之電感及電容就能適用於各種頻率的高頻放大電路。泄極電流為９ｍＡ，在電源電壓為６～１２Ｖ之范圍內，泄極電流都保持一定。

該功率放大器可將功1—2W、88—108MHz調頻發射機的功率擴展至于10—15W，采用單管丙類放大及多級低通濾波器組成，具有較高的轉換效率及很強的詣波抑制能力。
電路見附圖所示，采用大功率發射管C1972，其參數如下：175MHz、4A、25W、功率增益≥8.5db、按圖所示參數，電路工作中心頻率約為98MHZ，輸入約2W的射頻功率時，額定輸出可達15W。為保88~108MHZ內的任一頻點時輸出達到額定值，可根據前級的中心頻率對部分元件作適當調整。必要時，可減少低通波波器級數，以增大輸出功率。經擴展后的功率信號由三級低通濾波器濾去高次詣波成份饋入了發射天線。

元件選擇：除電解電容外，其它用高頻瓷片電容器， C11、C12、C14用高頻特性好，性能穩定的可調電容，扼流電感RFC1、RFC2用成品電感器，必須注意RFC2的電流承載能力，應選用線徑較粗的帶磁心的電感器。L1—L6可用ø0.8mm的高強度漆包線制，直徑約5MM，圈數圖中以“T”為單位標明。Q1用普通Q9插座，與插頭配套使用。Q2用專用50Ω射頻輸出接頭，接解電阻更小，更有利于阻抗匹配。功率放大管用比較常見的發射專用管C1972，當然如果您銀子特別充足，買塊C2538等高增益管的話，功率將會更大。 調試電路時，務必注意因電路功率大，一定要接上假負載（本人用30支1W、1500Ω高精度金屬膜電阻并聯制成），并且要有足夠在的散熱裝置，正常工作時電源功率不低于2.5A，天線阻抗嚴格等于50Ω，不能用短棒拉桿天線，否則強烈的射頻回饋電流將使電路造成自身干擾，大部分射頻能量無法輻到空間而消耗在功率管上，使其過熱損壞；必須通過50Ω發射專用同軸電覽引到室外天線發射。電路能否正常工作關鍵在于電路的調試，整個過程都得十分小心。調試時，只輸入較小的激勵功率，電源電壓下降為9V，用高頻電壓表（不能用普通萬用表）監測假負載兩端高頻電壓值，調節C12、C14，L3、L4、L5、L6、使電壓幅度達15—20V左右，再調節C11、L1使電壓最大。然后逐步提高電壓，每提高一次電壓都反復調整C12、C14和C11、L1使輸出端電壓最高，注意的是電壓應與射頻輸入激勵功率同步增大，以保證調試結果的準確性。達到額定值時，電源電壓13.8V下工作電流約2A左右，50Ω純電阻假負載兩端電壓≥40V，射頻輸出功率達15W。

用該射頻功率放大器配合50Ω傘狀全向垂直發射天線（增益約2dB)，以普通調頻收音機測試，發射距離覆蓋面不少于15K. (敬告：搞無線電發射實驗活動必須遵守國家有關法律規定)