N0400P 數(shù)據(jù)表
2023-09-20 18:31:290 場效應(yīng)管怎么區(qū)分n溝道p溝道? 場效應(yīng)管是一種常見的半導(dǎo)體器件,可以用于電子器件中的信號放大、開關(guān)等應(yīng)用。場效應(yīng)管有兩種類型:n溝道型(n-channel)和p溝道型(p-channel),它們
2023-09-02 10:05:172277 mos管p溝道n溝道的區(qū)別 MOS管是一種主流的場效應(yīng)晶體管,分為p溝道MOS管和n溝道MOS管兩種類型。這兩種MOS管的區(qū)別主要在于導(dǎo)電性質(zhì)、靜態(tài)特性、輸入電容、噪聲功率和門極結(jié)色散等方面。 一
2023-08-25 15:11:251373 H5N2507P 數(shù)據(jù)表
2023-07-14 18:59:280 H5N2507P 規(guī)格書
2023-07-14 11:42:570 H5N6001P 數(shù)據(jù)表
2023-06-28 19:42:200 H5N5015P 數(shù)據(jù)表
2023-06-28 19:42:100 H5N5007P 數(shù)據(jù)表
2023-06-28 19:41:510 H5N3004P 數(shù)據(jù)表
2023-06-28 19:41:400 H5N2509P 數(shù)據(jù)表
2023-06-28 19:41:210 H5N2503P 數(shù)據(jù)表
2023-06-28 19:41:040 H5N1506P 數(shù)據(jù)表
2023-06-26 20:33:260 H5N3008P 數(shù)據(jù)表
2023-06-26 19:09:390 對稱的功率開關(guān)管每次只有一個(gè)導(dǎo)通,所以導(dǎo)通損耗小效率高。在做信號控制以及驅(qū)動時(shí),為了加快控制速度,經(jīng)常要使用推挽電路。推挽電路可以由兩種結(jié)構(gòu)組成:上P下N,上N下P。其原理圖分別如下所示。
2023-05-25 14:09:52483 推挽電路(push-pull)就是兩個(gè)不同極性晶體管間連接的輸出電路。
2023-05-25 14:08:55447 在做信號控制以及驅(qū)動時(shí),為了加快控制速度,經(jīng)常要使用推挽電路。推挽電路可以由兩種結(jié)構(gòu)組成:分別是上P下N,以及上N下P。
2023-05-23 18:20:19751 在做信號控制以及驅(qū)動時(shí),為了加快控制速度,經(jīng)常要使用推挽電路。推挽電路可以由兩種結(jié)構(gòu)組成:上P下N,上N下P。其原理圖分別如下所示。
2023-05-17 09:33:59459 H5N6001P 數(shù)據(jù)表
2023-05-11 19:19:280 H5N5015P 數(shù)據(jù)表
2023-05-11 19:19:080 H5N5007P 數(shù)據(jù)表
2023-05-11 19:18:580 H5N3004P 數(shù)據(jù)表
2023-05-11 19:18:470 H5N2509P 數(shù)據(jù)表
2023-05-11 19:18:270 H5N2503P 數(shù)據(jù)表
2023-05-11 19:18:130 H5N1506P 數(shù)據(jù)表
2023-05-06 18:47:160 H5N3008P 數(shù)據(jù)表
2023-05-05 19:18:210 N0300P 數(shù)據(jù)表
2023-04-21 19:27:200 N0302P 數(shù)據(jù)表
2023-04-19 20:13:300 N0301P 數(shù)據(jù)表
2023-04-19 20:13:100 N0100P 數(shù)據(jù)表
2023-04-19 20:12:580 N0400P 數(shù)據(jù)表
2023-04-14 19:05:540 H5N2507P 數(shù)據(jù)表
2023-04-04 19:26:040 H5N2507P 規(guī)格書
2023-04-04 18:48:280 當(dāng)輸入信號的高電平低于電源電壓時(shí),這意味著上N管的CE節(jié)將會承受較高的電壓。這也就意味著上管將有著發(fā)熱壞的風(fēng)險(xiǎn)。
2023-04-01 11:46:39199 MTA25N02J3替換型號DD016NG,P TO P兼容MTA25N02J3,應(yīng)用于電機(jī)驅(qū)動
2023-03-23 15:28:36124 在做信號控制以及驅(qū)動時(shí),為了加快控制速度,經(jīng)常要使用推挽電路。 推挽電路可以由兩種結(jié)構(gòu)組成:分別是上P下N,以及上N下P。 其原理圖如下所示。
2023-03-13 14:04:237126 金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)(MOS)晶體管可分為N溝道與P溝道兩大類, P溝道硅MOS場效應(yīng)晶體管在N型硅襯底上有兩個(gè)P+區(qū),分別叫做源極和漏極,兩極之間不通導(dǎo),柵極上加有足夠的正電壓(源極接地)時(shí),柵極下的N型硅表面呈現(xiàn)P型反型層,成為連接源極和漏極的溝道。
2023-02-23 17:00:0419477 -MOS都正常工作,開漏輸出模式下,只有下面的N-MOS工作,上面的P-MOS不工作。注意:輸出模式?jīng)]有上拉下拉配置。推挽輸出(Push-Pull Output)推挽輸出的結(jié)構(gòu)是由兩個(gè)三極管或者M(jìn)OS管受到
2022-02-28 06:48:51
所謂的 H 橋電路就是控制電機(jī)正反轉(zhuǎn)的。下圖就是一種簡單的 H 橋電路,它由 2 個(gè) P 型場效應(yīng)管 Q1、Q2 與 2 個(gè) N 型場效應(yīng)管 Q3、Q3 組成,所以它叫 P-NMOS 管 H 橋。
2023-02-17 14:02:53940 在做信號控制以及驅(qū)動時(shí),為了加快控制速度,經(jīng)常要使用推挽電路。推挽電路可以由兩種結(jié)構(gòu)組成:分別是上P下N,以及上N下P。其原理圖如下所示,
2023-02-02 09:12:13392 供應(yīng)1500vnmos管SVF4N150P7,提供SVF4N150P7參數(shù)及4n150數(shù)據(jù)手冊,更多產(chǎn)品手冊、應(yīng)用料資請向士蘭微mos代理驪微電子申請。>>
2022-12-29 16:00:140 新思科技數(shù)字和定制設(shè)計(jì)流程獲得臺積公司的N3E和N4P工藝認(rèn)證,并已推出面向該工藝的廣泛IP核組合。
2022-07-12 11:10:51733 P1N4001W THRU P1N4007W開關(guān)二極管規(guī)格書
2022-06-06 17:09:356 04HR-4K-P-N規(guī)格書
2022-03-25 17:51:130 在做信號控制以及驅(qū)動時(shí),為了加快控制速度,經(jīng)常要使用推挽電路。如下圖所示,推挽電路可以由兩種結(jié)構(gòu)組成:分別是上P下N,以及上N下P。
2022-03-15 07:56:3613074 -MOS都正常工作,開漏輸出模式下,只有下面的N-MOS工作,上面的P-MOS不工作。注意:輸出模式?jīng)]有上拉下拉配置。推挽輸出(Push-Pull Output)推挽輸出的結(jié)構(gòu)是由兩個(gè)三極管或者M(jìn)OS管受到
2022-01-13 16:24:1018 SD內(nèi)焊自彈式11P SD-111N原理圖
2022-01-05 10:35:5814 夠?yàn)楫a(chǎn)業(yè)界提供多樣且強(qiáng)大的技術(shù)組合選擇。 ? 說是4nm工藝,實(shí)際上N4P和此前臺積電推出的N6性質(zhì)一樣,都是當(dāng)前工藝節(jié)點(diǎn)的進(jìn)一步增強(qiáng)版。從下圖能夠看出,在臺積電追隨摩爾定律的工藝節(jié)點(diǎn)推進(jìn)路線圖中,是沒有6nm這一標(biāo)識的。 ? 圖源:臺積電官網(wǎng) ? 實(shí)際上,N4P工藝是
2021-10-28 08:05:1112135 方型接近開關(guān)傳感器RK-05 SN04-N-N2-P-P2-AO
2021-08-23 17:48:5547 電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供TE(ti)CAT-P65-N49相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊,更有CAT-P65-N49的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料,CAT-P65-N49真值表,CAT-P65-N49管腳等資料,希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2021-08-04 16:00:03
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供TE(ti)CAT-P65-N4903相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊,更有CAT-P65-N4903的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料,CAT-P65-N4903真值表,CAT-P65-N4903管腳等資料,希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2021-07-16 02:00:02
在全部單相路上都一樣——僅有三種規(guī)格型號的斷路器,(剩余電流動作斷路器)各自是1P,1P+N和2P。除此之外,在三相電路中,也有3p,3p+N和4P剩余電流動作斷路器。三相電路中的事兒大家今日做剖析
2021-04-02 16:34:335158 首先我們來了解下4P和3P+N的區(qū)別!??!3P+N和4P的斷路器同樣屬于四極(有四對輸入/輸出端子)的斷路器,它們的區(qū)別在于零(N)線端子上。
2019-07-06 10:49:4497960 6N1+6P1膽機(jī)功放電路,6N1+6P1 Amplifier
關(guān)鍵字:6N1,6P1,功放電路圖
??? 膽機(jī)采用6N1管組成SRPP推
2018-09-20 19:12:3012310 用6N9P和6N7P DIY靚聲膽機(jī),6N9P+6N7P AMPLIFIER
關(guān)鍵字:6N9P,6N7P,膽機(jī)前置放大電路,耳機(jī)放大器
2018-09-20 19:11:323420 6N5P甲類推挽20W功放,6N5P Vacuum tube amplifier
關(guān)鍵字:6N5P,功放電路圖
??? 本人酷愛音響,四十
2018-09-20 19:05:323246 用6N7P電子管制作的單端功率放大器,6N7P Power amplifier
關(guān)鍵字:用6N7P電子管制作的單端功率放大器
用6N7P
2018-09-20 19:02:566685 三極管.一致性好,用于推挽放大倒相電路平衡度高。此管具備右特性,可工作于零柵壓,音質(zhì)圓潤醇真。為了領(lǐng)略6N7P的魅力,筆者用6N7P組成雙聲道前級.采用1.5V電池作柵偏壓.燈絲用直流供電。6N7P工作點(diǎn)電流在23mA,放音膽味濃郁.非常耐聽。???
2018-09-20 19:01:232972 本文為大家?guī)硭膫€(gè)6n2+6p1推挽電路圖分享。
2018-02-12 15:43:2473805 分享幾款6n5推挽電路圖,包括6n5推挽電路圖、6n5P推挽電路圖、6N16B推挽電路圖、6N11+6N5推挽電路圖、6T1+6N15推挽電路圖等推挽電路圖。
2017-11-02 16:02:4622886 WSP4606 SOP8 N+P N 30V7A P-30V-6A
2017-07-29 14:16:1773 WSP4616 SOP8 N+P N 30V11.6A P 30V-9.6A
2017-07-29 14:08:1522 WSP4620 SOP8 N+P N 30V8.8A P -30V-8.6A
2017-07-29 14:06:0927 WSP6067 N+P SOP-8 N 60V6.5A P -60V-4.5A
2017-07-29 11:21:0320 1N60-1N60P數(shù)據(jù)手冊,感興趣的可以瞧一瞧。
2016-11-09 18:15:4318 N溝道和P溝道MOS管,感興趣的小伙伴們可以瞧一瞧。
2016-11-05 11:48:4928 FBM120N60P&BFBM120N60P&BFBM120N60P&BFBM120N60P&BFBM120N60P&BFBM120N60P&B
2015-11-11 16:34:236 去年12月,我花1400元購一臺6N13P膽機(jī)套件,裝成后雖有“膽味”,但功率儲備不夠,顯得力度較小。分析原因是電路總增益不夠,推動級輸出激勵(lì)電壓較小。 為追求更
2010-11-01 17:14:359387 6N2+6P3P廉價(jià)單端膽機(jī) 筆者制作了一款電子管后級功率放大器,所用膽管為價(jià)廉易購的6N2+6P3P,試聽效果不錯(cuò)。將制作過程和步驟寫出來與發(fā)燒友共享(
2010-10-27 17:09:1615272 6N7P系共陰極雙三極管.一致性好,用于推挽放大倒相電路平衡度高。此管具備右特性,可工作于零柵壓,音質(zhì)圓潤醇真。為了領(lǐng)略6N7P的魅力,筆者用6N7P組成雙聲道
2010-10-27 16:54:077135 采用6n8P+EL156自制的電子管功放電路
下圖是采用6n8P+EL156構(gòu)成的
2010-04-17 09:03:419851 N加P溝道增強(qiáng)型MOSFET管
N加P溝道增強(qiáng)型MOSFET管簡介
2010-04-08 17:43:3925 6S4A SE 6N1P膽機(jī)電路原理圖
2010-03-29 09:18:164431 AP02N40P datasheet,pdf資料
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
2010-03-23 16:05:2112
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