我們想獲得矩形脈沖，有種方法是可以采用整形的方法獲得矩形脈沖，但前提是可以找到頻率和幅度都符合要求的電壓信號。

我們設定矩形脈沖的幾個指標。

施密特電路是脈沖波形變換中一種常采用的電路，主要有以下兩個特點：

1.輸入電平從低電平上升過程中電路狀態轉換為對應的輸入電平，與高電平下降過程中對應的輸入轉換電平不同。

2.通過電路內部的正反饋使輸出電壓波形的邊沿變得很陡。

施密特電路的結構和工作原理

我們先從模電的角度來分析此電路的工作原理。

此電路是通過公共發射極電阻耦合的兩級正反饋放大器。

v1輸入為低電平時：T1截止，T2飽和導通。

v1逐漸升高：T1飽和導通,T2截止。

v1逐漸降低：T1截止，T2飽和導通。

設定R1>R2，則T1飽和導通時的vE值 < T2飽和導通時的vE值。

則T1由導通到截止時的v1 < T1由截止變為飽和導通時的v1 .

由此可以得到電壓傳輸特性：

可以看到圖中有正向閾值電壓與負向閾值電壓。

集成電路可用ttl電路集成施密特觸發電路。

由門電路組成的施密特觸發電路

可以利用反相器和電阻接成施密特觸發電路。

反相器采用的是CMOS電路，回顧CMOS電壓傳輸特性：

設閾值電壓為Vth=1/2VDD，R1

注意對應門電路組成的施密特觸發電路只有在反相器輸入電壓處于閾值電壓時，輸出才會發生變化，即才會引起正反饋過程。

1.v1=0:反相器為CMOS工藝，不會有電流通過，上面的反饋電路就算有電流也只是在0的電壓附近分壓，所以整體仍為0

2.

在電壓傳輸特性轉折區，vA的增大將會推動vo的增大，且為正反饋過程，則推動速度加快，一直將vo增大到vo=VOH=VDD;

vA一直增大到VTH時，VT+代表此時正向輸入遇到的閾值電壓，即vI值，但此時vo為0，vo的反應時間是需要稍微延后一點的。

3.若反過來，v1從高電平逐漸下降到vA=VTH。我們需要看的是當vo=0時它對應的負向門檻電壓VT-是不是我們之前求的正向門檻電壓VT+的值。

最后我們可以得到這個電路的回差電壓：

?

上面兩幅圖分別對應vo與反相輸出的vo’，可以發現通過改變R1,R2的電阻值可以改變回差電壓的大小

施密特觸發電路的應用

波形變化

可將邊沿變化緩慢的周期性信號變成邊沿很陡的矩形脈沖信號。

脈沖整形

當傳輸線上電容較大時， 波形的上升沿和下降沿將明顯變壞， 如圖( a ) 所示。當傳輸線較長， 而且接收端的阻抗與傳輸線的阻抗不匹配時， 在波形的上升沿和下降沿將產生振蕩現象， 如圖( b ) 所示。

脈沖鑒幅

若將一系列幅度各異的脈沖信號加到施密特觸發電路的輸人端， 只有那些幅度大于VT+的脈沖才會在輸出端產生輸出信號。因此， 施密特觸發電路能將幅度大于VT+的脈沖選出， 具有脈沖鑒幅的能力。