安建半導體 (JSAB) 繼年初推出業界領先的150V SGT MOSFET 產品平臺,同年已將中高....
2024年7月17日,安建董事長兼總經理單建安教授與投資人代表胡強先生帶隊拜訪廣汽集團,與廣汽集團馮....
JSAB正式推出700V-400A/450A/500A的 I 型三電平模塊,產品型號為 JG6R40....
在前不久結束的ISPSD2024 征稿評比中,安建半導體以工作單位獨立參加碳化硅領域投稿,在口頭報告....
近年來,工業及消費市場對于系統的要求不斷提高,為達到更優秀的效率、可靠性及熱性能,MOSFET作為功....
安建半導體C1輪融資圓滿收官,公司獲得超過2億元人民幣的融資。本輪融資由北京國管順禧基金及中航投資領....
安建半導體 (JSAB) 隆重推出全新的150V SGT MOSFET產品平臺,平臺采用先進的技術和....
安建半導體推出具有完全自主知識產權的1200V-17mΩ SiC MOSFET,通過獨特設計確保產品....
產品特點
● 第7代溝槽-場截止設計,實現更低的VCE(sat)
● 低開關損耗
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JSAB正式推出兼容國外一流品牌的EconoDual3和62mm封裝的1200V-900A模塊,產品....
JSAB正式推出兼容國外一流品牌的EasyPACK-3B封裝的1000V-400A模塊,產品型號為 ....
依托于光刻機的光罩(Litho)工藝是半導體芯片加工流程中的核心工藝,光罩的層數是影響半導體芯片工藝....
JSAB正式推出兼容國外一流品牌的EasyPACK-3B封裝的1200V-150A/225A/300....
JSAB正式推出采用TO-247Plus-4L封裝的1200V-140A IGBT單管,產品型號為 ....
1200V-600A/450A IGBT模塊被廣泛應用于新能源光伏和集中式儲能、大功率工業電機變頻及....