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三菱電機半導體

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一文了解三菱電機高壓SiC芯片技術

三菱電機開發了高耐壓SiC MOSFET,并將其產品化,率先將其應用于驅動鐵路車輛的變流器中,是一家....
的頭像 三菱電機半導體 發表于 12-18 17:35 ?381次閱讀
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三菱電機1200V級SiC MOSFET技術解析

1200V級SiC MOSFET是一種能充分發揮SiC優勢的器件,廣泛應用于工業、汽車等領域。目前,....
的頭像 三菱電機半導體 發表于 12-04 10:50 ?615次閱讀
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三菱電機將新建功率半導體模塊封裝與測試工廠

三菱電機集團近日宣布,將投資約100億日元,在日本福岡縣的功率器件制作所建設一座新的功率半導體模塊封....
的頭像 三菱電機半導體 發表于 11-20 17:57 ?501次閱讀

一文詳解SiC柵極絕緣層加工工藝

柵極氧化層可靠性是SiC器件應用的一個關注點。本節介紹SiC柵極絕緣層加工工藝,重點介紹其與Si的不....
的頭像 三菱電機半導體 發表于 11-20 17:38 ?386次閱讀
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三菱電機提供200Gbps PIN-PD芯片樣品

三菱電機集團近日宣布提供用于下一代光收發器的新型200Gbps PIN光電二極管(PD)芯片樣品,以....
的頭像 三菱電機半導體 發表于 11-14 15:06 ?320次閱讀
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三菱電機供應12英寸功率半導體芯片

三菱電機集團近日宣布,其功率器件制作所(Power Device Works)福山工廠即日起開始大規....
的頭像 三菱電機半導體 發表于 11-14 15:03 ?334次閱讀

深度了解第8代1800A/1200V IGBT功率模塊

本文介紹了為工業應用設計的第8代1800A/1200V IGBT功率模塊,該功率模塊采用了先進的第8....
的頭像 三菱電機半導體 發表于 11-14 14:59 ?446次閱讀
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深度了解SiC的晶體結構

SiC是由硅(Si)和碳(C)按1:1的化學計量比組成的晶體,因其內部結構堆積順序的不同,形成不同的....
的頭像 三菱電機半導體 發表于 11-14 14:57 ?529次閱讀
深度了解SiC的晶體結構

深度了解SiC材料的物理特性

與Si材料相比,SiC半導體材料在物理特性上優勢明顯,比如擊穿電場強度高、耐高溫、熱傳導性好等,使其....
的頭像 三菱電機半導體 發表于 11-14 14:55 ?573次閱讀
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一文詳解SiC的晶體缺陷

SiC晶體中存在各種缺陷,對SiC器件性能有直接的影響。研究清楚各類缺陷的構成和生長機制非常重要。本....
的頭像 三菱電機半導體 發表于 11-14 14:53 ?500次閱讀
一文詳解SiC的晶體缺陷

一文詳解SiC單晶生長技術

高質量低缺陷的SiC晶體是制備SiC功率半導體器件的關鍵,目前比較主流的生長方法有PVT法、液相法以....
的頭像 三菱電機半導體 發表于 11-14 14:51 ?342次閱讀
一文詳解SiC單晶生長技術

SiC單晶襯底加工技術的工藝流程

SiC單晶是一種硬而脆的材料,切片加工難度大,磨削精度要求高,因此晶圓制造是一個長時間且難度較高的過....
的頭像 三菱電機半導體 發表于 11-14 14:49 ?317次閱讀
SiC單晶襯底加工技術的工藝流程

SiC外延生長技術的生產過程及注意事項

SiC外延生長技術是SiC功率器件制備的核心技術之一,外延質量直接影響SiC器件的性能。目前應用較多....
的頭像 三菱電機半導體 發表于 11-14 14:46 ?327次閱讀
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三菱電機提供SiC MOSFET裸片樣品

近日,三菱電機集團宣布,將于11月14日開始提供用于電動汽車(EV)、插電式混合動力汽車(PHEV)....
的頭像 三菱電機半導體 發表于 11-14 14:43 ?638次閱讀

SiC的離子注入工藝及其注意事項

離子注入是SiC器件制造的重要工藝之一。通過離子注入,可以實現對n型區域和p型區域導電性控制。本文簡....
的頭像 三菱電機半導體 發表于 11-09 11:09 ?313次閱讀

軌道牽引用3.3kV SBD嵌入式SiC-MOSFET模塊

三菱電機新開發了3.3kV金屬氧化物半導體場效應管碳化硅模塊(SiC-MOSFET),采用了嵌入式肖....
的頭像 三菱電機半導體 發表于 10-31 16:47 ?470次閱讀
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三菱電機紅外傳感器國內首次亮相

三菱電機紅外傳感器采用三菱電機自主研發的熱敏二極管紅外傳感器技術,實現了高像素和高溫分辨率。即使在昏....
的頭像 三菱電機半導體 發表于 09-13 10:50 ?601次閱讀

三菱電機發布用于5G massive MIMO基站的16W GaN PAM

三菱電機集團近日宣布,開始為5G massive MIMO*1(mMIMO)基站提供新型16W平均功....
的頭像 三菱電機半導體 發表于 09-13 10:47 ?550次閱讀

三菱電機助力大功率逆變器開發

三菱電機集團近日宣布,將推出一項基于網絡的服務,提供有關配備包含三個LV100絕緣柵雙極型晶體管(I....
的頭像 三菱電機半導體 發表于 09-13 10:39 ?559次閱讀
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三菱電機SiC器件的發展歷程

三菱電機從事SiC器件開發和應用研究已有近30年的歷史,從基礎研究、應用研究到批量商業化,從2英寸、....
的頭像 三菱電機半導體 發表于 07-24 10:24 ?606次閱讀
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三菱電機功率器件發展史

三菱電機從事功率半導體開發和生產已有六十多年的歷史,從早期的二極管、晶閘管,到MOSFET、IGBT....
的頭像 三菱電機半導體 發表于 07-24 10:17 ?600次閱讀
三菱電機功率器件發展史

三菱電機推出兩款新型SBD嵌入式SiC-MOSFET模塊

三菱電機集團近日宣布,從6月10日起開始為包括鐵路和電力系統在內的大型工業設備提供低電流版本3.3k....
的頭像 三菱電機半導體 發表于 06-12 14:17 ?746次閱讀

基于NX封裝的低雜感SiC MOSFET模塊設計

功率模塊從硅IGBT技術過渡到基于SiC MOSFET技術是不可避免的。然而,從硅IGBT時代留下來....
的頭像 三菱電機半導體 發表于 05-08 17:43 ?989次閱讀
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三菱電機出席第十七屆中國高校電力電子與電力傳動學術年會

4月12日至14日,第十七屆中國高校電力電子與電力傳動學術年會在安徽宣城隆重舉辦,本屆會議由中國高校....
的頭像 三菱電機半導體 發表于 04-16 11:10 ?461次閱讀
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三菱電機將開始提供其新型光器件樣品—內置波長監視器的DFB*1-CAN

三菱電機集團近日(2024年3月21日)宣布,將于4月1日開始提供其新型光器件樣品——內置波長監視器....
的頭像 三菱電機半導體 發表于 03-22 14:45 ?498次閱讀
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三菱電機榮獲海爾智家“質量引領獎”

2024年3月13日,2024年度海爾智家全球供應商合作伙伴大會在上海隆重舉行。
的頭像 三菱電機半導體 發表于 03-15 15:54 ?649次閱讀

三菱電機發布商用手持雙向無線電用6.5W硅射頻高功率MOSFET樣品

三菱電機集團近日(2024年2月27日)宣布,將于2月28日開始提供其新型6.5W硅射頻(RF)高功....
的頭像 三菱電機半導體 發表于 02-28 18:18 ?1208次閱讀

三菱電機將推出用于各種電動汽車的新型J3系列功率半導體模塊

三菱電機集團近日(2024年1月23日)宣布即將推出六款用于各種電動汽車(xEV)的新型J3系列功率....
的頭像 三菱電機半導體 發表于 01-24 14:14 ?1521次閱讀
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第20講:DIPIPM?市場失效分析(2)

在了解了DIPIPM失效分析的流程后是不是會很容易地找到市場失效的原因了呢?答案是否定的。不管是對收....
的頭像 三菱電機半導體 發表于 12-27 15:41 ?848次閱讀
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DIPIPM?市場失效分析(1)

DIPIPM是雙列直插型智能功率模塊的簡稱,由三菱電機于1997年正式推向市場,迄今已在家電、工業和....
的頭像 三菱電機半導體 發表于 12-22 15:15 ?584次閱讀
DIPIPM?市場失效分析(1)
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