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深圳市浮思特科技有限公司

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深圳市浮思特科技有限公司文章

  • 全新潛力:金剛石作為下一代半導(dǎo)體的角逐者2024-02-27 17:14

    金剛石,以其無(wú)比的硬度和璀璨的光芒而聞名,也打開(kāi)了其作為半導(dǎo)體的新視角,為下一代電子元件提供了新的可能。金剛石特有的特性,包括高導(dǎo)熱性和電絕緣特性,使其在一些特殊的電子和功率器件應(yīng)用中具有極大的吸引力,特別是在高功率和高溫環(huán)境中。
  • 前特斯拉、前蘋(píng)果工程師開(kāi)始與日本“領(lǐng)先半導(dǎo)體技術(shù)中心”合作2024-02-27 17:12

    美國(guó)創(chuàng)業(yè)公司Tenstorrent Inc.將與日本政府支持的半導(dǎo)體研究小組合作,共同設(shè)計(jì)首款先進(jìn)的人工智能芯片。Tenstorrent由曾在特斯拉和蘋(píng)果公司擔(dān)任要職的Jim Keller領(lǐng)導(dǎo),將授權(quán)其設(shè)計(jì)用于日本人工智能加速器的一部分,并共同設(shè)計(jì)整體芯片。
  • GaN在應(yīng)用太空工業(yè)中的應(yīng)用2024-02-26 17:23

    在新一代電力電子技術(shù)領(lǐng)域,氮化鎵(GaN)技術(shù)因其出色的抗輻射能力和卓越的電氣性能,已成為太空任務(wù)的革命性突破的關(guān)鍵。氮化鎵 (GaN) 技術(shù)已成為天基系統(tǒng)的游戲規(guī)則改變者,與傳統(tǒng)硅 MOSFET 相比,它具有卓越的耐輻射能力和無(wú)與倫比的電氣性能。
    GaN MOSFET 690瀏覽量
  • 電動(dòng)汽車(chē)的直流快速充電技術(shù)2024-02-23 17:45

    EV DC充電器市場(chǎng)按功率水平的預(yù)測(cè)分解顯示,到2027年,預(yù)計(jì)將有41%的強(qiáng)勁累計(jì)年增長(zhǎng)率(CAGR),其中>100kW充電器將引領(lǐng)這一擴(kuò)張。
  • 英飛凌出售兩座封測(cè)廠,日月光接手2024-02-23 17:44

    2月22日,臺(tái)灣媒體報(bào)道稱(chēng),全球知名的半導(dǎo)體封測(cè)企業(yè)日月光投資控股有限公司宣布,將收購(gòu)德國(guó)芯片制造巨頭英飛凌科技在菲律賓和韓國(guó)的兩家后端封測(cè)工廠,此舉旨在擴(kuò)大其在汽車(chē)和工業(yè)自動(dòng)化應(yīng)用領(lǐng)域的電源芯片模塊封測(cè)與導(dǎo)線架封裝能力。該交易的投資額超過(guò)新臺(tái)幣21億元,預(yù)計(jì)最快將在今年第二季度末完成。
  • 美國(guó)Metro Phoenix city與Amkor達(dá)成協(xié)議,建設(shè)美國(guó)最大的半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)施2024-02-22 15:32

    Amkor科技公司在周二晚上獲得了在西北谷建設(shè)價(jià)值20億美元的封裝與測(cè)試綜合體的重要進(jìn)展,皮奧里亞市的領(lǐng)導(dǎo)們對(duì)建設(shè)該項(xiàng)目的協(xié)議表示了熱烈支持,該項(xiàng)目將占地超過(guò)56英畝。皮奧里亞市議會(huì)一致投票通過(guò)了開(kāi)發(fā)協(xié)議,承諾Amkor建設(shè)全國(guó)最大的半導(dǎo)體封裝和測(cè)試設(shè)施,并在未來(lái)十年的兩個(gè)階段中創(chuàng)造約2000個(gè)當(dāng)?shù)毓ぷ鲘徫弧?
  • 回顧2023年電動(dòng)汽車(chē)的發(fā)展和創(chuàng)新2024-02-21 15:39

    2023年,電動(dòng)汽車(chē)行業(yè)的快速增長(zhǎng)不僅推動(dòng)了寬帶隙功率半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展,還促進(jìn)了電池管理系統(tǒng)和充電技術(shù)的創(chuàng)新。這些進(jìn)步為電動(dòng)汽車(chē)的性能提升和用戶體驗(yàn)的改善奠定了基礎(chǔ),同時(shí)為半導(dǎo)體行業(yè)帶來(lái)了新的增長(zhǎng)機(jī)遇。
  • 印度將耗資數(shù)十億建設(shè)兩座全功能半導(dǎo)體制造廠2024-02-19 17:58

    據(jù)印度電子與信息技術(shù)部長(zhǎng)拉杰夫·錢(qián)德拉塞卡爾表示,印度將建設(shè)兩座耗資數(shù)十億美元的全功能半導(dǎo)體制造工廠,此外還將建設(shè)數(shù)個(gè)芯片封裝和組裝單位。 部長(zhǎng)證實(shí),這兩個(gè)項(xiàng)目包括以色列塔爾半導(dǎo)體公司提交的80億美元提案,以及塔塔集團(tuán)的提案。
    半導(dǎo)體 芯片 472瀏覽量
  • 拓?fù)淞孔悠骷耐黄菩赃M(jìn)展2024-01-23 14:59

    1月18日,德累斯頓和維爾茨堡的量子物理學(xué)家們?nèi)〉昧孙@著的科技突破。他們研發(fā)出一種半導(dǎo)體器件,其卓越的魯棒性和敏感度得益于一種量子現(xiàn)象——拓?fù)浔Wo(hù)作用,能夠免受外部干擾,實(shí)現(xiàn)前所未有的精準(zhǔn)測(cè)量功能。
  • Samsung研發(fā)第二代3納米工藝 SF32024-01-22 16:10

    據(jù)報(bào)道,韓國(guó)三星代工廠已經(jīng)開(kāi)始試制其第二代 3 納米級(jí)別工藝技術(shù)的芯片,稱(chēng)為 SF3。這一發(fā)展標(biāo)志著半導(dǎo)體行業(yè)的一個(gè)重要里程碑,因?yàn)槿桥c臺(tái)積電競(jìng)爭(zhēng)下一代先進(jìn)工藝節(jié)點(diǎn)的量產(chǎn)主導(dǎo)權(quán)。韓國(guó)知名權(quán)威新聞媒體《朝鮮日?qǐng)?bào)》報(bào)道稱(chēng),三星現(xiàn)已試產(chǎn)第二代 3 納米工藝芯片 SF3。報(bào)道提到,三星預(yù)計(jì)在未來(lái)六個(gè)月內(nèi),該芯片的良率將超過(guò) 60%。
    三星 芯片 992瀏覽量
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