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• 發布了文章 2024-12-23 17:31

  功率器件熱設計基礎（十）——功率半導體器件的結構函數

  

  樣品活動進行中，掃碼了解詳情/前言/功率半導體熱設計是實現IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎，只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識，才能完成精確熱設計，提高功率器件的利用率，降低系統成本，并保證系統的可靠性。功率器件熱設計基礎系列文章會比較系統地講解熱設計基礎知識，相關標準和工程測量方法。為什么引入結構函數？在功率器件的熱設計基礎系列文章《功率半導體殼溫和

  函數 功率器件 熱設計

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• 發布了文章 2024-12-20 17:04

  新品 | 750V 8mΩ CoolSiC™ MOSFET

  

  750V8mΩCoolSiCMOSFET采用TO-247-4封裝的新型CoolSiCMOSFET750VG1是高度堅固的SiCMOSFET，具有最佳的系統性能和可靠性。CoolSiCMOSFET750V充分利用了英飛凌20多年的SiC經驗。它在性能、可靠性和堅固性方面都具有優勢，并具有柵極驅動靈活性，從而簡化了系統設計，提高了成本效益，實現了最高的效率和功率

  MOSFET SiC 英飛凌

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• 發布了文章 2024-12-19 19:00

  新品 | 6EDL04x065xT 系列三相柵極驅動器

  

  樣品活動進行中，掃碼了解詳情新品6EDL04x065xT系列三相柵極驅動器650V三相柵極驅動器，帶過電流保護(OCP)、使能(EN)、故障檢測和集成自舉二極管(BSD)產品型號：■6EDL04I065NT■6EDL04I065PT■6EDL04N065PT產品特點英飛凌薄膜-SOI技術最大阻斷電壓+650V輸出源/吸收電流+0.165A/-0.375A集成

  三相柵極驅動器 英飛凌 驅動器

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• 發布了文章 2024-12-18 17:20

  搶先領取！高壓CoolGaN™ GIT HEMT可靠性白皮書推薦

  

  高壓CoolGaNGITHEMT（高電子遷移率晶體管）可靠性和驗證的白皮書共33頁，被翻譯成中文和日文，主要介紹了英飛凌如何實現CoolGaN技術和器件使用壽命，且大幅超過標準的規定，詳細闡述了英飛凌用于驗證CoolGaN器件的四個方面的流程。硅的故障機制清晰，驗證方法非常成熟，但傳統的硅驗證工藝無法直接應用于GaN技術產品，因為GaN器件的材料和結構特性與

  HEMT 晶體管 白皮書 高壓

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• 發布了文章 2024-12-17 17:03

  英飛凌CoolSiC™ MOSFET 2000V再獲殊榮，榮獲極光獎兩項大獎

  

  英飛凌的CoolSiCMOSFET2000V碳化硅分立器件再度贏得行業殊榮，榮獲2024年度極光獎“年度影響力產品”獎項。與此同時，憑借其在碳化硅技術領域的持續創新突破及產品性能的顯著提升，英飛凌被授予“第三代半導體年度標桿領軍企業”的榮譽。點擊可查看大圖此外，作為功率半導體行業的領導者，英飛凌持續致力于碳化硅技術的革新與發展，推動市場向更高功率等級與更高能

  MOSFET 半導體 英飛凌

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• 發布了文章 2024-12-16 17:22

  功率器件熱設計基礎（九）——功率半導體模塊的熱擴散

  

  樣品活動進行中，掃碼了解詳情/前言/功率半導體熱設計是實現IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎，只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識，才能完成精確熱設計，提高功率器件的利用率，降低系統成本，并保證系統的可靠性。功率器件熱設計基礎系列文章會比較系統地講解熱設計基礎知識，相關標準和工程測量方法。任何導熱材料都有熱阻，而且熱阻與材料面積成反比，與厚度成正比。按道理

  功率半導體 功率器件 測量 熱設計

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• 發布了文章 2024-12-13 17:04

  新品 | 6EDL04x065xR 和 6EDL04N03PR 系列三相柵極驅動器

  

  新品6EDL04x065xR和6EDL04N03PR系列三相柵極驅動器650V和300V三相柵極驅動器，帶過電流保護(OCP)、使能(EN)、故障檢測和集成自舉二極管(BSD)產品型號：■6EDL04I065NR■6EDL04I065PR■6EDL04N065PR■6EDL04N03PR產品特點英飛凌薄膜-SOI技術最大阻斷電壓+650V輸出源/吸收電流+0

  BSD 二極管 驅動器

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• 發布了文章 2024-12-12 17:03

  新品 | 3300V,1600A二極管IHV B模塊

  

  新品3300V,1600A二極管IHVB模塊知名的IHVBIHVB3.3kV單開關IGBT模塊經過了重大改進，以滿足牽引和工業應用（如中壓傳動或HVDC）當前和未來的要求。這是首次擴展二極管產品組合，DD1600S33HE4是同類最佳的3.3kV二極管模塊，足以取代原來2個雙二極管3.3kV模塊。它采用發射極可控EmCon4二極管，功率循環能力更強，標準封裝

  二極管 模塊

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• 發布了文章 2024-12-11 17:04

  深度 | GaN還是SiC，電氣工程師該如何選擇？

  

  /編輯推薦/氮化鎵晶體管和碳化硅MOSFET是近年來新興的功率半導體，相比于傳統的硅材料功率半導體，他們都具有許多非常優異的特性：耐壓高，導通電阻小，寄生參數小等。他們也有各自與眾不同的特性：氮化鎵晶體管的極小寄生參數，極快開關速度使其特別適合高頻應用。碳化硅MOSFET的易驅動，高可靠等特性使其適合于高性能開關電源中。本文基于英飛凌科技有限公司的氮化鎵晶體

  GaN SiC 功率半導體 半導體 開關電源

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• 發布了文章 2024-12-11 01:03

  功率器件熱設計基礎（八）——利用瞬態熱阻計算二極管浪涌電流

  

  /前言/功率半導體熱設計是實現IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎，只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識，才能完成精確熱設計，提高功率器件的利用率，降低系統成本，并保證系統的可靠性。功率器件熱設計基礎系列文章會比較系統地講解熱設計基礎知識，相關標準和工程測量方法。上一篇講了兩種熱等效電路模型，Cauer模型和Foster模型，這一篇以二極管的浪涌電流為例，講

  二極管 功率器件 浪涌電流 熱設計

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