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• 發布了產品 2022-06-10 14:38

  CGH40090PP 高電子遷移率晶體管 (HEMT)

  

  產品型號：CGH40090PP 頻率：高達 2.5 GHz 的操作 增益：2.0 GHz 時 16 dB 小信號增益 增益：100 W 典型 PSAT

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• 發布了產品 2022-06-09 21:05

  CAB016M12FM3碳化硅功率模塊

  

  產品型號：CAB016M12FM3 阻斷電壓：1200V 包裹：調頻3 配置：半橋

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• 發布了產品 2022-06-09 21:00

  CCB021M12FM3碳化硅功率模塊

  

  產品型號：CCB021M12FM3 阻斷電壓：1200V 包裹：調頻3 配置：六包（三相）

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• 發布了產品 2022-06-09 20:54

  CCB032M12FM3碳化硅功率模塊

  

  產品型號：CCB032M12FM3 阻斷電壓：1200V 包裹：調頻3 配置：六包（三相）

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• 發布了產品 2022-06-09 20:49

  CAB006M12GM3碳化硅功率模塊

  

  產品型號：CAB006M12GM3 阻斷電壓：1200V 包裹：GM3 配置：半橋

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• 發布了產品 2022-06-09 20:45

  CAB006A12GM3碳化硅功率模塊

  

  產品型號：CAB006A12GM3 阻斷電壓：1200V 包裹：GM3 配置：半橋（AlN 基板

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• 發布了產品 2022-06-09 20:41

  CAB008A12GM3碳化硅功率模塊

  

  產品型號：CAB008A12GM3 阻斷電壓：1200V 包裹：GM3 配置：半橋（AlN 基板）

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• 發布了產品 2022-06-09 20:35

  CAB008M12GM3碳化硅功率模塊

  

  產品型號：CAB008M12GM3 阻斷電壓：1200V 包裹：GM3 配置：半橋

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• 發布了產品 2022-06-09 20:24

  CAB760M12HM3R碳化硅功率模塊

  

  產品型號：CAB760M12HM3R 阻斷電壓：1200V 包裹：HM 高性能 62 毫米 配置：用于并聯的半橋右 GK

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• 發布了產品 2022-06-09 20:20

  CAB760M12HM3碳化硅功率模塊

  

  產品型號：CAB760M12HM3 阻斷電壓：1200V 包裹：HM 高性能 62 毫米 配置：用于并聯的半橋右 GK

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