動態(tài)

• 發(fā)布了產(chǎn)品 2022-06-16 16:52

  CGHV35400F氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)

  

  產(chǎn)品型號：CGHV35400F 操作頻率：2.9 – 3.5 GHz 典型輸出功率：500 W 功率增益：11分貝

  99瀏覽量

• 發(fā)布了產(chǎn)品 2022-06-16 16:39

  CGHV35150F-AMP 高電子遷移率晶體管 (HEMT)測試板

  

  產(chǎn)品型號：CGHV35150F-AMP 額定功率 ：150 W @ TCASE = 85°C 工作頻率：2.9 – 3.5 GHz 瞬態(tài)占比： 100 μsec – 300 μsec @ 20%

  61瀏覽量

• 發(fā)布了產(chǎn)品 2022-06-16 16:37

  CGHV35150F 高電子遷移率晶體管 (HEMT)

  

  產(chǎn)品型號：CGHV35150F 額定功率：150 W 工作頻率 ：2.9 – 3.5 GHz 瞬態(tài)占比： 100 μsec – 300 μsec @ 20%

  220瀏覽量

• 發(fā)布了產(chǎn)品 2022-06-16 16:35

  CGHV35150P高電子遷移率晶體管 (HEMT)

  

  產(chǎn)品型號：CGHV35150P 額定功率：150 W @ TCASE = 85°C 工作頻率：2.9 – 3.5 GHz 瞬態(tài)占比： 100 μsec – 300 μsec @ 20%

  123瀏覽量

• 發(fā)布了產(chǎn)品 2022-06-16 16:13

  CGHV31500F1-AMP氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)測試板

  

  產(chǎn)品型號：CGHV31500F1-AMP 操作頻率：2.7 – 3.1 GHz 典型輸出功率：650 W 功率增益：12分貝

  82瀏覽量

• 發(fā)布了產(chǎn)品 2022-06-16 16:11

  CGHV31500F1氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)

  

  產(chǎn)品型號：CGHV31500F1 操作頻率：2.7 – 3.1 GHz 典型輸出功率：650 W 功率增益：12分貝

  186瀏覽量

• 發(fā)布了產(chǎn)品 2022-06-16 16:09

  CGHV31500F-AMP氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)測試板

  

  產(chǎn)品型號：CGHV31500F-AMP 操作頻率：2.7 – 3.1 GHz 典型輸出功率：650 W 功率增益：12分貝

  85瀏覽量

• 發(fā)布了產(chǎn)品 2022-06-16 16:07

  CGHV31500F氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)

  

  產(chǎn)品型號：CGHV31500F 操作頻率：2.7 – 3.1 GHz 典型輸出功率：650 W 功率增益：12分貝

  311瀏覽量

• 發(fā)布了產(chǎn)品 2022-06-16 14:24

  ADM2582E 信號和電源隔離 RS-485 接口收發(fā)器 ADI品牌

  

  產(chǎn)品型號：ADM2582E 數(shù)據(jù)速率：16 Mbps 工作電壓：5 V或3.3 V 總線最多支持：256個節(jié)點(diǎn)連接

  1.2k瀏覽量

• 發(fā)布了產(chǎn)品 2022-06-16 11:51

  CGHV27060MP-AMP4高電子遷移率晶體管 (HEMT)測試板

  

  產(chǎn)品型號：CGHV27060MP-AMP4 頻率：從 UHF 到 2.7GHz 脈沖 PSAT增益： 時 16.5 dB 脈沖 PSAT效率：70%

  83瀏覽量