場效應(yīng)管與可控硅區(qū)別
場效應(yīng)管與可控硅區(qū)別
1、三極管是雙極型管子，即管子工作時內(nèi)部由空穴和自由電子兩種載流子參與。場效應(yīng)管是單極型管子，即管子工作時要么只有空穴，要么只有自由電子參與導(dǎo)電，只有一種載流子；
2、三極管屬于電流控制器件，有輸入電流才會有輸出電流；場效應(yīng)管屬于電壓控制器件，沒有輸入電流也會有輸出電流；
3、三極管輸入阻抗小，場效應(yīng)管輸入阻抗大；
4、有些場效應(yīng)管源極和漏極可以互換，三極管集電極和發(fā)射極不可以互換；
5、場效應(yīng)管的頻率特性不如三極管；
6、場效應(yīng)管的噪聲系數(shù)小，適用于低噪聲放大器的前置級；
7、如果希望信號源電流小應(yīng)該選用場效應(yīng)管，反之則選用三極管更為合適。
可控硅
可控硅（Silicon Controlled Rectifier） 簡稱SCR，是一種大功率電器元件，也稱晶閘管。它具有體積小、效率高、壽命長等優(yōu)點。在自動控制系統(tǒng)中，可作為大功率驅(qū)動器件，實現(xiàn)用小功率控件控制大功率設(shè)備。它在交直流電機調(diào)速系統(tǒng)、調(diào)功系統(tǒng)及隨動系統(tǒng)中得到了廣泛的應(yīng)用。
推薦閱讀：
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請聯(lián)系本站處理。
舉報投訴
-
場效應(yīng)管
+關(guān)注
關(guān)注
47文章
1171瀏覽量
64155 -
可控硅
+關(guān)注
關(guān)注
43文章
963瀏覽量
72047
發(fā)布評論請先 登錄
相關(guān)推薦
場效應(yīng)管概念
。目前廣泛應(yīng)用的是SiO2為絕緣層的絕緣柵場效應(yīng)管，稱為金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)管，簡稱MOSFET。以功能類型劃分，MOSFET分為增強型和耗盡型兩種，其中耗盡型與增強型主要區(qū)別是在制造SiO2絕緣層
發(fā)表于 07-29 06:01
場效應(yīng)管（FET）,場效應(yīng)管（FET）是什么意思
場效應(yīng)管（FET）,場效應(yīng)管（FET）是什么意思
場效應(yīng)管和雙極晶體管不同，僅以電子或空穴中的一種載子動作的晶體管。按照結(jié)構(gòu)、原理可以
發(fā)表于 03-01 11:06
?4.8w次閱讀
VMOS場效應(yīng)管,VMOS場效應(yīng)管是什么意思
VMOS場效應(yīng)管,VMOS場效應(yīng)管是什么意思
VMOS場效應(yīng)管（VMOSFET）簡稱VMOS管或功率場效應(yīng)管，其全稱為V型槽MOS
發(fā)表于 03-04 09:51
?1488次閱讀
VMOS場效應(yīng)管,VMOS場效應(yīng)管是什么意思
VMOS場效應(yīng)管,VMOS場效應(yīng)管是什么意思
VMOS場效應(yīng)管（VMOSFET）簡稱VMOS管或功率場效應(yīng)管，其全稱為V型槽MOS
發(fā)表于 03-05 15:44
?3416次閱讀
場效應(yīng)管,晶體管,場效應(yīng)管和晶體管的區(qū)別
場效應(yīng)管,晶體管,場效應(yīng)管和晶體管的區(qū)別
場效應(yīng)晶體管具有較高輸入阻抗和低噪聲等優(yōu)點，因而也被
發(fā)表于 03-31 10:06
?968次閱讀
場效應(yīng)管與晶閘管的五大區(qū)別
關(guān)于這兩個電子器件在很多電路中都會遇到，比如場效應(yīng)管可以作為電磁爐中的開關(guān)振蕩管、電瓶車充電器電路中作為開關(guān)管使用，場效應(yīng)管尤其在電腦主板中用的比較多；對于晶閘管我們俗稱
場效應(yīng)管/可控硅的典型驅(qū)動電路
場效應(yīng)管和可控硅驅(qū)動電路是有本質(zhì)上的差異，首要場效應(yīng)管通常分為結(jié)型場效應(yīng)管和絕緣柵型場效應(yīng)管，可控硅
場效應(yīng)管的特點 場效應(yīng)管的使用優(yōu)勢
場效應(yīng)管是一種電子元件，它可以控制電流或電壓，通過改變極化層的電場來控制電流或電壓。根據(jù)其結(jié)構(gòu)特點分為MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管）、JFET（金屬硅場效應(yīng)管）、IGBT
發(fā)表于 02-17 15:44
?5131次閱讀
場效應(yīng)管和可控硅有什么區(qū)別？
場效應(yīng)管和可控硅有什么區(qū)別？? 場效應(yīng)管和可控硅都是常見的半導(dǎo)體元件，它們在電路應(yīng)用中廣泛用到，但是它們有不同的工作原理和應(yīng)用場合。在本篇文
場效應(yīng)管MOSFET是mos管嗎？場效應(yīng)管mos管的區(qū)別？
場效應(yīng)管MOSFET是mos管嗎？場效應(yīng)管mos管的區(qū)別？場效應(yīng)管和mos管有什么不一樣的地方？
可控硅與場效應(yīng)管區(qū)別工作原理
可控硅與場效應(yīng)管區(qū)別工作原理 可控硅（SCR）和場效應(yīng)管（FET）是電子領(lǐng)域中兩個常見的器件，它們在不同的應(yīng)用領(lǐng)域中都有著廣泛的應(yīng)用。本文將重點介紹SCR和FET的工作原理及它們之間的
可控硅和場效應(yīng)管的區(qū)別
可控硅（Thyristor，縮寫為SCR）和場效應(yīng)管（Field Effect Transistor，縮寫為FET）是兩種常見的半導(dǎo)體器件，它們在電子電路中有著廣泛的應(yīng)用。盡管它們都屬于半導(dǎo)體器件，但它們之間存在著一些顯著的區(qū)別
發(fā)表于 09-09 16:09
?3670次閱讀
結(jié)型場效應(yīng)管和絕緣柵型場效應(yīng)管的區(qū)別是什么？
結(jié)型場效應(yīng)管和絕緣柵型場效應(yīng)管的區(qū)別是什么？? 場效應(yīng)管是一種半導(dǎo)體器件，利用半導(dǎo)體中電荷分布的特性控制電流的流動。常見的場效應(yīng)管有結(jié)型
場效應(yīng)管與igbt管區(qū)別 怎樣區(qū)分場效應(yīng)管與IGBT管
場效應(yīng)管與igbt管區(qū)別 怎樣區(qū)分場效應(yīng)管與IGBT管? 場效應(yīng)管（Field Effect Transistor，簡稱FET）和絕緣柵雙極
N溝道場效應(yīng)管和P溝道場效應(yīng)管有什么區(qū)別
, P-Channel FET）是場效應(yīng)管（Field Effect Transistor, FET）的兩種基本類型，它們在導(dǎo)電機制、極性、驅(qū)動電壓、導(dǎo)通電阻、噪聲特性、溫度特性以及應(yīng)用領(lǐng)域等方面存在顯著差異。以下是對這兩種場效應(yīng)管區(qū)別的詳細闡述：
工商網(wǎng)監(jiān)
評論