臺積電官方宣布,已經開始批量生產7nm N7+工藝,這是臺積電第一次、也是行業第一次量產EUV極紫外光刻技術,意義非凡。
臺積電表示,7nm+ EUV工藝的良品率已經提高到和初代7nm同樣的水平,將今年帶動7nm工藝芯片的產能顯著提升。預計2019年的總產能折合可達1200萬塊300mm晶圓,其中7nm工藝的會有100萬塊,比去年猛增150%。
根據此前消息,***工藝,有望用于Mate 30系列。臺積電方面已經明確表示向華為供貨。另外蘋果的A13也已經鎖定臺積電7nm+,今年的新iPhone就靠它了。
另外臺積電還有個過渡性質的6nm工藝,基于7nm改進而來,預計2020年第一季度試產,非常適合現有7nm工藝用戶直接升級。
臺積電還透露,目前也正穩步推進下一代5nm工藝,位于***南部科技園的新工廠Fab 18已經開始設備搬遷與安裝,將在明年投產時直接上馬5nm,全面應用EUV技術,已經開始風險性試產,預計2020年第一季度量產,并為未來的3nm工藝做好準備。
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原文標題:首次加入EVU極紫外光刻 臺積電二代7nm+工藝已量產
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