晶圓生產的目標

晶圓術語

1. 芯片、器件、電路、微芯片或條碼：所有這些名詞指的是在晶圓表面占大部分面積的微芯片圖形。

2.劃片線或街區：這些區域是在晶圓上用來分隔不同芯片之間的間隔區。劃片線通常是空白的，但有些公司在間隔區內放置對準標記，或測試的結構。

3.工程試驗芯片和測試芯片：這些芯片與正式器件芯片或電路芯片不同。它包含特殊的器件和電路模塊用于對晶圓生產工藝的電性測試。

芯片術語

下圖是一個中規模（MSI）/雙極型集成電路的顯微照片。之所以選擇這個集成等級，是為了照片上能顯示出電路的具體圖形。對于更高集成度的電路，它的元件非常小，以至于在整個芯片的顯微照片上無法辨認。

圖中芯片的特性有：

1. 雙極型晶體管

2. 電路的特定編號

3. 為連接芯片與管殼而備的壓焊點

4. 壓焊點上的一小塊污染物

5. 金屬表面導線

6. 劃片線（芯片間的分割線）

7. 獨立未連接的元件

8. 掩模版對準標記

9. 電阻

晶圓生產的基礎工藝

薄膜工藝

薄膜工藝是在晶圓表面形成薄膜的加工工藝。

各種技術用于二氧化硅層生長和各種材料的沉積。

通用的淀積技術是物理氣相淀積、化學氣相淀積、蒸發和濺射、分子束、外延生長、分子束外延和原子層淀積。使用電鍍在高密度集成電路上淀積金屬化層。

圖形化工藝

圖形化工藝是通過一系列生產步驟將晶圓表面薄膜的特定部分除去工藝。從此之后，晶圓表面會留下帶有微圖形結構的薄膜。被除去部分的可能形狀是薄膜內的空或是殘留的島狀部分。

圖形化工藝也被未大家熟知的廣掩模、掩模、光刻或微光刻。在晶圓制造過程中，晶體三極管、二極管、電容器和金屬層的各種物理部件在晶圓表面或表層內構成。

圖形的錯位也會導致類似的不良結果。圖形化工藝中的另一個問題是缺陷。圖形化工藝是高科技版本的照相術，只不過是在難以置信的微小尺寸小完成的。在制程中的污染物會造成缺陷。事實上由于圖形化工藝在現代晶圓生產過程中要完成30層或更多，所以污染問題將會放大。