低壓差穩(wěn)壓器（一般稱作 LDO）在今天的許多應(yīng)用已是一種常用器件，因為它們提供了一種簡單經(jīng)濟的穩(wěn)壓方法，能對由高輸入電壓經(jīng)降壓后得到的輸出進行穩(wěn)壓調(diào)節(jié)。 此外，與開關(guān)式穩(wěn)壓器相比線性 LDO 電壓穩(wěn)壓器的噪聲非常小。

盡管如此，要保持系統(tǒng)低功耗，這類穩(wěn)壓器還必須具有超低靜態(tài)電流 （IQ），并通過出色的動態(tài)性能確保實現(xiàn)一個穩(wěn)定的無噪聲電壓軌，以適用于驅(qū)動如微處理器、FPGA 和其他系統(tǒng)板上器件等 IC 負載。

我們在現(xiàn)實中無法同時擁有超低 IQ 和良好的動態(tài)響應(yīng)特性。 實際上，具有相同 IQ 電流特性的兩個相似 LDO 在動態(tài)性能方面可能相去甚遠。 根據(jù) ON Semiconductor 提供的一份應(yīng)用說明 1，這兩種要求通常是相互排斥的，成為擺在功率 IC 設(shè)計人員面前的一道真正難題。 所以，市場上并沒有多少能同時滿足這兩種要求的 LDO。

偏置超低 IQ LDO

根據(jù) ON Semi，影響超低 IQ LDO 穩(wěn)壓器動態(tài)性能的主要因素是器件的制造工藝和相關(guān)電路設(shè)計。 雖然諸如 CMOS 或者 BiCMOS 等先進工藝經(jīng)優(yōu)化后能讓功率器件實現(xiàn)低功耗和高速性能，但動態(tài)性能卻取決于電路設(shè)計。 ON Semiconductor 的功率 IC 設(shè)計融合了這兩種技術(shù)，使器件性能獲得大幅提升。 除擁有超低 IQ 以及出色的線路、負載瞬態(tài)特性外，這種 LDO 還具有超低輸出噪聲和高電源抑制比 （PSRR） 特性。

Linear Technology Corp.、Maxim Integrated Products 和 Texas Instruments 等許多制造商也在這方面取得了類似的進步。 為適應(yīng)各種不同的電池供電型移動應(yīng)用，這些 LDO 供應(yīng)商精心制造了具有高 PSRR、超低噪聲和快速響應(yīng)特性的超低 IQ LDO。

傳統(tǒng)的做法是，超低 IQ CMOS LDO 通過采用常數(shù)偏置方案來確保接地電流 （IGND） 消耗在有效的電流范圍內(nèi)保持相對穩(wěn)定。 按照定義，IQ 決定 IGND。 ON Semiconductor 的 MC78LC 便是此類器件的一個很好的例子，其 IGND（或 IQ）為 1.5 μA。 正如 ON Semi 工程師在應(yīng)用說明中指出的那樣，常數(shù)偏置的主要不足是相對較差的動態(tài)性能，即負載和線路瞬態(tài)、PSRR 和輸出噪聲性能弱。 ON Semi 建議采用較大的輸出電容器進行性能補償。 圖 1 所示為 LDO MC78LC 的輸出電容器 （COUT） 從 1 μF 增大至 100 μF 時的過沖和下沖。

圖 1：MC78LC 的輸出電容器 （COUT） 從 1 μF 增大至 100 μF 時，其過沖和下沖得到了明顯改善。

表 1 給出了對應(yīng)于三個不同輸出電容值的精確過沖和下沖幅值。 由此看出，采用電容為 100 μF 的較大電容器時瞬態(tài)幅值大大減小。

輸出電容器 COUT 1 μF 10 μF 100 μF 過沖 +560 mV +180 mV +80 mV 下沖 -720 mV -240 mV -100 mV

表 1：MC78LC 對應(yīng)用三個不同輸出電容器 COUT 值時的瞬態(tài)幅值。

雖然采用較大的輸出電容器能使 LDO 瞬態(tài)幅值急劇減小，但會延長建立時間。 而且在該應(yīng)用說明中，工程師建議采用大型輸出電容器時，可能需要在 VIN 和 VOUT 引腳之間增加一個外部反向保護二極管。 這個反向二極管用于保護 LDO 穩(wěn)壓器，防止輸入電壓突降期間的過大反向電流流入內(nèi)部 PMOS 體二極管。 然而，ON Semiconductor 的產(chǎn)品行銷工程師 Pawel Holeksa 指出，增大 COUT 并不能保證獲得所需的性能。 另外，較大的輸出電容器和保護用外部二極管會增加該解決方案的成本和體積。

低噪聲、高 PSRR

因此，為了克服常數(shù)偏置法的局限性，ON Semiconductor 開發(fā)出一種采用巧妙偏置方案的 LDO。 通過改變接地電流或者 IQ 電流與輸出電流的輸出關(guān)系，全新 LDO 改善了常數(shù)偏置 LDO 相對較弱的動態(tài)性能。 類似的兩種產(chǎn)品為 NCP4681 和 NCP4624，其典型靜態(tài)電流分別為 1 μA 和 2 μA。 圖 2 說明了這些超低 IQ LDO 采用的設(shè)計理念，其中 IGND 電流隨著輸出電流成比例增大。 我們還可以看出，IGND 在 IOU 大于 2 mA 時開始增大。

圖 2：在 NCP4681 和 NCP4624 這兩款超低 IQ LDO 中，接地電流 IGND 隨著輸出電流成比例增大。

相比常數(shù) IGND LDO，NCP4681/NCP4624 穩(wěn)壓器的規(guī)格書表明，比例偏置法 LDO 顯著提升了電源抑制比 （PSRR） 和負載瞬態(tài)性能。 相比之下，NCP4681 在 100 Hz 和 IOUT = 30 mA 時把 PSRR 提升了大約 15 dB。 根據(jù)產(chǎn)品規(guī)格書，在這種額定電流和頻率以及 1.5 V 輸出、2.5 V 輸入電壓下，額定 PSRR 為 53 dB，并且當(dāng)輸出電流降至 1 mA 時保持不變。 雖然比例偏置技術(shù)相比常數(shù) IGND LDO 能提升動態(tài)性能，但還不能充分滿足一些要求苛刻的應(yīng)用。

一些應(yīng)用實際上要求超低 IQ LDO 具有更優(yōu)的 PRSS 性能。 因此，當(dāng)選擇超低 IQ LDO 穩(wěn)壓器時除了瞬態(tài)響應(yīng)外，LDO 噪聲和 PSRR 也是必須考慮的重要技術(shù)指標。 為此，Texas Instruments 開發(fā)出 TPS727xx 系列超低 IQ LDO，該系列器件具有非常高的 PSRR、超低噪聲和出色的瞬態(tài)響應(yīng)性能。 TI 利用先進的 BiCMOS 工藝和 PMOS FET 無源器件實現(xiàn)了這一性能。 例如該系列中的 250 mA TPS72718，當(dāng)輸出電壓為 1.8 V、輸入電壓為 2.3 V 且輸出電流為 2.3 mA 時，其 1 kHz 下的 IQ 為 7.9 μA、PSRR 為 70 dB（圖 3）。 在帶寬為 100 Hz 至 100 kHz 以及類似輸入和輸出條件下，輸出電壓噪聲僅 33.5 μVrms。

圖 3：超低 IQ LDO TPS72718 在輸入與輸出電壓差為 0.5 V、輸出電流為 10 mA 、1 kHz 頻率時的 PSRR 大于 70 dB。

同樣，為了在增強動態(tài)性能的同時仍保持超低 IQ，ON Semiconductor 也采用了一種稱作自適應(yīng)接地電流的新技術(shù)。 采用這種技術(shù)的 LDO 能在一定輸出電流水平下提升接地電流，而不會削弱動態(tài)性能。 因此，在擁有出色的負載/線路瞬態(tài)和 PSRR 性能的同時，將輸出噪聲降至最低。 這類器件正進行優(yōu)化，以便能向要求長電池壽命、小型解決方案基底面環(huán)境中的敏感性模擬/射頻電路供電。

總之，現(xiàn)代 LDO 結(jié)合了工藝技術(shù)和電路設(shè)計優(yōu)勢，在實現(xiàn)超低 IQ LDO 的同時，使其負載瞬態(tài)、PSRR 和輸出噪聲等動態(tài)參數(shù)保持高性能水平。