今日比亞迪IGBT技術解析會在浙江寧波順利召開。解析會上比亞迪在車規級領域發布了具有標桿性意義的IGBT4.0技術，再一次展示出其在電動車領域的領先地位。

2005年，比亞迪組建IGBT研發團隊，正式進軍IGBT領域。

此前，IGBT的核心技術長期以來始終掌握在國外廠商手里。到了2009年，比亞迪IGBT芯片成功通過中國電器工業協會電力電子分會組織的科技成果鑒定，這也標志著中國在IGBT芯片技術上實現零的突破，打破了國際巨頭的技術壟斷僵局。

如今，在該領域比亞迪截至2018年11月，累計申請IGBT相關專利175件，其中授權專利114件。這對于促進我國芯片產業以及新能源汽車產業的發展具有深遠影響。

“命脈”IGBT

另外，IGBT也是新能源汽車最為核心的技術，其好壞直接影響電動車功率的釋放速度：直接控制直、交流電的轉換，同時對交流電機進行變頻控制，決定驅動系統的扭矩（直接影響汽車加速能力）、最大輸出功率（直接影響汽車最高時速）等，被稱為電力電子裝置的“CPU”。 因此，一塊IGBT模塊盡管只有巴掌大小，卻是駕馭一臺龐大裝備的“命脈”。

在會上，中國半導體行業協會IC設計分會副理事長周生明表示：“比亞迪有得天獨厚的條件，做IGBT有最大的自己的應用市場，可以讓我們充分施展拳腳，如果沒有比亞迪這樣整體的產業鏈，也許你造出來的IGBT很多人也不敢用，原來我們是依賴型經濟，現在遇到了貿易爭端發現依賴型不行，特別是我們的產品和他國產品形成競爭時，你會感覺到這是我們的瓶頸。但是比亞迪依靠自身強大的研發實力和人才的聚集、產業鏈的搭配，在這方面有了非常核心的突破，這個突破不是今天想明天投入就能實現的，是積累了十多年的技術、人才和產業鏈的供應，一般的企業不具備這種市立，所以這是今天我學習到的最深的東西。”

如今，比亞迪經過十余年耕耘，成功研發出全新的車規級產品IGBT4.0，成為車規級IGBT的標桿。得益于在IGBT領域的成果，使比亞迪電動汽車的超凡性能得以成功落地，并具有持續迭代升級的能力。如比亞迪全新一代唐EV的百公里加速時間達到行業領先的4.4秒的成績，不少的功勞也得益于IGBT對電流準確、有效的控制。同時，比亞迪IGBT在芯片損耗、電流輸出能力等方面的優異性能，和電池等其他關鍵技術一起，將比亞迪全新一代唐EV等純電動車的續航里程提升到了600公里（60KM/小時等速行駛情況下）。

作為中國第一家實現車規級IGBT大規模量產、也是唯一一家擁有IGBT完整產業鏈的車企，此次發布會上，比亞迪還釋放了另一重磅消息：比亞迪已投入巨資布局性能更加優異的第三代半導體材料SiC（碳化硅），有望于2019年推出搭載SiC電控的電動車。預計到2023年，比亞迪旗下的電動車將全面搭載SiC電控。

“雙芯”加持

享有“技術狂”之稱的比亞迪掌握了功率半導體和電池“雙芯”、電機、電控等電動車全產業鏈的核心技術。同時也是全球唯一一家同時擁有動力電池和電動汽車大規模生產能力的企業。

電池技術方面，比亞迪在電池領域已有24年經驗，具備100%自主研發、設計和生產能力，并形成了完整（原材料、研發、設計、制造、應用以及回收）的電池產業鏈。

電機方面，比亞迪新能源汽車采用了永磁同步電機，具有高效率、高功率密度、高可靠性的特點。相對國內工業電機企業轉型制造的動力電機，以及部分車企外采的做法，比亞迪作為掌握汽車驅動電機核心技術的汽車品牌，配套兼容性更強。

此次發布會上，比亞迪宣布，已經成功研發了SiC MOSFET（汽車功率半導體包括基于硅或碳化硅等材料打造的IGBT或 MOSFET等），有望于2019年推出搭載SiC電控的電動車。預計到2023年，比亞迪將在旗下的電動車中，實現SiC基車用功率半導體對硅基IGBT的全面替代，將整車性能在現有基礎上再提升10%。

比亞迪第六事業部兼太陽能事業部總經理陳剛表示：“SiC MOSFET將成為比亞迪電動車性能持續迭代更新的新一代‘殺手锏’，我們期望在加速、續航等性能指標上，為廣大消費者帶來更多驚喜。”