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三星SSD路線圖更新QLC閃存是重點 三星將于2019年試產QD-OLED

電子工程師 ? 來源:網絡整理 ? 2018-10-18 17:33 ? 次閱讀

三星SSD路線圖更新QLC閃存是重點

在三星Tech Day會議上,三星不僅宣布了7nm EUV、16Gb GDDR6顯存等新工藝、新產品及新技術,SSD方面也更新了路線圖,未來的重點就是96層堆棧的3D TLC閃存以及QLC閃存,其中TLC閃存陣容擴大,多款新品性能提升,容量最大可達30.72TB,而QLC閃存無疑是下一步的重點,除了1Tb核心的還會有512Gb核心的,性能更好,功耗更低,消費級的QLC硬盤860 QVO、980 OVO也確定了,不過規格沒公布。

TLC閃存創新高

目前64層堆棧3D TLC閃存的970 EVO、PM981將會被新的970 EVO Plus、PM981a取代,容量沒變化,依然是250GB到2TB,主要提升在連續寫入方面,不過PM981a的隨機性能也明顯提升了可以達到970 EVO及970 EVO Plus的水平。

用于數據中心SSD市場的PM983將被PM983a取代,容量翻倍,最高可達16TB,可能只有NF1、U2規格,也沒有使用SLC緩存,這使得寫入速度會比消費級硬盤更低,不過性能依然是有提升的。

PM991將取代NVMe BGA封裝的PM971a硬盤,隨機性能翻倍,連續讀寫速度提升了50%。

企業級SAS產品線中,PM1643將會被PM1643a取代,整體變化不大,主要是隨機寫入性能提升20%,最大容量依然是30.72TB。

最高端的企業級NVMe硬盤升級了新主控及新閃存,支持PCIe 4.0,因此性能大幅提升,PM1723a目前的速度不過3.5GB/s,新的PM1733硬盤可達8GB/s,最大容量也達到了SAS產品線同級別的30.72TB。此外,PM1733還支持雙口PCIe,為高可靠性用戶帶來了更多的選擇。

QLC閃存新增512Gb核心顆粒,860 QVO、980 QVO確認

在說具體的QLC產品之前,Anandtch解釋了三星的MLC/TLC/QLC硬盤的命名規則,企業級/OEM產品線中,MLC閃存用SM開頭,TLC閃存用PM開頭,QLC閃存用BM開頭。

在SSD產品中,企業級SAS產品線新增BM1653新品,NVMe產品線新增BM9A3、BM1733產品線,客戶端NVMe新增BM991產品線,不過三星并沒有公布這些QLC硬盤的具體規格。

消費級QLC硬盤中,三星會推出SATA接口的860 QVO、NVMe標準的980 QVO,這些產品在OEM中找不到,因此可以認為是零售市場的新品,不過具體規格還是沒公布,發售計劃也沒有提及。

此外,三星在2019年Q2季度還會推出512Gb核心容量的QLC閃存,雖然容量比現在的1Tb QLC閃存小了,但是延遲降低了37%,功耗降低了45%,這還是三星用它跟別家1Tb核心QLC閃存對比的,如果對比三星自家的1Tb核心QLC閃存,差距只會更大。

三星第二代Z-SSD

三星面向低延遲SSD市場的Z-SSD系列中還會增加第二代產品SZ1733及SZ1735,容量提升到4最大4TB,明顯比第一代的SZ985的800GB大得多,它支持PCIe 4.0及雙口PCIe,因此連續速度可達12GB/s,不過最重要的隨機性能沒有提及。

三星將于2019年試產QD-OLED

據DSCC預計,三星將于2019年開始試生產QD-OLED,每月5,000片8.5代基板。如果成功,三星將在2020年將產能翻番,并在2021年和2022年再每年增加30,000片基板。三星QD-OLED電視的材料收入將在2022年達到5600萬美元。


不過,DSCC也承認,由于三星在推出商用QD-OLED電視之前面臨若干技術挑戰,該項預測可能會出現變動——SDC很有可能會取消該項目,或者可以以更快的速度增加產量,甚至提升到10.5代。



據DSCC稱,QD-OLED的兩個主要挑戰是高效的藍色OLED發光器和良好的量子點顏色轉換器(QDCC)。這種架構中的光管理也是一個嚴峻的挑戰。三星最終需要磷光藍色或TADF藍色材料,但根據DSCC的說法,三星起初將采用具有兩個發光層的熒光藍色發光器,如上圖所示。

與LG目前的WRGB(四個子像素+彩色濾光片)系統相比,QD-OLED具有多項優勢。三星將能夠使用三個子像素和僅兩個發光層(LGD使用四個),因此其堆疊將包括13層,而LGD的電視中為22層——這就意味著更少的沉積階段,更高的產量和更低的材料成本。DSCC估計,一平方米的QD-OLED生產將需要花費約26美元的材料——相比之下,一米WOLED產量的花費接近95美元。這當然對三星來說是個好消息,但對OLED材料制造商來說可能不太好(特別是UDC,至少在三星采用磷光藍色發光體之前)。

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