時,然后才能再下一次,這么折騰一天也改不了幾次。歷史的車輪不斷前進,偉大的EEPROM出現(xiàn)了,拯救了一大批程序員,終于可以隨意的修改ROM中的內(nèi)容了。
EEPROM的全稱是“電可擦除可編程只讀存儲器”,即Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory。是相對于紫外擦除的rom來講的。但是今天已經(jīng)存在多種EEPROM的變種,變成了一類存儲器的統(tǒng)稱。
狹義的EEPROM:
這種rom的特點是可以隨機訪問和修改任何一個字節(jié),可以往每個bit中寫入0或者1。這是最傳統(tǒng)的一種EEPROM,掉電后數(shù)據(jù)不丟失,可以保存100年,可以擦寫100w次。具有較高的可靠性,但是電路復(fù)雜/成本也高。因此目前的EEPROM都是幾十千字節(jié)到幾百千字節(jié)的,絕少有超過512K的。
Flash:
Flash屬于廣義的EEPROM,因為它也是電擦除的ROM。但是為了區(qū)別于一般的按字節(jié)為單位的擦寫的EEPROM,我們都叫它Flash。
既然兩者差不多,為什么單片機中還要既有Flash又有EEPROM呢?
通常,單片機里的Flash都用于存放運行代碼,在運行過程中不能改;EEPROM是用來保存用戶數(shù)據(jù),運行過程中可以改變,比如一個時鐘的鬧鈴時間初始化設(shè)定為12:00,后來在運行中改為6:00,這是保存在EEPROM里,不怕掉電,就算重新上電也不需要重新調(diào)整到6:00。
但最大區(qū)別是其實是:FLASH按扇區(qū)操作,EEPROM則按字節(jié)操作,二者尋址方法不同,存儲單元的結(jié)構(gòu)也不同,F(xiàn)LASH的電路結(jié)構(gòu)較簡單,同樣容量占芯片面積較小,成本自然比EEPROM低,因而適合用作程序存儲器,EEPROM則更多的用作非易失的數(shù)據(jù)存儲器。當(dāng)然用FLASH做數(shù)據(jù)存儲器也行,但操作比EEPROM麻煩的多,所以更“人性化”的MCU設(shè)計會集成FLASH和EEPROM兩種非易失性存儲器,而廉價型設(shè)計往往只有 FLASH,早期可電擦寫型MCU則都是EEPRM結(jié)構(gòu),現(xiàn)在已基本上停產(chǎn)了。
在芯片的內(nèi)電路中,F(xiàn)LASH和EEPROM不僅電路不同,地址空間也不同,操作方法和指令自然也不同,不論馮諾伊曼結(jié)構(gòu)還是哈佛結(jié)構(gòu)都是這樣。技術(shù)上,程序存儲器和非易失數(shù)據(jù)存儲器都可以只用FALSH結(jié)構(gòu)或EEPROM結(jié)構(gòu),甚至可以用“變通”的技術(shù)手段在程序存儲區(qū)模擬“數(shù)據(jù)存儲區(qū)”,但就算如此,概念上二者依然不同,這是基本常識問題。
EEPROM:電可擦除可編程只讀存儲器,F(xiàn)lash的操作特性完全符合EEPROM的定義,屬EEPROM無疑,首款Flash推出時其數(shù)據(jù)手冊上也清楚的標(biāo)明是EEPROM,現(xiàn)在的多數(shù)Flash手冊上也是這么標(biāo)明的,二者的關(guān)系是“白馬”和“馬”。至于為什么業(yè)界要區(qū)分二者,主要的原因是 Flash EEPROM的操作方法和傳統(tǒng)EEPROM截然不同,次要的原因是為了語言的簡練,非正式文件和口語中Flash EEPROM就簡稱為Flash,這里要強調(diào)的是白馬的“白”屬性而非其“馬”屬性以區(qū)別Flash和傳統(tǒng)EEPROM。
Flash的特點是結(jié)構(gòu)簡單,同樣工藝和同樣晶元面積下可以得到更高容量且大數(shù)據(jù)量下的操作速度更快,但缺點是操作過程麻煩,特別是在小數(shù)據(jù)量反復(fù)重寫時,所以在MCU中Flash結(jié)構(gòu)適于不需頻繁改寫的程序存儲器。
很多應(yīng)用中,需要頻繁的改寫某些小量數(shù)據(jù)且需掉電非易失,傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)的EEPROM在此非常適合,所以很多MCU內(nèi)部設(shè)計了兩種EEPROM結(jié)構(gòu),F(xiàn)LASH的和傳統(tǒng)的以期獲得成本和功能的均衡,這極大的方便了使用者。隨著ISP、IAP的流行,特別是在程序存儲地址空間和數(shù)據(jù)存儲地址空間重疊的MCU系中,現(xiàn)在越來越多的MCU生產(chǎn)商用支持IAP的程序存儲器來模擬EEPROM對應(yīng)的數(shù)據(jù)存儲器,這是低成本下實現(xiàn)非易失數(shù)據(jù)存儲器的一種變通方法。為在商業(yè)宣傳上取得和雙EEPROM工藝的“等效”性,不少采用Flash程序存儲器“模擬”(注意,技術(shù)概念上并非真正的模擬)EEPROM數(shù)據(jù)存儲器的廠家紛紛宣稱其產(chǎn)品是帶EEPROM的,嚴(yán)格說,這是非常不嚴(yán)謹(jǐn)?shù)?,但商人有商人的目的和方法,用Flash“模擬”EEPROM可以獲取更大商業(yè)利益,所以在事實上,技術(shù)概念混淆的始作俑者正是他們。
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原文標(biāo)題:詳解單片機為什么既有Flash又有EEPROM?
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