多層片狀陶介電容器由陶瓷介質、外部端電極、內部金屬電極三種材料構成，失效形式為金屬電極和陶介之間層錯，電氣表現為受外力（如輕輕彎曲板子或用烙鐵頭碰一下）和溫度沖擊（如烙鐵焊接）時電容時好時壞。

多層片狀陶介電容器具體不良可分為:

1、熱擊失效

2、曲破裂失效

3、原材失效三個大類

（１）熱擊失效模式

熱擊失效的原理是：在制造多層陶瓷電容時，使用各種兼容材料會導致內部出現張力的不同熱膨脹系數及導熱率。當溫度轉變率過大時就容易出現因熱擊而破裂的現象，這種破裂往往從結構最弱及機械結構最集中時發生，一般是在接近外露端接和中央陶瓷端接的界面處、產生最大機械張力的地方（一般在晶體最堅硬的四角），而熱擊則可能造成多種現象：

第一種是顯而易見的形如指甲狀或U-形的裂縫：

第二種是隱藏在內的微小裂縫：

第二種裂縫也會由裸露在外的中央部份，或陶瓷/端接界面的下部。第一種形如指甲狀或U-形的裂縫和第二種隱藏在內的微小裂縫，兩者的區別只是后者所受的張力較小，而引致的裂縫也較輕微。第一種引起的破裂明顯，一般可以在金相中測出，第二種只有在發展到一定程度后金相才可測。

（２）扭曲破裂失效

此種不良的可能性很多：按大類及表現可以分為兩種：

第一種情況、SMT階段導致的破裂失效

當進行零件的取放尤其是SMT階段零件取放時，取放的定中爪因為磨損、對位不準確，傾斜等造成的。由定中爪集中起來的壓力，會造成很大的壓力或切斷率，繼而形成破裂點。這些破裂現象一般為可見的表面裂縫，或2至3個電極間的內部破裂；表面破裂一般會沿著最強的壓力線及陶瓷位移的方向。

真空檢拾頭導致的損壞或破裂﹐一般會在芯片的表面形成一個圓形或半月形的壓痕面積﹐并帶有不圓滑的邊緣。此外﹐這個半月形或圓形的裂縫直經也和吸頭相吻合。