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UDIMM、RDIMM、SODIMM以及LRDIMM的區(qū)別

SwM2_ChinaAET ? 來源:未知 ? 作者:李倩 ? 2018-06-24 09:43 ? 次閱讀

DIMM簡介

DIMM(Dual Inline Memory Module,雙列直插內(nèi)存模塊)與SIMM(single in-line memory module,單邊接觸內(nèi)存模組)相當類似,不同的只是DIMM的金手指兩端不像SIMM那樣是互通的,它們各自獨立傳輸信號,因此可以滿足更多數(shù)據(jù)信號的傳送需要。同樣采用DIMM,SDRAM接口DDR內(nèi)存的接口也略有不同,SDRAM DIMM為168Pin DIMM結(jié)構(gòu),金手指每面為84Pin,金手指上有兩個卡口,用來避免插入插槽時,錯誤將內(nèi)存反向插入而導(dǎo)致燒毀;DDR DIMM則采用184Pin DIMM結(jié)構(gòu),金手指每面有92Pin,金手指上只有一個卡口。卡口數(shù)量的不同,是二者最為明顯的區(qū)別。DDR2 DIMM為240pin DIMM結(jié)構(gòu),金手指每面有120Pin,與DDR DIMM一樣金手指上也只有一個卡口,但是卡口的位置與DDR DIMM稍微有一些不同,因此DDR內(nèi)存是插不進DDR2 DIMM的,同理DDR2內(nèi)存也是插不進DDR DIMM的,因此在一些同時具有DDR DIMM和DDR2 DIMM的主板上,不會出現(xiàn)將內(nèi)存插錯插槽的問題。

UDIMM、RDIMM、SODIMM以及LRDIMM的區(qū)別

UDIMM,Unbuffered DIMM,定位于 桌面市場,指地址和控制信號沒有經(jīng)過緩沖器,沒有做任何時序調(diào)整(緩沖器延遲是有的),直接到達DIMM上的DRAM芯片。而Registered內(nèi)存模組則對地址和控制信號等進行寄存,在下一個時鐘到來時再觸發(fā)輸出。

RDIMM,Registered DIMM,定位于工作站和服務(wù)器市場,指地址和控制信號經(jīng)過寄存,時鐘經(jīng)過PLL鎖相。相對于UDIMM,RDIMM更穩(wěn)定,容量更大,但是對于單個的讀寫訪問要滯后一個時鐘周期。 Registered內(nèi)存本身有兩種工作模式,即 Registered模式和Buffered模式。在支持Registered工作模式的主板上工作時,Registered內(nèi)存工作于 Registered模式,這時主板上的地址信號和控制信號會比數(shù)據(jù)信號先一個時鐘周期到達DIMM,送入Register芯片后會在其中停留一個時鐘周期,然后在下一個時鐘信號的上升沿從Register輸出,與此時從主板上到達DIMM的數(shù)據(jù)信號一起同時傳送到SDRAM。當Registered內(nèi)存工作在普通的主板上時,為Buffered工作模式,這時所有的信號也基本上是同時到達DIMM再同時傳送到SDRAM,Register芯片這時在功能上只相當于一個簡單的Buffer,其輸入到輸出之間是直通的,只簡單的起到改善地址信號和控制信號的作用,時序上與Unbuffered內(nèi)存是一樣的。Registered DIMM和其他內(nèi)存條相比增加了兩種關(guān)鍵的器件,PLL和register。

SODIMM,Small Outline DIMM,定位于筆記本市場,UDIMM和RDIMM都隸屬于DIMM,內(nèi)存模組的長度等,包括金手指的信號分布在內(nèi)都是一樣的。而SODIMM可以理解為小一號的內(nèi)存模組。

LRDIMM,Load-Reduced DIMM,不使用比較復(fù)雜的寄存器,而是使用簡單緩沖。緩沖降低了在下層主板上的電力負載,但對能源與內(nèi)存性能幾乎無影響。不似RDIMM與LRDIMM讓服務(wù)器制造商在每個內(nèi)存通道上放更多模塊。因此,LRDIMM設(shè)計能包含大型卷系統(tǒng)內(nèi)存,而不產(chǎn)生高的延遲費用。

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原文標題:【博文連載】UDIMM、RDIMM、SODIMM以及LRDIMM的區(qū)別

文章出處:【微信號:ChinaAET,微信公眾號:電子技術(shù)應(yīng)用ChinaAET】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

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