1965年，戈登·摩爾提出摩爾定律。

當(dāng)價(jià)格不變時(shí)，集成電路上可容納的元器件的數(shù)目，約每隔18-24個(gè)月便會(huì)增加一倍，性能也將提升一倍。

這個(gè)不斷觸碰半導(dǎo)體工藝極限的定律，也經(jīng)常伴隨著“死亡”和“新生”兩方面的話題。其中就有人認(rèn)為一種名為極紫外光刻（EUV光刻）的技術(shù)能夠拯救摩爾定律。

而讓小編驚掉下巴的則是它的價(jià)格——高達(dá)一億美金。憑什么這么貴呢？今天與非網(wǎng)小編先從概念說起。

要想弄懂EUV光刻機(jī)是什么意思，就得先說光刻機(jī)。

素有半導(dǎo)體制造業(yè)皇冠上的明珠之稱的光刻機(jī)，是芯片制造的核心設(shè)備之一，按照用途可以分為好幾種：有用于生產(chǎn)芯片的光刻機(jī)；有用于封裝的光刻機(jī)；還有用于LED制造領(lǐng)域的投影光刻機(jī)。用于生產(chǎn)芯片的光刻機(jī)技術(shù)含量極高、價(jià)格極高。涉及系統(tǒng)集成、精密光學(xué)、精密運(yùn)動(dòng)、精密物料傳輸、高精度微環(huán)境控制等多項(xiàng)先進(jìn)技術(shù)，是所有半導(dǎo)體制造設(shè)備中技術(shù)含量最高的設(shè)備，這也是中國(guó)在半導(dǎo)體設(shè)備制造上最大的短板，國(guó)內(nèi)晶圓廠所需的高端光刻機(jī)完全依賴進(jìn)口。

光刻機(jī)的工作原理則與膠片相機(jī)類似，當(dāng)你拍照的時(shí)候，按下相機(jī)快門的一瞬間，光線通過鏡頭折射入相機(jī)，投射到膠卷上，產(chǎn)生曝光。之后只需將膠卷在顯影液里浸泡一下，山川樓宇就被同比縮小印在了膠卷上。

同樣，光刻機(jī)可以把設(shè)計(jì)師設(shè)計(jì)的芯片圖案縮小之后刻在半導(dǎo)體材料上，經(jīng)過后期加工，就得到了芯片。當(dāng)然，光刻機(jī)的精度達(dá)到了納米級(jí)。

如果你對(duì)光刻機(jī)感興趣，可以看一下專業(yè)資料的光刻機(jī)原理解釋，如下：

光刻機(jī)通過一系列的光源能量、形狀控制手段，將光束透射過畫著線路圖的掩模，經(jīng)物鏡補(bǔ)償各種光學(xué)誤差，將線路圖成比例縮小后映射到硅片上，然后使用化學(xué)方法顯影，得到刻在硅片上的電路圖。 不同光刻機(jī)的成像比例不同，有5:1，也有 4:1。

激光器：光源，光刻機(jī)核心設(shè)備之一。

光束矯正器：矯正光束入射方向，讓激光束盡量平行。

能量控制器：控制最終照射到硅片上的能量，曝光不足或過足都會(huì)嚴(yán)重影響成像質(zhì)量。

光束形狀設(shè)置：設(shè)置光束為圓型、環(huán)型等不同形狀，不同的光束狀態(tài)有不同的光學(xué)特性。

遮光器：在不需要曝光的時(shí)候，阻止光束照射到硅片。

能量探測(cè)器：檢測(cè)光束最終入射能量是否符合曝光要求，并反饋給能量控制器進(jìn)行調(diào)整。

掩模版：一塊在內(nèi)部刻著線路設(shè)計(jì)圖的玻璃板，貴的要數(shù)十萬(wàn)美元。

掩膜臺(tái)：承載掩模版運(yùn)動(dòng)的設(shè)備，運(yùn)動(dòng)控制精度達(dá)到納米級(jí)。

物鏡：物鏡由 20 多塊鏡片組成，主要作用是把掩膜版上的電路圖按比例縮小，再被激光映射的硅片上，并且物鏡還要補(bǔ)償各種光學(xué)誤差。技術(shù)難度就在于物鏡的設(shè)計(jì)難度大，精度的要求高。

量臺(tái)、曝光臺(tái)： 承載硅片的工作臺(tái)， 一般的光刻機(jī)需要先測(cè)量，再曝光，只需一個(gè)工作臺(tái)，ASML的雙工作臺(tái)光刻機(jī)則可以實(shí)現(xiàn)一片硅片曝光同時(shí)另一片硅片進(jìn)行測(cè)量和對(duì)準(zhǔn)工作，能有效提升工作效率。

內(nèi)部封閉框架、減振器：將工作臺(tái)與外部環(huán)境隔離，保持水平，減少外界振動(dòng)干擾，并維持穩(wěn)定的溫度、壓力。

光刻機(jī)發(fā)展史

根據(jù)所使用的光源的改進(jìn)，光刻機(jī)經(jīng)歷了 5 代產(chǎn)品的發(fā)展，每次光源的改進(jìn)都顯著提升了光刻機(jī)所能實(shí)現(xiàn)的最小工藝節(jié)點(diǎn)。此外雙工作臺(tái)、沉浸式光刻等新型光刻技術(shù)的創(chuàng)新與發(fā)展也在不斷提升光刻機(jī)的工藝制程水平，以及生產(chǎn)的效率和良率。

最初的兩代光刻機(jī)采用汞燈產(chǎn)生的 436nm g-line 和 365nm i-line 作為光刻光源，可以滿足0.8-0.35 微米制程芯片的生產(chǎn)。最早的光刻機(jī)采用接觸式光刻，即掩模貼在硅片上進(jìn)行光刻，容易產(chǎn)生污染，且掩模壽命較短。此后的接近式光刻機(jī)對(duì)接觸式光刻機(jī)進(jìn)行了改良， 通過氣墊在掩模和硅片間產(chǎn)生細(xì)小空隙，掩模與硅片不再直接接觸，但受氣墊影響，成像的精度不高。

第三代光刻機(jī)采用 248nm 的 KrF（氟化氪）準(zhǔn)分子激光作為光源，將最小工藝節(jié)點(diǎn)提升至350-180nm 水平，在光刻工藝上也采用了掃描投影式光刻，即現(xiàn)在光刻機(jī)通用的，光源通過掩模， 經(jīng)光學(xué)鏡頭調(diào)整和補(bǔ)償后， 以掃描的方式在硅片上實(shí)現(xiàn)曝光。

第四代 ArF 光刻機(jī)：最具代表性的光刻機(jī)產(chǎn)品。第四代光刻機(jī)的光源采用了 193nm 的 ArF（氟化氬）準(zhǔn)分子激光，將最小制程一舉提升至 65nm 的水平。第四代光刻機(jī)是目前使用最廣的光刻機(jī)，也是最具有代表性的一代光刻機(jī)。由于能夠取代 ArF 實(shí)現(xiàn)更低制程的光刻機(jī)遲遲無(wú)法研發(fā)成功，光刻機(jī)生產(chǎn)商在 ArF 光刻機(jī)上進(jìn)行了大量的工藝創(chuàng)新，來滿足更小制程和更高效率的生產(chǎn)需要。

第五代 EUV 光刻機(jī)，千呼萬(wàn)喚始出來。1-4 代光刻機(jī)使用的光源都屬于深紫外光， 第五代 EUV光刻機(jī)使用的則是波長(zhǎng) 13.5nm 的極紫外光。早在上世紀(jì)九十年代，極紫外光刻機(jī)的概念就已經(jīng)被提出，ASML 也從 1999 年開始 EUV 光刻機(jī)的研發(fā)工作，原計(jì)劃在 2004 年推出產(chǎn)品。但直到2010年ASML才研發(fā)出第一臺(tái) EUV 原型機(jī)，2016年才實(shí)現(xiàn)下游客戶的供貨，比預(yù)計(jì)時(shí)間晚了十幾年。

目前，光刻機(jī)領(lǐng)域的龍頭老大是荷蘭ASML，并已經(jīng)占據(jù)了高達(dá)80%的市場(chǎng)份額，壟斷了高端光刻機(jī)市場(chǎng)——最先進(jìn)的EUV光刻機(jī)售價(jià)曾高達(dá)1億美元一臺(tái)，且全球僅僅ASML能夠生產(chǎn)。Intel、臺(tái)積電、三星都是它的股東，重金供養(yǎng)ASML，并且有技術(shù)人員駐廠，Intel、三星的14nm光刻機(jī)都是買自ASML，格羅方德、聯(lián)電以及中芯國(guó)際等晶圓廠的光刻機(jī)主要也是來自ASML。

EUV另類特性

EUV除了售價(jià)高，技術(shù)復(fù)雜外，其耗電能力也是一絕。

據(jù)媒體報(bào)道，全***過去5年用電的增長(zhǎng)量，約有1/3都是由臺(tái)積電貢獻(xiàn)的。而隨著新一代的可生產(chǎn)5nm工藝的EUV 微影技術(shù)的導(dǎo)入，用電量還將會(huì)暴增，可達(dá)目前主流制程的1.48倍。

業(yè)內(nèi)人士表示，EUV光刻機(jī)就是用極端的耗電來出大力做奇跡。

這背后主要因?yàn)樗膸状筇匦浴?/p>

1，極紫外光能被很多材料吸收，包括空氣。

所以，要使用極紫外光，必須消耗電力把整個(gè)環(huán)境都抽成真空。

2，極紫外光能被透鏡吸收。

因?yàn)檫@個(gè)特性，將極紫外光集中到一起只能靠反射了。用硅與鉬制成的鍍膜反射鏡，可以用來集中極紫外光。但是極紫外光每被反射一次，能量就會(huì)損失三成。極紫外光從光源出發(fā)，經(jīng)過十幾次反射，到達(dá)晶圓的時(shí)候，只剩下不到2%的光線了。韓國(guó)企業(yè)海力士曾經(jīng)說過，極紫外光EUV 的能源轉(zhuǎn)換效率只有 0.02% 左右。

除此之外，要得到這樣高功率的極紫外光，需要極大的激光器。這樣大的激光器，工作時(shí)候會(huì)產(chǎn)生很大的熱量，需要一套優(yōu)良的散熱冷卻系統(tǒng)，才能保證機(jī)器正常工作，而這又需要消耗大量電力。

目前ASML公司的EUV的極紫外光光刻機(jī)的輸出功率是 250 瓦，要達(dá)到這樣的輸出功率，需要0.125萬(wàn)千瓦的電力輸入才能維持。也就是說，一臺(tái)輸出功率為250W的EUV光刻機(jī)工作一天，光是光源這一項(xiàng)，就會(huì)消耗3萬(wàn)度電！

不僅如此，這還是一門祖?zhèn)魇炙嚒?/p>

ASML的鏡片是蔡司技術(shù)打底。鏡片材質(zhì)做到均勻，需幾十年到上百年技術(shù)積淀。有業(yè)內(nèi)人士感慨：“同樣一個(gè)鏡片，不同工人去磨，光潔度相差十倍。”而在德國(guó)，拋光鏡片的工人，祖孫三代在同一家公司的同一個(gè)職位。

目前來看，國(guó)內(nèi)研發(fā)光刻機(jī)相關(guān)的企業(yè)有上海微電子裝備有限公司、中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第四十五研究所、合肥芯碩半導(dǎo)體有限公司、先騰光電科技有限公司、無(wú)錫影速半導(dǎo)體科技有限公司，其中上海微裝發(fā)展最為領(lǐng)先，是中國(guó)唯一一家生產(chǎn)高端前道光刻機(jī)整機(jī)的公司，從某種意義上可以說其代表著國(guó)產(chǎn)光刻機(jī)技術(shù)水平。而上海微裝目前可生產(chǎn)加工90nm工藝制程的光刻機(jī)，這是目前國(guó)產(chǎn)光刻機(jī)最高水平，而ASML如今已量產(chǎn)7nm工藝制程 EUV光刻機(jī)，兩者差距不得不說非常大。

與非網(wǎng)小編不得不感慨，這給摩爾定律續(xù)命的EUV光刻機(jī)可以稱得上是半導(dǎo)體的印鈔機(jī)了。