SuperFlash?閃存擦除介紹
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發表于 01-09 13:43
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ROM芯片如何寫入和擦除
PROM。紫外線照射是一種常見的方法，它通過改變PROM中的熔絲結構來存儲數據。電子方式則是通過編程器發送特定的電壓和電流信號來改變PROM中的存儲單元狀態。 擦除過程 ：PROM一旦編程，就無法擦除。如果需要更改數據，必須更換一個新的PROM芯片。 2. EPROM（可
什么是閃存？它有哪些類型？
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發表于 07-11 06:27
HSM引導加載程序的HSM閃存寫入請求失敗是什么原因導致的？
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發表于 07-05 06:28
TC275TP PFLASH中的一些地址在擦除后并不全是0x00，為什么？
你好，我正在測試閃存擦除。 在擦除和隨后的回讀過程中，我發現 PFLASH 中的一些地址在擦除后并不全是 0x00，其中大部分都是 1 位非零值，但 DFlash 沒有這種問題。
發表于 07-05 06:17
請問如何分割PSoC4的閃存擦除和寫入活動？
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無論如何，我想找到更多的信息，也許 FAE 沒有完全理解我的問題。
目前，我們使用 PSoC4 實現基于 LIN 的 FBL，需要先擦除整個 APP 存儲區，然后在數據傳輸過程中寫入數據
發表于 07-03 06:59
AURIX? TC275處于比較模式的STM0在閃存擦除后停止觸發中斷怎么解決？
我將 STM0 設置為 TC275 比較模式，以運行一個簡單的操作系統。
在我的應用程序中，代碼的運行符合預期。
現在，我開始在引導加載程序中使用相同的邏輯，但不幸的是，我發現在擦除/寫入閃存后
發表于 05-17 11:31
武漢新芯集成電路“存儲器及擦除技術”專利公開發布
該發明揭示了一種新的存儲器擦除技術，其獨特之處在于首先接收到擦除指令，然后再評估擦除錯誤位置和地址是否滿足擦除要求。如果確認為條件符合則啟動擦除
在TLE9879上從代碼中擦除Code Flash Page時出現問題求解
我目前正在做一個涉及 TLE9879 MCU 的項目，我遇到了擦除代碼中一頁代碼閃存的問題。 奇怪的是，我能夠成功地對其進行編程，但在嘗試擦除時卻遇到了故障。
如果能就這種差異的潛在原因提出任何見解
發表于 01-30 07:24
扇區擦除后，許多PFLASH位不會被擦除是怎么回事？
一會兒還是在更高的溫度下翻轉。
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6.2.1 閃存操作條款擦除
發表于 01-30 06:51
使用miniprog4和Traveo ii和cypress autoflash實用程序，使用命令擦除閃存時報錯怎么解決？
我正在使用 miniprog4 和 Traveo ii 和 cypress autoflash 實用程序。 當我嘗試使用命令擦除閃存時，出現以下錯誤：
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發表于 01-29 08:20
工商網監
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