中國發展集成電路產業幾十年來，高端的PC和手機用的CPU、FPGA、高端的ADC以及操作系統等，仍然需要使用國外廠商的技術或產品，但也有很多元器件，甚至是較為高端的元器件，例如功率器件、電源管理 IC、存儲器、顯示屏、觸控屏、LED驅動芯片等，都已經可以實現完全的自主設計研發、國內企業制造封裝測試供貨。舉個例子，曾經為國外廠商所壟斷的身份證或通信SIM卡的加密存儲芯片，已有很多被冠上了“中國姓”。而金融IC卡芯片的國產化進程也已加速展開，這些都與國計民生息息相關。

電子工程專輯每年都會舉行中國IC設計調查與中國IC成就獎的評選與頒獎，以了解和鼓勵國內的芯片設計和制造企業的創新。調研結果顯示，從IC的研發設計、到晶圓制造和封裝測試，中國國內已經逐步建立起了自己的芯片上下游產業鏈，近年來在EDA和IP上，也有自主企業取得了一些市場份額。當然，還是需要指出的是，在很多高精尖的芯片設計與制造上，還是存在著被國外企業占據市場絕對份額的局面。這與中國國內企業取得巨大的進步和成績并不矛盾。半導體就是一個全球范圍的分工合作的游戲，沒有國家可以獨占全部，加上中國國內蓬勃發展的整機系統制造業，中國芯片公司一定會有機會做得更好。

以芯片制造為例，一直到上世紀90年代，我國集成電路產業嚴重滯后，集成電路生產在技術上落后于國際先進水平整整三代以上。

“909”工程締造中國第一條8英寸集成電路生產線

作為原電子工業部與上海市政府“部市合作”的國家“909”工程載體，上海華虹（集團）有限公司1996年誕生。當時，華虹突破各種技術壁壘，建成了我國第一條8英寸超大規模集成電路生產線。1999年，“909”工程超大規模集成電路芯片生產線正式投片，自此，中國才有了深亞微米超大規模集成電路芯片生產線。而且，投產當年便實現盈利，這在國內沒有先例，在國際上也屬于罕見。

華虹是“909”工程的主體承擔單位，它首先作為我國現代半導體產業的開創者推動了我國先進半導體產業環境和上下游產業鏈生態系統的建立，同時它也實現了很多從無到有的突破。比如我國設計制造的第一張手機SIM卡、第一張交通卡、第一張身份證芯片卡等等，這些都是老百姓非常熟悉的產品。

華虹集團旗下華虹宏力目前在上海金橋和張江共有三條8英寸生產線（華虹一、二、三廠），月產能約17萬片，其嵌入式非易失性存儲器、功率器件、模擬及電源管理和邏輯及射頻等差異化工藝平臺在全球業界極具競爭力，并擁有多年成功量產汽車電子芯片的經驗。此外一個更大的目標正在實現中。華虹宏力和國家集成電路產業投資基金股份有限公司、無錫錫虹聯芯投資有限公司等在無錫高新技術產業開發區內，合資設立了華虹半導體（無錫）有限公司（華虹七廠），一期投資25億美元，建設一條月產能4萬片的12英寸集成電路生產線，支持5G和物聯網等新興領域的應用。

華虹宏力創造的價值

回首過去20余年，從無到有，從0到1的奮斗歷程，華虹宏力走得艱難卻也扎實。作為中國人自己的集成電路生產企業，華虹宏力所取得的成就，從技術層面講，主要有：

1、 建立了國際先進的嵌入式存儲器芯片產品線。早在21世紀初，原華虹NEC通過引進消化吸收再創新，攻堅克難，掌握了嵌入式閃存芯片制造的關鍵技術，推出首顆國產SIM卡，打破了海外廠商的壟斷，實現了國產化替代，產生了巨大的經濟社會效益。

2、建成了我國最先進的功率器件和電源管理芯片產品生產線。該線屬國際先進水平，降低了國內整機系統產品的成本，提升了產品競爭力，目前需求火爆。這條生產線對于國內眾多功率器件和電源管理的IC設計公司自主研發的芯片實現量產銷售，起了非常重要的作用。

值得一提的是，在01和02等國家科技重大專項支持下，華虹宏力完成了8英寸特色工藝全面布局，形成了多項重大科技成果，累計申請發明專利約5800件，授權超過3000件，甚至躋身2016年全國企業發明專利授權量前十位。在國際競爭中，華虹宏力的8英寸制造流程比對手更優，工序更少，品質可靠。

華虹宏力的成功使我國集成電路大生產技術進入了國際主流領域，以事實證明中國大陸具備了超大規模集成電路產業生存與發展的良好環境，推進了我國集成電路產業投資環境的改善。同時也為國家培養了一支高水平的技術和管理隊伍。最重要的是，本土芯片制造業的繁榮，直接帶動與支持了中國IC設計業的發展，推動了產業鏈上下游的合作與共同進步。

華虹宏力的當家工藝

1、嵌入式存儲器技術

華虹宏力的嵌入式非易失性存儲器平臺是公司最重要的戰略工藝平臺之一，公司通過持續在該技術領域的深耕發展，已成為智能卡IC 生產領域的技術領導者、全球最大的智能卡IC 代工者。從0.35 微米、0.18 微米、0.11微米，到現在的90 納米，一路走來，他們始終保持著業界領先地位，以穩定可靠的工藝為全球客戶提供了優質產品，受到廣泛認可。隨著華虹無錫集成電路研發和制造基地項目啟動，該技術有望進一步延伸至65/55納米。

華虹宏力研發的 90 納米低功耗（LP）嵌入式閃存（eFlash）工藝平臺，是國內最先進的8英寸晶圓嵌入式存儲器技術，可為智能卡芯片、安全芯片產品以及 MCU 等多元化產品提供極具性價比的芯片制造技術解決方案。該平臺可與標準邏輯工藝完全兼容；在確保高性能和高可靠性的基礎上，提供了極小面積的低功耗 Flash IP；具有極高集成度的基本單元庫，與 0.11 微米 eFlash 工藝相比，門密度提升 30%以上。

華虹宏力還針對8位微控制器市場，推出95納米單絕緣柵非易失性嵌入式存儲器（95納米5V SG eNVM）工藝平臺。該平臺具低功耗、高性價比等顯著優勢，現已成功量產，產品性能優異。

2、功率器件

華虹宏力功率器件平臺累計出貨量突破 570 萬片8英寸晶圓。公司致力于為客戶提供更高端的分立器件技術解決方案，并已推出第三代深溝槽超級結（Deep Trench Super Junction，DT-SJ）工藝平臺，其保持了前幾代工藝流程緊湊的特點，而且還開發出了溝槽柵的新型結構，相比前兩代的平面柵結構，可以更有效地降低結電阻，且進一步縮小了元胞面積。導通電阻與第二代工藝相比，更是下降了30%以上，以600V器件為例，單位面積導通電阻Rsp實測值為1.2ohm.mm2，技術參數達業界一流水平，可為客戶提供導通電阻更低、芯片面積更小、開關速度更快和開關損耗更低的產品解決方案。

IGBT被譽為“功率半導體皇冠”，華虹宏力是全球首家提供場截止型（FS, Field Stop）IGBT量產技術的8英寸晶圓代工企業。憑借不斷的研發創新，公司與多家合作單位陸續推出了600V、1200V、1700V等IGBT器件工藝，成功解決了IGBT的關鍵工藝問題，包括硅片翹曲及背面工藝能力等，更是國內唯一擁有IGBT全套背面加工工藝的晶圓代工企業，包括背面薄片、背面離子注入、背面激光退火，背面金屬。目前，公司還正全力研發新能源車用技術。

3、射頻技術

移動互聯網和無線通訊技術蓬勃發展，射頻芯片在智能終端和消費類電子產品中的應用也愈發廣泛。射頻SOI工藝非常適合用于智能手機以及智能家居、可穿戴設備等智能硬件所需的射頻前端芯片。華虹宏力也推出了0.2微米射頻SOI工藝設計套件（PDK）。該設計套件有助于客戶提高設計流程的效率及輸出優質的射頻組件，從而減少設計改版及縮短產品推出市場的時間。0.13微米射頻SOI的研發正在穩步推進中，有望今年面市，以應對智能手機出貨量的持續增長及未來5G蜂窩通信的發展及應用。

此外，華虹宏力還可提供一系列高性能且具備成本效益的射頻解決方案，包括射頻CMOS，高阻硅IPD（集成無源器件）以及配備射頻 PDK的嵌入式閃存工藝平臺。

4、電源管理IC

華虹宏力可提供久經驗證的CMOS模擬和更高集成度的BCD/CDMOS工藝平臺。其技術涵蓋1微米到0.13微米，電壓范圍覆蓋1.8V 到700V，性能卓越、質量可靠，可廣泛應用于PMIC、快速充電（Fast Charge）、手機/平板電腦PMU以及智能電表等產品領域。

華虹宏力還是中國出貨量最大的LED驅動IC晶圓代工企業，其超高壓700V BCD技術迎合了節能環保熱點，所支持的高壓小電流LED 照明驅動應用市場發展前景十分廣闊。基于700V LDMOS工藝的開關型LED驅動所用的超高壓結型場效應晶體管（JFET）也已成功開發。更具性價比優勢的700VBCD第二代產品也已經通過客戶的評估并進入風險量產階段，不久后將正式面市；Highside驅動600V BCD技術也在開發中，并已經成功通過客戶端的電機驅動領域的測試評估；0.18微米5V/40V BCD工藝平臺已成功實現單芯片產品Tapeout，其DMOS的導通電阻處于業界領先水平，1P2M 18層光罩使得平臺極具成本競爭力。此外，華虹宏力的CZ6模擬系列平臺，在業內有著廣泛知名度，更是以穩定可靠的質量而著稱。

編者小結

集成電路技術確是“國之重器”，尤其是近期，芯片產業獲得了空前的關注度。在市場、資本和政策三方合力下，近些年來我國集成電路產業在前進的征程中不斷實現質的飛躍，雖然某些領域與國外的差距仍然較大，但我們不應簡單否定中國自主集成電路企業所取得的成就。期待中國企業踏踏實實自主研發，在發展中逐漸積累、持續成長，與全世界先進企業合作互惠共贏。相信隨著中國在這方面不斷加大投入，以及中國芯片產業知識產權意識的不斷加強，中國半導體產業的明天將更光明更燦爛。