概述
HMC404芯片是一款集成LO放大器的次諧波(x2) MMIC鏡像抑制混頻器，可用作上變頻器或下變頻器。 該芯片利用GaAs PHEMT技術，芯片整體面積為2.31mm2。 片內90°混合器件提供出色的振幅和相位平衡性能，鏡像抑制大于22 dB。 LO放大器采用單偏置(+4V)雙級設計，僅需+2 dBm的標稱驅動。
數據表：*附件：HMC404 GaAs MMIC次諧波IRM混頻器芯片技術手冊.pdf

應用

• 26至33 GHz微波無線電
• 針對點對點無線電應用的上下變頻器
• 衛星通信系統

特性

• • 集成LO放大器： +2 dBm輸入
• 次諧波(x2) LO
• 鏡像抑制： 22 dB
• 小尺寸： 1.90 x 1.25 mm

框圖

電氣規格

外形圖

焊盤描述

毫米波砷化鎵單片微波集成電路（GaAs MMIC）的安裝與鍵合技術

芯片應通過共晶方式或使用導電環氧直接連接到接地層（詳見HMC通用操作、安裝、鍵合說明 ）。建議使用0.127毫米（5密耳）厚的氧化鋁薄膜襯底制作50歐姆微帶傳輸線，用于芯片的射頻信號傳輸（圖1）。如果使用0.254毫米（10密耳）厚的氧化鋁薄膜襯底，芯片需凸起0.150毫米（6密耳），使芯片表面與襯底表面齊平。實現此目的的一種方法是將0.102毫米（4密耳）厚的芯片附著到0.150毫米（6密耳）厚的鉬散熱片（鉬片）上，然后再將其連接到接地層（圖2）。

為了縮短鍵合線長度，微帶襯底應盡可能靠近芯片放置。芯片與襯底的典型間距為0.076毫米（3密耳）。推薦使用寬度為0.075毫米（3密耳）、長度小于0.31毫米（12密耳）的金帶進行鍵合，以減小電感、射頻損耗和插入損耗。

應在Vdd輸入處使用射頻旁路電容。建議使用100 pF單層電容（通過共晶或導電環氧安裝），放置在距離芯片不超過0.762毫米（30密耳）處。

操作注意事項

遵循以下預防措施，以免造成永久性損壞：

• 存儲 ：所有裸芯片應放置在基于醚華夫格或凝膠的靜電防護容器中，然后密封在靜電防護袋中運輸。靜電防護袋一旦打開，所有芯片應存放在干燥的氮氣環境中。
• 清潔度 ：在清潔環境中操作芯片，請勿使用液體清潔系統清潔芯片。
• 靜電敏感度 ：遵循靜電防護措施，防止靜電沖擊。
• 瞬態 ：施加偏置時，抑制儀器和偏置電源的瞬態。使用屏蔽信號線和偏置電纜，以減少電感拾取。
• 一般操作 ：使用真空吸筆或鋒利的彎頭鑷子沿芯片邊緣操作芯片。芯片表面有脆弱的空氣橋，請勿用真空吸筆、鑷子或手指觸碰。

安裝

芯片背面已金屬化，可使用金錫共晶預制件或導電環氧進行貼裝。貼裝表面應清潔平整。

• 共晶芯片貼裝 ：推薦使用80/20的金錫預制件，工作表面溫度為255°C，工具溫度為265°C。使用90/10的氮氫混合氣體時，工具尖端溫度應為290°C。請勿使芯片暴露在高于320°C的溫度下超過20秒，貼裝過程中擦拭時間不得超過3秒。
• 環氧貼裝 ：在貼裝表面涂抹少量環氧，確保芯片放置到位后，其周邊能形成一圈薄環氧邊。按制造商的固化時間表固化環氧。

引線鍵合

推薦使用0.003英寸×0.0005英寸的帶狀鍵合線進行射頻鍵合，熱壓超聲鍵合壓力為40 - 60克。推薦使用直徑0.001英寸（0.025毫米）的直流鍵合線，熱壓超聲鍵合。球鍵合推薦使用直徑0.0015英寸（0.038毫米）的鍵合線，壓力為18 - 22克。所有鍵合的標稱階段溫度應為150°C。應施加最小限度的超聲波能量，以實現可靠鍵合。所有鍵合線應盡可能短，長度小于12密耳（0.31毫米）。