概述
LT5579混頻器是一款高性能上變頻混頻器，專為 1.5GHz 至 3.8GHz 范圍內(nèi)的頻率而優(yōu)化。 單端 LO 輸入和 RF 輸出端口簡化了電路板布局，并降低了系統(tǒng)成本。 該混頻器僅需 –1dBm 的 LO 功率，而且，平衡設計產(chǎn)生了至 RF 輸出的低 LO 信號泄漏。 在 2.6GHz 工作頻率條件下，LT5579 提供了 1.3dB 的高轉(zhuǎn)換增益、+26dBm 的高 OIP3 和一個 –157.5dBm/Hz 的低噪聲層 (在 –5dBm RF 輸出信號電平條件下)。LT5579 提供了無源混頻器的一種高性能替代方案。 與具有高轉(zhuǎn)換損耗并需要高 LO 驅(qū)動電平的無源混頻器不同，LT5579 可在低得多的 LO 輸入電平條件下提供轉(zhuǎn)換增益，而且對 LO 功率電平變化不太敏感。 較低的 LO 驅(qū)動電平要求，再加上卓越的 LO 泄漏性能，將降低輸出信號的 LO 信號污染。
數(shù)據(jù)表：*附件：LT5579 1.5GHz至3.8GHz高線性度上變頻混頻器技術(shù)手冊.pdf

應用

• GSM/EDGE、W-CDMA、UMTS、LTE 和 TD-SCDMA 基站
• 2.6GHz 和 3.5GHz WiMAX 基站
• 2.4GHz ISM 頻段發(fā)送器
• 高性能發(fā)送器

特性

• 高輸出 IP3：+27.3dBm (在 2.14GHz)
• 低噪聲層：–158dBm/Hz (POUT = –5dBm)
• 高轉(zhuǎn)換增益：2.6dB (在 2.14GHz)
• 寬頻率范圍：1.5GHz 至 3.8GHz
• 低 LO 泄漏
• 單端 RF 和 LO
• 低 LO 驅(qū)動電平：–1dBm
• 單 3.3V 電源
• 5mm x 5mm QFN24 封裝

典型應用

引腳配置

典型的DC性能特征

典型交流性能特征

引腳功能

• GND（引腳1、2、5 - 7、12 - 14、16 - 18、19 - 21、23、24） ：接地引腳。這些引腳在內(nèi)部連接到裸露焊盤，應焊接到印刷電路板上的低阻抗射頻地。
• IF+、IF-（引腳3、4） ：差分中頻輸入引腳。這些引腳上的共模電壓在內(nèi)部設定為570mV。每個引腳的直流電流由接地的外部電阻值決定。每個引腳的最大直流電流為60mA。
• VCC（引腳8 - 11） ：芯片電源引腳。這些引腳在內(nèi)部相互連接。典型電流消耗為226mA。這些引腳應在電路板上與外部旁路電容（1000pF、100pF和10pF）連接在一起，且盡可能靠近引腳。
• RF（引腳15） ：單端射頻輸出引腳。該引腳連接到內(nèi)部變壓器繞組。繞組的另一端在內(nèi)部接地。可能需要一個變壓器來匹配阻抗。如果后級存在直流偏置電壓，則需要一個隔直電容。
• LO（引腳22） ：單端本地振蕩器輸入引腳。此引腳上有一個內(nèi)部串聯(lián)隔直電容。
• 裸露焊盤（引腳25） ：PGND。整個芯片的電氣和熱接地連接點。該焊盤必須焊接到印刷電路板上的低阻抗射頻地。此接地還必須為散熱提供路徑。

框圖

LT5579 使用高性能本振緩沖放大器驅(qū)動雙平衡混頻器核心，以實現(xiàn)高線性度的頻率轉(zhuǎn)換。內(nèi)部巴倫用于提供單端本振輸入和射頻輸出端口。中頻輸入為差分信號。LT5579 適用于在 1.5GHz 至 3.8GHz 頻率范圍內(nèi)工作，不過在該范圍外也可工作，只是性能會有所下降。

中頻輸入接口

如圖 2 所示，中頻輸入連接到雙平衡混頻器晶體管的發(fā)射極。這些引腳在內(nèi)部偏置為 570mV 的共模電壓。混頻器核心中的最佳直流電流約為 50mA，可通過外部電阻 R1 和 R2 設置。電感和電阻必須能夠承受預期的電流和功耗。為實現(xiàn)最佳本振泄漏性能，電路板布局必須對稱，并且輸入電阻應良好匹配（建議公差為 0.1%）。

電感（L1 和 L2）的作用是降低 R1 和 R2 的負載效應。L1 和 L2 的阻抗應至少是所需中頻頻率下中頻輸入阻抗的幾倍。其自諧振頻率也應至少是中頻頻率的幾倍。請注意，L1 和 L2 的直流電阻會影響直流電流，可能需要在確定 R1 和 R2 時予以考慮。

L1 和 L2 應盡可能靠近封裝連接到信號線。此位置將處于最低阻抗點，可最大程度降低對并聯(lián) L - R 支路負載的敏感度。

電容 C1 和 C2 用于抵消中頻變壓器的寄生串聯(lián)電感。它們還在中頻端口之間提供直流隔離，以防止可能影響本振到射頻泄漏性能的不必要相互作用。

混頻器的差分輸入阻抗約為 100Ω，如表 1 所示。封裝和外部電感（TL1 和 TL2）與C9 將阻抗提升至約 12.5Ω。在較低頻率下，可能需要在中頻端口和 C9 之間增加額外的串聯(lián)電感。C9 的位置可能會因中頻頻率以及變壓器 T1 的差分串聯(lián)電感要求而異。4:1 阻抗比變壓器完成到 50Ω 的轉(zhuǎn)換。表 1 列出了多個中頻頻率下的差分中頻輸入阻抗和反射系數(shù)。

電容 C3 的作用是在某些應用中改善本振 - 射頻泄漏性能。這個相對小容值的電容在大多數(shù)情況下對阻抗匹配影響不大。不過，此電容通常應放置在靠近芯片的位置，但在某些需要重新調(diào)諧的情況下，該電容可能會改善性能。

圖 3 展示了 70MHz、240MHz 和 456MHz 頻率下測量得到的中頻輸入回波損耗。元件參數(shù)值列于表 2。