概述
HMC7911LP5E是一款緊湊型GaAs MMIC I/Q上變頻器,采用符合RoHS標準的低應力注射成型塑料SMT封裝。 該器件提供14 dB的小信號轉換增益和25 dBc的邊帶抑制性能。 HMC7911LP5E采用RF放大器工作,前接由驅動放大器驅動LO的I/Q混頻器。 還提供IF1和IF2混頻器輸入,需通過外部90°混合選擇所需的邊帶。 I/Q混頻器拓撲結構則降低了干擾邊帶濾波要求。 HMC7911LP5E為混合型單邊帶上變頻器的小型替代器件,它無需線焊,可以使用表貼制造技術。
數據表:*附件:HMC7911 17.0 GHz至20.0 GHz、GaAs、MMIC、I Q上變頻器技術手冊.pdf
應用
特性
- 轉換增益:18 dB(典型值)
- 邊帶抑制:30 dBc(典型值)
- 針對1 dB壓縮(P1dB)的輸入功率:2 dBm(典型值)
- 輸出三階交調截點(OIP3):33 dBm(典型值)
- RFOUT上2倍本振(LO)泄漏:10 dBm(典型值)
- IF輸入端2倍LO泄漏:-25 dBm(典型值)
- RF回波損耗:13 dB(典型值)
- LO回波損耗:10 dB(典型值)
- 32引腳、5 mm × 5 mm LFCSP封裝
框圖
引腳配置描述
接口示意圖
典型性能特征
HMC8108是一款X波段低噪聲變頻器,集成了本振緩沖器。它能將9GHz的射頻輸入信號轉換為10GHz的中頻信號,并在輸出端抑制鏡像信號 。HMC8108的功能框圖和電路架構如圖54所示。
射頻輸入信號先經過兩級低噪聲放大。預混頻的射頻輸入信號隨后通過內部混合器分離為單端信號,再進入無源混頻器。一個功率分配器后接三個本振緩沖放大器,驅動兩個正交(I和Q)混頻器核心,將放大后的射頻輸入信號轉換為中頻信號。一個2:1的衰減器可實現10dB到30dB的增益控制范圍。
應用信息
圖83展示了一個典型的下邊帶上變頻電路。下邊帶輸入信號連接到外部90°混合耦合器的輸入端口。隔離端口接50Ω負載。90°混合耦合器將信號分成同相(I)和正交(Q)相位分量。這兩個I和Q輸入信號進入HMC7911,IF1和IF2引腳。如果器件連接到90°混合耦合器的耦合端口,IF2引腳連接到混合耦合器的0°端口。通過施加較小的I/Q混頻器核心偏移電壓V_{cc - BI}和V_{cc - BQ},可以改善本振(LO)到射頻(RF)的泄漏。但是,必須限制施加的直流偏置,以避免產生或吸收超過±3mA的偏置電流。根據所使用的偏置源,可能會有額外的±3mA限制,以確保施加的偏置電流不超過限制。
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