概述
HMC520A是一款砷化鎵(GaAs)單芯片微波集成電路(MMIC)、同相正交(I/Q)混頻器，采用符合RoHS標準的24引腳、陶瓷無鉛芯片載體(LCC)封裝。該器件可用作鏡像抑制混頻器或單邊帶上變頻器。該混頻器使用兩個標準雙平衡混頻器單元和一個90°混合器件，均采用GaAs金屬半導體場效應晶體管(MESFET)工藝。HMC520A為混合型鏡像抑制混頻器和單邊帶上變頻器組件的小型替代器件。HMC520A無需線焊，可以使用表貼制造技術。
數(shù)據(jù)表：*附件：HMC520A 6GHz至10GHz、GaAs、MMIC、I Q混頻器技術手冊.pdf

應用

• 點對點微波無線電
• 點對多點無線電
• 視頻衛(wèi)星(VSAT)
• 數(shù)字無線電
• 儀器儀表
• 自動測試設備(ATE)

特性

• 射頻(RF)范圍：6 GHz至10 GHz
• 本振(LO)輸入頻率范圍：6 GHz至10 GHz
• 轉換損耗：典型值8 dB（6 GHz至10 GHz時）
• 鏡像抑制：典型值23 dBc（6 GHz至10 GHz時）
• LO至RF隔離：43 dB（典型值）
• LO至中頻(IF)隔離：25 dB（典型值）
• 輸入三階交調(diào)截點(IP3)：19 dBm（典型值）
• 針對1 dB壓縮(P1dB)的輸入功率：典型值10 dBm（7.1 GHz至8.5 GHz時）
• 寬IF頻率范圍：DC至3.5 GHz
• 24引腳、4 mm × 4 mm、陶瓷無鉛芯片載體封裝

框圖

引腳配置描述

接口示意圖

應用信息

圖83展示了HMC520A的典型應用電路。要選擇合適的邊帶，需要一個外部90°混合耦合器。對于不需要直流工作的應用，使用片外隔直電容。對于需要抑制輸出端本振（LO）信號的應用，如圖83所示，使用偏置三通或射頻饋電。確保每個中頻（IF）端口用于本振抑制的源電流或灌電流小于12微安，以防止損壞器件。每個中頻端口的共模電壓為0V。

若用作上變頻器來選擇上邊帶，將IF1引腳連接到混合耦合器的90°端口，IF2引腳連接到混合耦合器的0°端口。若選擇下邊帶，將IF1引腳連接到混合耦合器的0°端口，IF2引腳連接到混合耦合器的90°端口。輸入來自混合耦合器的和端口，差端口接50Ω終端。

若用作下變頻器且本振處于低端（low - side LO）時選擇上邊帶，將IF1引腳連接到混合耦合器的0°端口，IF2引腳連接到混合耦合器的90°端口。若本振處于高端（high - side LO）時選擇下邊帶，將IF1引腳連接到混合耦合器的90°端口，IF2引腳連接到混合耦合器的0°端口。輸出來自混合耦合器的和端口，差端口接50Ω終端。