概述
HMC521ALC4是一款緊湊型、砷化鎵(GaAs)、單芯片微波集成電路(MMIC)、同相正交(I/Q)混頻器，采用符合RoHS標準的24引腳陶瓷無鉛芯片載體(LCC)封裝。該器件可用作鏡像抑制混頻器或單邊帶上變頻器。該混頻器使用兩個標準、雙平衡混頻器單元和一個90°混合耦合器，均采用GaAs金屬半導體場效應晶體管(MESFET)工藝。低頻正交混合器件用于產生100 MHz中頻(IF)輸出。該器件為混合型鏡像抑制混頻器和單邊帶上變頻器組件的小型替代器件。HMC521ALC4無需線焊，可以使用表貼制造技術。
數據表：*附件：HMC521ALC4 GaAs MMIC I Q混頻器8.5-13.5GHz技術手冊.pdf

特性

• 下變頻器，8.5 GHz至13.5 GHz
  • 轉換損耗：9 dB（典型值）
  • 鏡像抑制：27.5 dBc（典型值）
  • LO至RF隔離：39 dB（典型值）
  • 輸入IP3：16 dBm（典型值）
• 寬IF帶寬：DC至3.5 GHz
• 3.9 mm × 3.9 mm、24引腳LCC封裝：16 mm^2^

應用

• 微波和甚小孔徑終端(VSAT)無線電
• 測試設備
• 軍事電子戰(EW)、電子對抗(ECM)、以及指揮、控制、通信和情報(C3I)

功能框圖

引腳配置描述

接口示意圖

典型應用電路

圖86展示了HMC521ALC4的典型應用電路。HMC521ALC4是一款無源混頻器，不需要任何外部組件。本振（LO）和射頻（RF）引腳內部交流耦合，中頻（IFx）引腳內部直流耦合。

對于需要中頻端口去耦的應用，需使用一個串聯電容。如果選擇該電容是為了通過必要的IF頻率范圍，在IFx源和吸收電流額定值規定的范圍內，無需阻塞直流。

當HMC521ALC4用作上變頻器時，若要選擇上邊帶，將IF1引腳連接到90°混合耦合器的90°端口，IF2引腳連接到0°端口。若要選擇下邊帶，將IF1引腳連接到0°端口，IF2引腳連接到90°端口。輸入來自混合耦合器的和端口，差分端口端接50Ω。

當用作下變頻器時，若要選擇上邊帶（低側本振），將IF1引腳連接到0°端口，IF2引腳連接到90°端口。若要選擇下邊帶（高側本振），將IF1引腳連接到90°端口，IF2引腳連接到0°端口。輸出連接到混合耦合器的和端口，差分端口端接50Ω。

評估印刷電路板（PCB）信息

應用中使用的電路板需采用射頻（RF）電路設計技術。確保接地線具有50Ω的阻抗，并將封裝接地引腳直接連接到接地層（見圖87）。使用足夠數量的過孔來連接頂層和底層接地層。圖87中所示的由亞德諾半導體（Analog Devices, Inc.）提供的評估電路板，可按需獲取。