概述

ADL5513是一款解調(diào)對數(shù)放大器，能夠精確地將射頻（RF）輸入信號轉(zhuǎn)換為相應(yīng)的分貝標(biāo)度輸出。ADL5513在級聯(lián)放大器鏈路采用漸進(jìn)壓縮技術(shù)，鏈路每一級都配備一個(gè)檢波器單元。ADL5513可用于測量或控制器模式。對于高于4 GHz的信號，ADL5513能保持精確的對數(shù)一致性。輸入動(dòng)態(tài)范圍的典型值為80 dB （阻抗： 50 Ω），誤差小于±3 dB。ADL5513的響應(yīng)時(shí)間為10 ns，能夠?qū)Τ^50 MHz的脈沖速率進(jìn)行RF脈沖檢測。該器件可提供環(huán)境溫度條件下無與倫比的對數(shù)截點(diǎn)穩(wěn)定性。ADL5513的電源電壓為2.7 V ～ 5.5 V，功耗小于30 mA。當(dāng)器件禁用時(shí)，電流會(huì)更低。

通過配置ADL5513，可為功率放大器或VOUT引腳的測量輸出提供控制電壓。由于輸出信號能用于控制器應(yīng)用，因此需要特別注意寬帶噪聲的較小化。在這種模式下，要為VSET引腳施加設(shè)置點(diǎn)控制電壓。

通過VOUT可關(guān)閉貫穿RF放大器的反饋環(huán)路，其輸出能將放大器的輸出調(diào)節(jié)至相應(yīng)的VSET量級。ADL5513在VOUT引腳提供 0 V 至（VPOS - 0.1 V）的輸出能力，適合控制器應(yīng)用。作為測量器件，VOUT與VSET外部相連，產(chǎn)生輸出電壓VOUT，隨著RF輸入信號幅度呈dB線性增加，斜率為20 mV/dB，由VSET接口決定。采用INHI輸入的截點(diǎn)為-95 dBm （阻抗：50 Ω，連續(xù)波輸入，900 MHz）。這些參數(shù)在電源和溫度變化情況下都非常穩(wěn)定。
數(shù)據(jù)表：*附件：ADL5513 1MHz至4GHz ，80dB對數(shù)檢波器 控制器技術(shù)手冊.pdf

應(yīng)用

• RF發(fā)射機(jī)功放設(shè)置點(diǎn)控制與電平檢測
• 無線鏈路發(fā)射機(jī)中的功率檢測
• 基站、WLAN、WiMAX、雷達(dá)中的RSSI測量

特性

• 寬帶寬：1 MHz ～ 4 GHz
• 動(dòng)態(tài)范圍：80 dB （±3 dB）
• 溫度范圍內(nèi)的穩(wěn)定性： < ±0.5 dB
• 低噪聲測量/控制器輸出（VOUT）
• 脈沖響應(yīng)時(shí)間：10 ns
• 小尺寸封裝：3 mm x 3 mm LFCSP
• 電源：2.7 ～ 5.5 V（30 mA）
• 采用高速SiGe工藝制造

框圖

引腳配置描述

典型性能特征

操作理論
ADL5513是一款解調(diào)對數(shù)放大器，專門設(shè)計(jì)用于頻率高達(dá)4 GHz的RF測量和功率控制應(yīng)用。框圖如圖24所示。ADL5513的設(shè)計(jì)與對數(shù)檢波器/控制器AD8313有許多相似之處，但截距變化范圍相對較小。溫度超過80分貝范圍。與AD8313相比，ADL5513還具有其他增強(qiáng)特性，例如RF突發(fā)響應(yīng)時(shí)間縮短至20 ns，電路板空間要求僅為3 mm × 3 mm，從而進(jìn)一步提升了ADL 5513的低成本和高性能優(yōu)勢。

采用專有高速信號處理的全差分設(shè)計(jì)擴(kuò)展了高頻性能。1 dB對數(shù)一致性誤差的最大輸入通常為10 dBm(參考到50 歐姆)。-70 dBm的噪聲頻譜密度設(shè)置了動(dòng)態(tài)范圍的下限。公共引腳COMM提供到印刷電路板(PCB)地的低阻抗連接。內(nèi)部連接到com引腳的封裝焊盤也應(yīng)接地到PCB，以降低芯片到PCB的熱阻抗。

應(yīng)用信息
ADL5513的額定工作頻率最高可達(dá)4 GHz因此，功能之間具有足夠隔離的低阻抗電源引腳至關(guān)重要。VPOS應(yīng)采用2.7 V至5.5 V之間的電源電壓。靠近此電源引腳連接100 pF和0.1電源去耦電容。

LFCSP封裝的裸露焊盤內(nèi)部連接到COMM，為獲得最佳散熱和電氣性能，焊盤應(yīng)焊接到低阻抗接地層。
RF輸入(INHI)是單端的，必須交流耦合。INLO(輸入公共地)應(yīng)交流耦合至地。對于1 MHz至4 GHz的輸入頻率，建議使用47 nF、0402型陶瓷耦合電容。耦合電容應(yīng)安裝在INHI和INLO引腳附近。可以增加耦合電容值，以降低輸入級的高通截止頻率。高通轉(zhuǎn)折頻率由輸入耦合電容和內(nèi)部20 pF高通電容設(shè)置。INHI和INLO上的直流電壓大約比Vpos低一個(gè)二極管壓降。