在現(xiàn)代各種復(fù)雜的工業(yè)電路中，柵極驅(qū)動(dòng)芯片雖不常被大眾提及，卻扮演著至關(guān)重要的角色。柵極驅(qū)動(dòng)芯片是低壓控制器和高壓電路之間的緩沖電路，主要用于放大控制器的控制信號(hào)，從而令功率器件實(shí)現(xiàn)更快速高效的導(dǎo)通和關(guān)斷，是保障電子設(shè)備穩(wěn)定、高效運(yùn)行的核心元件之一。

驅(qū)動(dòng)芯片的類型（按結(jié)構(gòu)劃分）

電力電子應(yīng)用基于功率器件技術(shù)，而無論是MOSFET、IGBT，還是SiC MOSFET等功率器件都需要相應(yīng)的柵極驅(qū)動(dòng)芯片（Gate Driver IC）。對(duì)于工程師而言，選擇一款合適的驅(qū)動(dòng)芯片不僅可以簡化相應(yīng)電氣系統(tǒng)的設(shè)計(jì)復(fù)雜度，還可以為項(xiàng)目開發(fā)節(jié)省時(shí)間，令其事半功倍。

柵極驅(qū)動(dòng)芯片，電氣系統(tǒng)中的核心助力

在光伏逆變器、儲(chǔ)能整流器、新能源汽車與白色家電等領(lǐng)域中，柵極驅(qū)動(dòng)芯片可向功率器件的柵極提供精確的驅(qū)動(dòng)信號(hào)。以MOSFET為例，當(dāng)柵極驅(qū)動(dòng)芯片輸出高電平時(shí)，會(huì)在MOSFET的柵極和源極之間建立起電場，使得MOSFET的溝道導(dǎo)通，從而允許電流從漏極流向源極；當(dāng)輸出低電平時(shí)，電場消失，溝道關(guān)閉，電流截止。這種精確的開關(guān)控制，能夠?qū)崿F(xiàn)對(duì)電路中電流通斷的精準(zhǔn)管理。

典型MOSFET管的結(jié)構(gòu)簡示圖

此外，柵極驅(qū)動(dòng)芯片還可以調(diào)節(jié)功率器件的開關(guān)速度。在高頻應(yīng)用場景中，如開關(guān)電源的頻率達(dá)到幾百甚至上千赫茲時(shí)，實(shí)現(xiàn)快速的開關(guān)速度不僅能夠提高電源的轉(zhuǎn)換效率，還能減少能量在開關(guān)過程中的損耗。同時(shí)，通過合理控制開關(guān)速度，還可以降低功率器件在開關(guān)過程中產(chǎn)生的電磁干擾（EMI），提高系統(tǒng)的穩(wěn)定性和可靠性。

在傳統(tǒng)電機(jī)的控制鏈路方案中，由于MCU/DSP等控制芯片輸出的信號(hào)功率較小，無法直接驅(qū)動(dòng)功率較大的功率器件。而柵極驅(qū)動(dòng)芯片具有功率放大的功能，它可以將控制芯片輸出的微弱信號(hào)進(jìn)行放大，為功率器件的柵極提供足夠的驅(qū)動(dòng)電流和電壓，確保功率器件能夠正常工作。同時(shí)，柵極驅(qū)動(dòng)芯片還可以對(duì)輸入的控制信號(hào)進(jìn)行濾波、整形等調(diào)理操作，去除信號(hào)中的噪聲和毛刺，使驅(qū)動(dòng)信號(hào)更加穩(wěn)定和精確。

傳統(tǒng)電機(jī)的控制鏈路方案簡示圖

值得一提的是，柵極驅(qū)動(dòng)芯片通常還具有過流、過熱、過壓與欠壓保護(hù)等功能，能夠?qū)崟r(shí)監(jiān)測功率器件的電流、溫度與電壓，當(dāng)這些參數(shù)超過設(shè)定的安全閾值時(shí)，柵極驅(qū)動(dòng)芯片會(huì)迅速采取降頻、關(guān)斷等措施，以保護(hù)功率器件，確保相應(yīng)電氣系統(tǒng)的穩(wěn)定運(yùn)行。

柵極驅(qū)動(dòng)芯片，市場前景持續(xù)向好

據(jù)QYResearch公布數(shù)據(jù)分析，2024 年全球柵極驅(qū)動(dòng)芯片市場規(guī)模預(yù)計(jì)達(dá)到12.35億美元，而預(yù)計(jì)到 2031年，全球柵極驅(qū)動(dòng)芯片市場規(guī)模將攀升至17.42億美元，柵極驅(qū)動(dòng)芯片的市場前景持續(xù)向好。

為捉住市場機(jī)遇，同時(shí)響應(yīng)國家對(duì)關(guān)鍵元器件自主可控的號(hào)召，大力發(fā)展新質(zhì)生產(chǎn)力，華普微將憑借著在物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的技術(shù)積淀，以及對(duì)工業(yè)自動(dòng)化、智能化與數(shù)字化需求的深刻理解，精準(zhǔn)切入柵極驅(qū)動(dòng)芯片賽道。

例如，HPD2606X就是華普微近期推出的一款高壓、高速功率MOSFET和IGBT驅(qū)動(dòng)器。該器件采用了專有的HVIC（高壓集成電路）技術(shù)及抗閂鎖CMOS工藝，具有穩(wěn)定的電路結(jié)構(gòu)。其邏輯輸入兼容標(biāo)準(zhǔn)CMOS或LSTTL電平信號(hào)，最低可支持3.3V邏輯電壓。輸出驅(qū)動(dòng)級(jí)配置了高脈沖電流緩沖器，可有效抑制驅(qū)動(dòng)信號(hào)間的交叉導(dǎo)通。此外，通過浮置通道設(shè)計(jì)，該器件可支持最高600V工作電壓的高邊配置，用于驅(qū)動(dòng)N溝道功率MOSFET或IGBT器件。

HPD2606X典型應(yīng)用電路簡示圖

當(dāng)前，半橋驅(qū)動(dòng)器HPD2606X已可廣泛應(yīng)用在家用空調(diào)、冰箱、洗衣機(jī)、烘干機(jī)、吸塵器、抽油煙機(jī)、風(fēng)扇等白色家電領(lǐng)域與電動(dòng)工具、無人機(jī)等工業(yè)場合

中。展望未來，隨著相關(guān)設(shè)備從“自動(dòng)”走向“智能”，以及能源轉(zhuǎn)換從“粗放”走向“精準(zhǔn)”，柵極驅(qū)動(dòng)芯片的重要性將日漸凸顯。