戶儲行業痛點：PFC電路的“沉默殺手”

在家庭儲能系統普及率突破18%的今天，PFC（功率因數校正）電路MOS失效卻成為行業隱形痛點——某第三方檢測機構數據顯示，32%的戶儲設備故障源于MOS溫升超標或體二極管反向恢復失效。傳統MOS器件在戶用場景下面臨雙重暴擊：

*開關損耗困局：Qg與Coss失衡導致驅動延遲，20kHz工況下損耗激增40%；

*體二極管“反殺”：Qrr＞150nC引發電壓尖峰，造成柵極震蕩甚至炸機。

仁懋電子SJ-MOS系列（MOT65R070W3等）通過“結構+材料+工藝”三維革新，為戶儲系統打造高可靠、高效率的PFC解決方案。

技術破壁：三大核心創新直擊失效本源

1. 驅動效能躍遷：Qg/Coss比值優化50%

針對驅動干擾導致的效率衰減，MOT65R028W3采用梯度摻雜屏蔽柵技術：

- 輸入電容（Ciss）降至1800pF，Qg×RDS(on)綜合指數較競品降低37%；

- Coss/Ciss比值優化至1:8，驅動抗干擾能力提升3倍，實測20kHz開關損耗減少28%。

2. 雪崩戰力升級：EAS突破行業天花板

基于超結（SJ）深度刻蝕工藝，MOT65R040W3實現性能躍升：

- 開關速度（trr）縮短至28ns，支持150kHz高頻PFC拓撲；

- 單脈沖雪崩能量（EAS）達380mJ，可抵御家庭電網380V浪涌沖擊。

3. 體二極管重構：Qrr壓降60%

MOT65R070W3通過復合緩沖層+載流子壽命控制技術，根治反向恢復頑疾：

- Qrr降至55nC（競品普遍＞130nC），反向恢復電流（Irr）峰值削減42%；

- di/dt耐受能力＞300A/μs，消除PFC電路中VDS震蕩導致的柵極誤觸發。

仁懋場景化產品矩陣

| 型號 | 殺手锏特性 | 適配場景

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| MOT65R028W3 | 超低Qg+高頻響應| 3kW交錯式PFC架構

| MOT65R040W3 | 高EAS+快速開關 | 光伏儲能一體機BOOST電路

| MOT65R070W3 | 超低Qrr+抗di/dt | 雙向LLC諧振變換器

當家庭儲能從“可用”向“高可靠、高收益”進階，仁懋SJ-MOS正在重塑戶用能源心臟。